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Infineon und Toshiba entwickeln FeRAM

Kooperation soll kommerzielle Verfügbarkeit beschleunigen

Infineon Technologies und Toshiba haben gestern eine Vereinbarung über die gemeinsame Entwicklung einer nichtflüchtigen Speichertechnologie und von Produkten auf Basis des ferroelektrischen Prinzips bekannt gegeben.

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FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) stellen einen neuen Lösungsansatz für Speicher-Technologien dar. Auf Basis von ferroelektrischen Materialien soll FeRAM die Schnelligkeit und Zuverlässigkeit der bekannten dynamischen und statischen Speicher (DRAM und SRAM) mit dem Datenerhalt nach Abschalten der Versorgungsspannung vereinen.

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Die gemeinsamen Entwicklungsarbeiten werden sich auf die Speicherzellenstruktur, die Erhöhung der Schreib- und Lesezyklen, schnellere Zugriffzeiten, höhere Zuverlässigkeit und auf die Beseitigung von Metall-Verunreinigungen bei der Chip-Herstellung konzentrieren. Das erste kommerziell verfügbare Produkt soll ein 32-Mbit-FeRAM für den Einsatz in Mobiltelefonen sein.

Gegenüber Flash-Speichern mit NOR-Technologie sollen die FeRAM-Produkte zahlreiche Vorteile wie SRAM-ähnlich schnelle Lese- und Schreibzeiten, geringe Leistungsaufnahme und eine hohe Zahl von möglichen Schreib- und Lesezugriffen bieten. Auf Grund dieser Merkmale sei die neue Technologie prädestiniert für vielfältige Applikationen in Spiele-Konsolen, Mobiltelefonen und anderen mobilen Geräten bis hin zu Chip-Karten.

Toshiba bringt in die Zusammenarbeit seine LZT-Prozess-Technologie (Lead Zirconate Titanate) und seine patentierte "Chained"-Speicherzellenstruktur ein. Diese Technologie wurde schon für die Entwicklung eines 8-Mbit-FeRAM genutzt. Infineon will seine Erfahrung insbesondere dahingehend einbringen, die Anzahl der Schreib- und Lesezyklen zu erhöhen und die Metall-Kontaminierung des Siliziums zu verhindern.

Das von Toshiba entwickelte 8-Mbit-FeRAM soll von beiden Firmen produziert und gemeinsam vermarktet werden. Erste Muster sind für März 2001 geplant. Die kommerzielle Verfügbarkeit des 32-Mbit-FeRAM ist für Ende 2002 vorgesehen. Aus der Zusammenarbeit sollen dann 64-Mbit- und gegebenenfalls auch 128-Mbit-Versionen folgen - abhängig von den Markterfordernissen.

Ein gemeinsames Entwicklungsprogramm soll Anfang Januar 2001 im Advanced Microelectronics Center und im Ofuna Office des Semiconductor System Engineering Center von Toshiba in Yokohama beginnen. Infineon wird bis zu 20 Entwicklungs-Ingenieure für dieses Projekt abstellen. Die Entwicklungskosten werden von beiden Partnern getragen.



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