Halbleiter: Samsung beginnt mit Massenfertigung von 12-GBit-DRAM

Der Halbleiterhersteller Samsung hat damit begonnen, 12-GBit-LPDDR5-Bausteine in der Masse zu produzieren. Der neue Speicher ist laut Hersteller rund 30 Prozent schneller als die Vorgängerbausteine.

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Samsung hat neue Bausteine im Angebot.
Samsung hat neue Bausteine im Angebot. (Bild: Samsung)

Samsung hat mit der Serienproduktion von 12-GBit-RAM-Bausteinen in der 10-Nanometer-Prozesstechnik begonnen. Es handelt sich dabei um LPDDR5-RAM, der mit 5,5 GBit/s noch einmal 30 Prozent schneller ist als der ebenfalls noch recht aktuelle LPDDR4x-Speicher mit der gleichen Kapazität.

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Noch vor Ende Juli 2019 will Samsung zudem 12-GByte-Packages anbieten, die aus 8 der 12-GBit-Chips bestehen. Diese Packages sollen vor allem für Smartphones verwendet werden. Ein derartiges Smartphone hat dann mehr Arbeitsspeicher als viele Endkundennotebooks. Ein solches Package schafft eine Datenrate von 44 GBit/s. Samsung verspricht ferner, dass der Speicher weniger elektrische Leistung aufnehmen soll als der Vorgänger. Das soll nicht nur durch Race to Idle möglich sein, sondern auch während Lastphasen.

Der nächste Schritt in Samsungs DRAM-Halbleiterfertigung ist erst für das Jahr 2020 geplant. Bis dahin will der Hersteller 16-GBit-Chips produzieren. Ein genaues Datum für die Muster- oder Massenfertigung gibt es noch nicht.

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