Vor allem der starke Absatz von Speicherchips und Consumer-Geräten hat Samsung ein gutes drittes Quartal beschert. Der Ausblick auf das kommende Jahr bleibt aber unsicher.
Samsung hat das Galaxy Book Ion mit sparsamem LPDDR4X-Arbeitspeicher aktualisiert, weshalb die Akkulaufzeit des Ultrabooks steigt. Hintergrund ist ein aktualisiertes Stepping von Intels Comet-Lake-Prozessoren.
Auf die 1-GBit-Versionen für Datacenter folgen kleinere Modelle für Industrie und Internet der Dinge: Der magnetische Speicher von Everspin hat eine sehr lange Haltbarkeit und benötigt nicht dauerhaft Strom.
Eine Mischung aus 8-GBit- und 12-GBit-Chips: Samsung kombiniert mehrere Dies für 16-GByte-Packages an LPDDR5. Der Low-Power-Arbeitsspeicher wird im Galaxy S20 Ultra eingesetzt, nun startet die Serienfertigung.
In China schreitet die Entwicklung von x86-Prozessoren weiter voran: Für Desktops will Zhaoxin die KX-7000 mit 7 nm und DDR5-Speicher fertigen, für Server sind die KH-40000 mit 32 Kernen geplant.
Die Werkstatt iFixit hat den Surface Laptop 3 bereits geöffnet - ohne ihn zerstören zu müssen. Allein das macht ihn besser reparierbar als die beiden Vorgänger. Im Innern kann die SSD getauscht werden, der RAM und der Akku allerdings nicht.
Erstmals gibt es 12 GByte LPDDR4X-Arbeitsspeicher zusammen mit Universal Flash Storage (UFS) in einem Chipgehäuse. Samsung will Mittelklasse-Smartphones mit der modernen 1Y-nm-Technik ausstatten.
Nachdem Samsung bereits DDR4-Speichermodule mit 32 GByte Kapazität basierend auf 1Z-nm-16-GBit-Chips verkauft, legt SK Hynix nach: Die Serienfertigung des DRAMs soll allerdings erst 2020 starten.
Hoher Takt und niedrige Latenz: Von Gskill kommt eine optimierte Version des Trident Z mit DDR4-4000 und CL15-16-16-18. Der Speicher eignet sich für schnelle CPUs wie den Core-i9-9900K oder den Ryzen 9 3900X.
8 GByte und acht Layer übereinander sind bisher der Standard für HBM2-Module. Samsung will das ändern und stapelt zwölf Ebenen übereinander - bei gleicher Bauhöhe. Das soll die Kapazität pro Baustein und die Latenzen verbessern.
Zwei chinesische Hersteller haben die Fertigung von DRAM- und Flash-Speicher als Serienproduktion mit respektabler Stückzahl aufgenommen. Das ist wichtig für Smartphones, denn bisher stammen der LPDDR4- und NAND-Speicher vornehmlich aus den USA oder Südkorea.
2020 will Intel seine vierte 3D-NAND-Generation veröffentlichen, sie basiert auf 144 Flash-Speicher-Schichten. Zukünftig sollen damit auch Zellen mit 5 Bit (PLC) umgesetzt werden. Zudem gibt es Neuigkeiten zu Optane-Modulen und -SSDs mit Intels nicht flüchtigem 3D-XPoint-Speicher.
Die neue Version 1.5.18 des Cache-Servers Memcached kann Inhalte auch über Neustarts der Software hinweg erhalten. Dabei hilft eine Linux-Kernel-Funktion namens DAX (Direct Access).
Die hauseigenen Royal-Module wurden auf DDR4-6016 getrieben und damit der bisherige Overclocking-Rekord deutlich geschlagen. Wie üblich brauchte es dafür ein Mini-ITX-Board und Flüssigstickstoff.
Mit den sogenannten A-Dies hat Samsung erste Speicherchips mit modernster 10-nm-Class-Fertigung mit 16 GBit pro Chip verlötet: Erste DDR4-Module damit sind mittlerweile im Handel gelistet, sie fassen 32 GByte.
Der Virtualisierungsexperte VMware kauft zwei Softwarefirmen in den Bereichen Enterprise Apps und Security. Der größte Einzelaktionär von VMware ist Dell.
Mit neuester 10-nm-Technik für hohe Effizienz und Kapazität: Micron liefert 16-GBit-Chips für Smartphones aus. Damit sind Geräte mit 16 GByte LPDDR4X-Arbeitsspeicher möglich, zudem gibt es bei 8 GByte die Option, noch bis zu 256 GByte Flash-Speicher obendrauf zu packen.
Maßgeschneidert für einen Ryzen 9 3900X oder Ryzen 9 3950X: Mit den Trident Z Neo bringt Gskill zwei RAM-Kits in den Handel, die mit DDR4-3800-CL14 laufen. Der hohe Takt bei gleichzeitig scharfen Latenzen ist die ideale Kombination, um die maximale Leistung aus den CPUs herauszuholen.
AMDs Zen-2-CPUs unterstützen offiziell DDR4-3200, können aber auch mit deutlich höher getaktetem Speicher umgehen. Ein umfangreicher Test zeigt, dass DDR4-3733 mit relativ straffen Latenzen derzeit das Optimum für die Ryzen 3000 darstellt, weil so auch die interne Fabric-Geschwindigkeit steigt.
Der Halbleiterhersteller Samsung hat damit begonnen, 12-GBit-LPDDR5-Bausteine in der Masse zu produzieren. Der neue Speicher ist laut Hersteller rund 30 Prozent schneller als die Vorgängerbausteine.
Bereits im zweiten Halbjahr sollen erste Speicherchips mit extrem ultravioletter Belichtung (EUV) im 10-nm-Class-Verfahren produziert werden. Den Anfang macht Samsung, gefolgt von Micron und SK Hynix.
