RAM

Samsung will sein Engagement für RDRAM unterstreichen. Samsung hat begonnen, 576-MBit-RDRAM in Serie zu fertigen. Die neuen Speicherchips sollen vor allem im High-End-Bereich, beispielsweise bei Supercomputern, zum Einsatz kommen und Verarbeitungsraten von 1.200 MBit pro Sekunde erreichen.

Zusätzliche 23 Millionen US-Dollar zur DRAM-Produktionssteigerung. Nachdem Intel bereits im Juni 2003 eine Investition von rund 100 Millionen US-Dollar in den japanischen DRAM-Hersteller Elpida vertraglich vereinbarte, wird diese Summe nun um 23 Millionen US-Dollar aufgestockt. Intel erhält dafür nicht stimmberechtigte Anteile an Elpida, während Elpida mit dem Geld seine DRAM-Produktion ausbauen will - auch im Bereich DDR2-SDRAM, welches Intels Chipsätze ab 2004 unterstützen sollen.

Neue PC4000- und PC3700-Speichermodule. Kingston bringt unter seiner High-End-Marke HyperX neue DDR-Speicherriegel für Taktfrequenzen von 500 MHz (PC4000) bzw. 466 MHz (PC3700) auf den Markt. Mit den neuen Speichermodulen richtet sich Kingston vor allem an ambitionierte Spieler und PC-Enthusiasten.

ATI und Nvidia haben bereits erste GDDR3-Muster zum Testen erhalten. ATI und Nvidia haben von Micron Technology die ersten Muster des speziell für die Bedürfnisse von Grafikprozessoren ausgelegten GDDR3-Speichers erhalten. Das "Graphics Double Data Rate SDRAM" ist nicht nur für High-End-PC-Grafikkarten, sondern auch für Spielekonsolen und Netzwerkhardware gedacht, die besonders hohe Datenraten benötigen.

Bericht: Intel legt RDRAM-Chipsätze auf Eis. Intel hat entschieden, die Produktion seiner Rambus-Chipsätze 850E und 860 einzustellen, das berichtet die taiwanesische IT-Site DigiTimes unter Berufung auf Mainboard-Hersteller. Allerdings werde Intel auf Kundenwunsch auch weiterhin Rambus-Chipsätze zur Verfügung stellen, heißt es weiter.

Weltweit kleinster 256-MBit-DRAM bringt Kostenvorteile von 30 Prozent. Infineon hat die Serienproduktion von DRAMs in einer 0,11-Mikron-Technologie gestartet. Muster von hochintegrierten 256-MBit-DRAMs, die mit dem 0,11-Mikron-Prozess gefertigt werden, sind bereits erfolgreich von Intel validiert und auch an strategische Kunden ausgeliefert.

Stromsparender DDR266/333-Speicher in Massenproduktion. Der Elektronikgigant Samsung hat stromsparende DDR266/333-Speichermodule für Notebooks angekündigt, die eine Kapazität von 1 GByte bieten. Auf den neuen "Small Outline Dual Inline Memory Modules" (SODIMMs) finden sich 16 Stück 512-Mbit-Speicher-Chips.

Infineon liefert HF-Transceiver für W-CDMA/UMTS-Applikationen. Infineon Technologies kündigte mehrere Neuentwicklungen aus dem Bereich Speicherprodukte an, darunter DRAM-Chips, Speicher für batteriebetriebene Systeme und Netzwerke. Außerdem sind von Infineon die ersten Muster eines vollintegrierten Single-Chip-HF-Tansceivers für W-CDMA/UMTS-Applikationen verfügbar.

Memory-Module HyperX PC3000 und PC3500 für Spielefreaks. Mit seinen neuen HyperX-Modulen engagiert sich Kingston im Bereich für High-Performance-Speicher und liefert DDR-SDRAM-Module mit getesteten 434 MHz aus. Der Hersteller verspricht zudem ein "beträchtliches" Overclocking-Potenzial.

PC133-Speicher wird teurer. Die Preise für DDR-Speicher sind in den vergangenen Wochen deutlich gesunken, während der ältere und langsamere PC133-Speicher im Preis steigt. So verbilligten sich PC2100-Speichermodule (DDR-RAM) gegenüber November um teilweise über 30 Prozent und sind damit teilweise billiger zu haben als PC133-Module in gleicher Größe.

Zudem zwei neue DDR-SDRAM-Module mit niedrigen Latenzzeiten für Power-Nutzer. Corsair liefert seine schnellen DDR-SDRAM-Speicher (CL-2) in Zukunft auch in Versionen mit bereits von vornherein im SPD eingestellten niedrigen Latenzzeiten (Low Latency, LL) aus, so dass Besitzer aktueller, schneller Mainboards keine Einstellungen im PC-BIOS mehr vornehmen müssen. Zudem bietet Corsair nun Speicher-Module im Doppelpack speziell für Mainboards mit Nvidias Nforce2-Chipsatz.

Konzentration auf drahtlose Netzwerke und Embedded-Systeme. Um sein Engagement auf den sich gut entwickelnden Märkten auf dem Gebiet der High-End-Kommunikation und Unterhaltungselektronik zu verstärken, hat AMD angekündigt, innerhalb der Speichersparte AMDs eine Geschäftssparte für drahtlose Netzwerke (Wireless Business Unit) und für Embedded-Lösungen (Embedded Business Unit) zu schaffen.

Hohe Kapazitäten durch Sandwichtechnik. Der Speicherhersteller Kingston hat die Verfügbarkeit von 1-GByte-DDR-266-PC2100-Module angekündigt. Die in einem niedrigen Huckepack-Profil gefertigten Module sollen durch ihre niedrige Bauhöhe auch in beengten Verhältnissen untergebracht werden können.

ATI und DRAM-Industrie legen Spezifikationen für schnelle Grafikspeicher fest. Der Grafikchiphersteller ATI und die Speicherhersteller Elpida, Hynix, Infineon und Micron haben einen neuen Speichertyp entwickelt, der höhere Geschwindigkeiten als das aktuelle DDR-SDRAM und dessen Nachfolger DDR-II bieten soll. Die Spezifikationen des neuen GDDR3 wurden nun fertig gestellt und sollen ab nächstem Jahr Grafikkarten Beine machen.

Einzelne Atome markieren Nullen und Einsen. Schon 1959 behauptete der Physiker Richard Feynman, dass man alle Wörter, die bis dato jemals geschrieben wurden, in einem Würfel von grob geschätzt 0,1 mm Kantenlänge unterbringen könnte, wenn man die Informationen als einzelne Atome abspeichern könnte. Nun haben Wissenschaftler der University of Wisconsin-Madison einen Speicher entwickelt, der einzelne Silizium-Atome für die Codierung von Nullen und Einsen verwendet.

Speichermedium kann als NTFS-Dateisystem formatiert werden. Ab sofort bietet Memorysolution einen USB-Stecker auch mit einer Speicherkapazität von 512 MB an. Das kompakte USB-Speichermedium kann im NTFS-Format "formatiert" werden und ist auch als Bootdevice zu benutzen, so der Hersteller.

Pentium-4-Chipsatz SiSR658/SiS963 angekündigt. Silicon Integrated Systems (SiS) neuer Pentium-4-Chipsatz SiSR658 ist der erste Chipsatz, der Dual RDRAM mit einer Taktrate von 1.066 MHz unterstützt. Damit soll eine Speicherbandbreite von 4,2 GByte/s erzielt werden, der Datenaustausch zwischen North- und Southbridge (SiS963) soll dank SiS MuTIOL-Technik bei bis zu 1 GByte/s liegen.

Vor allem DDR-Markenspeicher legten deutlich zu. Waren die Speicherpreise Mitte Juni wieder im Keller, stiegen die Preise für Speicherriegel in den vergangenen Wochen erneut deutlich an. Vor allem die Preise für DDR-RAM legten zum Teil um über 50 Prozent zu.

Erste Muster erhältlich, Massenproduktion startet Ende 2002. Infineon Technologies hat zwei neue Speicherprodukte vorgestellt: Zum einen ein besonders kompaktes DDR333-SDRAM-Speichermodul mit einer Kapazität von einem GByte und zum anderen einen schnellen DDR-Grafikkspeicher, der dank geringem Stromverbrauch auch für den Notebook-Einsatz geeignet sein soll.

Pseudo-Static-RAM soll SRAM in Mobiltelefonen ersetzen. Infineon und Micron haben die gemeinsame Entwicklung von Spezifikationen der neuen Speicherfamilie CellularRAM vereinbart. Beide Unternehmen wollen diese Chips unabhängig voneinander in den Markt einführen. Dabei handelt es sich um Pseudo-Static-RAMs (PSRAM) mit sehr geringer Leistungsaufnahme für Mobilfunk-Applikationen.

Max-Planck-Institut vermeldet Durchbruch bei Speichertechnologie-Forschung. Im weltweiten Bemühen um neue Computer-Arbeitsspeicher mit Langzeitgedächtnis - so genannte non-volatile random access memories (NV-RAMs) oder "nichtflüchtige RAMs" - haben Wissenschaftler am Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik in Halle (Saale) nach eigenen Angaben einen wichtigen Durchbruch geschafft: Ihnen ist es jetzt erstmals gelungen, dünne Schichten aus dem ferroelektrischen Material Lanthan-Wismut-Titan-Oxid auf Silizium-Wafern in einer besonders günstigen Kristallorientierung aufzubringen. Damit sei die Grundlage für Computerchips mit einer sehr großen Speicherdichte geschaffen, so die Forscher.

Mit einer Datenrate von 533 Megabit/s schneller als aktuelles DDR-SDRAM. Samsung Electronics hat eigenen Aussagen zufolge den ersten DDR-II-Speicher gefertigt, der dem im März 2002 verabschiedeten JEDEC-Standard für diesen neuen Speichertypus gerecht werden soll. Samsungs 512-Megabit-DDR-II-SDRAM benötigt nur 1,8 Volt und soll eine Datenrate von 533 Megabit pro Sekunde bieten.

Mit und ohne ECC erhältlich. Der namhafte Speicherhersteller Kingston Technology liefert ab sofort 1066-MHz-RIMM-Module aus, der für die neuen Pentium-4-PCs mit 533-MHz-Systembus (133 MHz Quad-Pumped) prädestiniert ist.

Billigmodule im Hynix-Pelz. Der Halbleiterhersteller Hynix Semiconductor warnt vor gefälschten 128-MByte-PC133-SDRAM-Modulen, die zwar als Hynix-Markenmodule gekennzeichnet sind, in Wahrheit jedoch Billig-Speichermodule von niedriger Qualität sein sollen.

DDR400-SDRAM-Module mit 128 und 256 MByte verfügbar. Samsung hat - laut eigenen Angaben als erster Hersteller - mit der Auslieferung von ersten DDR400-SDRAM-Modulen in großen Stückzahlen begonnen. Vorerst liefert Samsung 128-MByte- und 256-MByte-DDR400/PC3200-Module aus.

Sharp lizenziert neue Speichertechnologie der University of Houston. Schnelle, nichtflüchtige Speicher könnten in Zukunft das Hoch- und Runterfahren von Rechnern überflüssig machen. Eine entsprechende, von der University of Houston (UH) entwickelte und erstmals im November 2001 der Öffentlichkeit vorgestellte Speichertechnologie wurde nun von der amerikanischen Sharp-Tochter Sharp Laboratories of America exklusiv lizenziert.

Kompakter Speicher mit 1,25 Zoll Bauhöhe. Der Hardwarehersteller Transcend hat sein Angebot an Notebook-Speicherlösungen um ein nur 1,25 Zoll hohes DDR266/PC2100 SO-DIMM mit einer Kapazität von 512 MByte erweitert.

Hochdichte DIMMs auf Basis von 512-Mbit-Speicherchips. Infineon Technologies hat mit der Auslieferung erster Entwicklungsmuster von 1-GByte-DDR-SDRAM-DIMMs (Dual Inline Memory Modules) in ungepufferter Ausführung an Hersteller von Speicherriegeln begonnen. Ab April sollen erste Funktionsmuster von 2-GByte-DDR-SDRAM-DIMMs in Register-Ausführung folgen.

DDR400 als Lückenfüller zwischen DDR333 und DDR-II. Der US-Speicherhersteller Micron Technology hat mit der Auslieferung erster Muster von DDR400-DDR-SDRAMs an Hersteller von Mainboard-Chipsätzen begonnen. Im Vergleich zu den gekommenen DDR333-SDRAMs (PC2700, 166 MHz Takt) sollen die DDR400-SDRAMs (200 MHz Takt) eine um 20 Prozent höhere Leistung und eine Bandbreite von 3,2 GByte/Sekunde (PC3200) bieten.

Gespräche mit Winbond und Mosel Vitelic erfolgreich abgeschlossen. Infineon hat die Gespräche mit den taiwanischen Halbleiter-Herstellern Winbond Electronics und Mosel Vitelic, beide mit Hauptsitz in Hsinchu, erfolgreich abgeschlossen. Um seine Position im Markt für Speicherchips weiter auszubauen, hat Infineon ein unverbindliches Memorandum of Understanding mit Winbond und Verträge mit Mosel Vitelic unterzeichnet. Damit wird Infineon die Gesamtkapazität für die Produktion von DRAM-Chips um monatlich über 20.000 Waferstarts steigern.

Billigere Speicher speziell für den OEM-Markt. Der Hardwarehersteller Transcend hat mit der Einführung der neuen Speicherriegel-Marke JetRam speziell für den OEM-Markt begonnen. Einkäufern will man damit billigere und dennoch qualitativ hochwertige Speicher anbieten.

Memory eXpansion Technology (MXT) nun im eServer xSeries 330. Bereits Mitte 2000 kündigte IBM seine Memory eXpansion Technology (MXT) an, mit deren Hilfe Daten im Hauptspeicher komprimiert abgelegt werden. Nun ist die Hardwarekompression marktreif: In IBMs überarbeiteten "eServer xSeries 330" 1U-Pentium-III-Servern ist MXT nun erstmalig im Einsatz und soll die verfügbare Speichermenge effektiv verdoppeln.

1 GByte PC133 SDRAM mit nur 3 cm Höhe. Der Hardware-Hersteller Transcend hat ein spezielles, nur 1,2 Zoll hohes 1-GByte-Speichermodul mit Register und ECC angekündigt. Das PC133 1-GByte-SDRAM-DIMM wurde insbesondere für ultraflache Server mit nur einer Höheneinheit (1U) konzipiert.

USB Flash Drive ab Ende Januar in Kapazitäten bis 512 MByte erhältlich. Ab Ende Januar wird der Mainboard- und Speicherhersteller Transcend mit der Auslieferung seiner "USB Flash Drives" beginnen. Dabei handelt es sich um Flash-Datenspeicher, die unproblematisch per USB-Schnittstelle angeschlossen und bereits von verschiedenen anderen Herstellern in ähnlicher Form angeboten werden.

Stehen Hynix und Micron vor einer Fusion? Die beiden Speicherhersteller Hynix Semiconductor und Micron Technology gaben jetzt offiziell bekannt, dass man sich in frühen Gesprächen über eine strategische Kooperation oder eine anderweitige Kooperation bzw. Transaktion befinde. Bereits seit geraumer Zeit sorgen Gerüchte um Zusammenschlüsse in diesen Bereichen für einen leichten Anstieg der Speicherpreise. Vor allem der Name Hynix fällt dabei oft.

Technologieunternehmen darf auch nicht mehr gegen Infineons DDR-SDRAMs klagen. Nachdem das US-Bezirksgericht Virginia im SDRAM-Patentstreit zwischen Infineon und Rambus bereits einmal zu Gunsten von Infineon entschied und einen darauf folgenden Antrag auf Berufung seitens Rambus ablehnte, gibt es nun einen weiteren Erfolg für Infineon: Auch gegen die DDR-SDRAM-Module des Herstellers darf Rambus nichts mehr unternehmen, da sie nach Industriestandards gefertigt wurden.

Speicheraufrüstung auf 16 MByte für 199,- DM. Palmhelp.de bietet ab sofort zum Preis von 199,- DM die Möglichkeit, seinen Palm m500 oder m505 auf 16 MByte Arbeitsspeicher aufzurüsten.

Highend-Speicher mit zeitlich unbeschränkter Garantie. Der Speicher- und Mainboard-Hersteller Transcend hat mit der Auslieferung seiner ersten Serie von 1-Gigabyte-DDR-SDRAM-Modulen begonnen. Die High-End-Speicher bieten ECC-Fehlerkorrektur, sind jeweils mit einem Register-Chip versehen und für den Einsatz in Servern und Workstations gedacht.

288-Mbit-Chips für Temperaturen zwischen -40 und +85 Grad Celsius. Samsung bietet nun erstmals auch RDRAM-Bausteine für anspruchsvolle industrielle Zwecke an, in denen Temperaturen zwischen -40 und +85 Grad Celsius verkraftet werden müssen. Die robusten RDRAMs sollen beispielsweise Netzwerkprozessoren auch in heißen Umgebungen zur Seite stehen.

Marktkonsolidierung erwartet. Laut einer heute veröffentlichten Studie von Gartner wird der weltweite Umsatz im DRAM-Markt im Jahr 2001 um 67 Prozent zurückgehen. Gartner erwartet einen Umsatz von 10,5 Milliarden US-Dollar für 2001, verglichen mit 31,5 Milliarden US-Dollar im Vorjahr. Auch für das nächste Jahr erwarten die Analysten einen Rückgang.

Auslieferung von 128 MB und 256 MB DDR-SDRAM SO-DIMMs hat begonnen. Der Mainboard- und Speicherhersteller Transcend liefert nun auch DDR-SDRAM-Module (DDR SO-DIMM) für Notebooks. Zwar sind noch keine Notebooks mit DDR-SDRAM im Handel erhältlich, doch es werden bereits Chipsätze mit Unterstützung für den schnellen Speichertyp angeboten.

Schneller Speicher für Netzwerk-Hardware wie Switches und Routern. Auf dem Microprocessor Forum haben Cypress Semiconductor, Hitachi, Integrated Device Technology, Micron Technology, NEC und Samsung Electronics heute die komplette Spezifikation für Quad-Data-Rate-II-(QDRII-) und Double-Data-Rate-II-(DDRII-)SRAM-Architekturen offen gelegt.

Ab nächstes Jahr in Massenproduktion. Samsung Electronics hat die Entwicklung eines in 0,12 Mikron gefertigten und mit 1066 MHz getakteten 576-MBit-RDRAM-Speicherchips abgeschlossen. Damit sollen sich RDRAM-Speicherriegel mit Kapazitäten von über 1 GB fertigen lassen.