RAM

Präsentation auf der CeBIT 2003, Auslieferung ab Ende März 2003. Der taiwanesische Hersteller TwinMOS will Ende März 2003 als einer der ersten mit der Auslieferung von DDR466/PC3700-SDRAM-Modulen beginnen, auch wenn es dafür derzeit keinen JEDEC-Standard gibt. Mit Taktraten von bis zu 233 MHz (entspricht 466 MHz DDR) soll damit eine maximale Bandbreite von 3.728 MByte pro Sekunde geboten werden.

Hohe Leistung dank 4-Kanal-Speicherzugriffen versprochen. Der Chipsatzhersteller Silicon Integrated Systems (SiS), der Elektronik- und Speicherhersteller Samsung Electronics, der Mainboard-Hersteller ASUS sowie das Speichertechnologie-Unternehmen Rambus haben die gemeinsame Entwicklung eines neuen RDRAM-basierten PC-Chipsatzes angekündigt. Das SiS R659 getaufte Produkt soll dank 4-Kanal-Speicherzugriffen besonders hohe Leistung für PC-Workstations und Spiele-Rechner bieten.

Zudem zwei neue DDR-SDRAM-Module mit niedrigen Latenzzeiten für Power-Nutzer. Corsair liefert seine schnellen DDR-SDRAM-Speicher (CL-2) in Zukunft auch in Versionen mit bereits von vornherein im SPD eingestellten niedrigen Latenzzeiten (Low Latency, LL) aus, so dass Besitzer aktueller, schneller Mainboards keine Einstellungen im PC-BIOS mehr vornehmen müssen. Zudem bietet Corsair nun Speicher-Module im Doppelpack speziell für Mainboards mit Nvidias Nforce2-Chipsatz.

Konzentration auf drahtlose Netzwerke und Embedded-Systeme. Um sein Engagement auf den sich gut entwickelnden Märkten auf dem Gebiet der High-End-Kommunikation und Unterhaltungselektronik zu verstärken, hat AMD angekündigt, innerhalb der Speichersparte AMDs eine Geschäftssparte für drahtlose Netzwerke (Wireless Business Unit) und für Embedded-Lösungen (Embedded Business Unit) zu schaffen.

Hohe Kapazitäten durch Sandwichtechnik. Der Speicherhersteller Kingston hat die Verfügbarkeit von 1-GByte-DDR-266-PC2100-Module angekündigt. Die in einem niedrigen Huckepack-Profil gefertigten Module sollen durch ihre niedrige Bauhöhe auch in beengten Verhältnissen untergebracht werden können.

ATI und DRAM-Industrie legen Spezifikationen für schnelle Grafikspeicher fest. Der Grafikchiphersteller ATI und die Speicherhersteller Elpida, Hynix, Infineon und Micron haben einen neuen Speichertyp entwickelt, der höhere Geschwindigkeiten als das aktuelle DDR-SDRAM und dessen Nachfolger DDR-II bieten soll. Die Spezifikationen des neuen GDDR3 wurden nun fertig gestellt und sollen ab nächstem Jahr Grafikkarten Beine machen.

Einzelne Atome markieren Nullen und Einsen. Schon 1959 behauptete der Physiker Richard Feynman, dass man alle Wörter, die bis dato jemals geschrieben wurden, in einem Würfel von grob geschätzt 0,1 mm Kantenlänge unterbringen könnte, wenn man die Informationen als einzelne Atome abspeichern könnte. Nun haben Wissenschaftler der University of Wisconsin-Madison einen Speicher entwickelt, der einzelne Silizium-Atome für die Codierung von Nullen und Einsen verwendet.

Speichermedium kann als NTFS-Dateisystem formatiert werden. Ab sofort bietet Memorysolution einen USB-Stecker auch mit einer Speicherkapazität von 512 MB an. Das kompakte USB-Speichermedium kann im NTFS-Format "formatiert" werden und ist auch als Bootdevice zu benutzen, so der Hersteller.

Pseudo-Static-RAM soll SRAM in Mobiltelefonen ersetzen. Infineon und Micron haben die gemeinsame Entwicklung von Spezifikationen der neuen Speicherfamilie CellularRAM vereinbart. Beide Unternehmen wollen diese Chips unabhängig voneinander in den Markt einführen. Dabei handelt es sich um Pseudo-Static-RAMs (PSRAM) mit sehr geringer Leistungsaufnahme für Mobilfunk-Applikationen.

Max-Planck-Institut vermeldet Durchbruch bei Speichertechnologie-Forschung. Im weltweiten Bemühen um neue Computer-Arbeitsspeicher mit Langzeitgedächtnis - so genannte non-volatile random access memories (NV-RAMs) oder "nichtflüchtige RAMs" - haben Wissenschaftler am Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik in Halle (Saale) nach eigenen Angaben einen wichtigen Durchbruch geschafft: Ihnen ist es jetzt erstmals gelungen, dünne Schichten aus dem ferroelektrischen Material Lanthan-Wismut-Titan-Oxid auf Silizium-Wafern in einer besonders günstigen Kristallorientierung aufzubringen. Damit sei die Grundlage für Computerchips mit einer sehr großen Speicherdichte geschaffen, so die Forscher.

Mit einer Datenrate von 533 Megabit/s schneller als aktuelles DDR-SDRAM. Samsung Electronics hat eigenen Aussagen zufolge den ersten DDR-II-Speicher gefertigt, der dem im März 2002 verabschiedeten JEDEC-Standard für diesen neuen Speichertypus gerecht werden soll. Samsungs 512-Megabit-DDR-II-SDRAM benötigt nur 1,8 Volt und soll eine Datenrate von 533 Megabit pro Sekunde bieten.

Mit und ohne ECC erhältlich. Der namhafte Speicherhersteller Kingston Technology liefert ab sofort 1066-MHz-RIMM-Module aus, der für die neuen Pentium-4-PCs mit 533-MHz-Systembus (133 MHz Quad-Pumped) prädestiniert ist.

Billigmodule im Hynix-Pelz. Der Halbleiterhersteller Hynix Semiconductor warnt vor gefälschten 128-MByte-PC133-SDRAM-Modulen, die zwar als Hynix-Markenmodule gekennzeichnet sind, in Wahrheit jedoch Billig-Speichermodule von niedriger Qualität sein sollen.

DDR400-SDRAM-Module mit 128 und 256 MByte verfügbar. Samsung hat - laut eigenen Angaben als erster Hersteller - mit der Auslieferung von ersten DDR400-SDRAM-Modulen in großen Stückzahlen begonnen. Vorerst liefert Samsung 128-MByte- und 256-MByte-DDR400/PC3200-Module aus.

Sharp lizenziert neue Speichertechnologie der University of Houston. Schnelle, nichtflüchtige Speicher könnten in Zukunft das Hoch- und Runterfahren von Rechnern überflüssig machen. Eine entsprechende, von der University of Houston (UH) entwickelte und erstmals im November 2001 der Öffentlichkeit vorgestellte Speichertechnologie wurde nun von der amerikanischen Sharp-Tochter Sharp Laboratories of America exklusiv lizenziert.

Kompakter Speicher mit 1,25 Zoll Bauhöhe. Der Hardwarehersteller Transcend hat sein Angebot an Notebook-Speicherlösungen um ein nur 1,25 Zoll hohes DDR266/PC2100 SO-DIMM mit einer Kapazität von 512 MByte erweitert.

Hochdichte DIMMs auf Basis von 512-Mbit-Speicherchips. Infineon Technologies hat mit der Auslieferung erster Entwicklungsmuster von 1-GByte-DDR-SDRAM-DIMMs (Dual Inline Memory Modules) in ungepufferter Ausführung an Hersteller von Speicherriegeln begonnen. Ab April sollen erste Funktionsmuster von 2-GByte-DDR-SDRAM-DIMMs in Register-Ausführung folgen.

DDR400 als Lückenfüller zwischen DDR333 und DDR-II. Der US-Speicherhersteller Micron Technology hat mit der Auslieferung erster Muster von DDR400-DDR-SDRAMs an Hersteller von Mainboard-Chipsätzen begonnen. Im Vergleich zu den gekommenen DDR333-SDRAMs (PC2700, 166 MHz Takt) sollen die DDR400-SDRAMs (200 MHz Takt) eine um 20 Prozent höhere Leistung und eine Bandbreite von 3,2 GByte/Sekunde (PC3200) bieten.

Gespräche mit Winbond und Mosel Vitelic erfolgreich abgeschlossen. Infineon hat die Gespräche mit den taiwanischen Halbleiter-Herstellern Winbond Electronics und Mosel Vitelic, beide mit Hauptsitz in Hsinchu, erfolgreich abgeschlossen. Um seine Position im Markt für Speicherchips weiter auszubauen, hat Infineon ein unverbindliches Memorandum of Understanding mit Winbond und Verträge mit Mosel Vitelic unterzeichnet. Damit wird Infineon die Gesamtkapazität für die Produktion von DRAM-Chips um monatlich über 20.000 Waferstarts steigern.

Billigere Speicher speziell für den OEM-Markt. Der Hardwarehersteller Transcend hat mit der Einführung der neuen Speicherriegel-Marke JetRam speziell für den OEM-Markt begonnen. Einkäufern will man damit billigere und dennoch qualitativ hochwertige Speicher anbieten.

Memory eXpansion Technology (MXT) nun im eServer xSeries 330. Bereits Mitte 2000 kündigte IBM seine Memory eXpansion Technology (MXT) an, mit deren Hilfe Daten im Hauptspeicher komprimiert abgelegt werden. Nun ist die Hardwarekompression marktreif: In IBMs überarbeiteten "eServer xSeries 330" 1U-Pentium-III-Servern ist MXT nun erstmalig im Einsatz und soll die verfügbare Speichermenge effektiv verdoppeln.

1 GByte PC133 SDRAM mit nur 3 cm Höhe. Der Hardware-Hersteller Transcend hat ein spezielles, nur 1,2 Zoll hohes 1-GByte-Speichermodul mit Register und ECC angekündigt. Das PC133 1-GByte-SDRAM-DIMM wurde insbesondere für ultraflache Server mit nur einer Höheneinheit (1U) konzipiert.

USB Flash Drive ab Ende Januar in Kapazitäten bis 512 MByte erhältlich. Ab Ende Januar wird der Mainboard- und Speicherhersteller Transcend mit der Auslieferung seiner "USB Flash Drives" beginnen. Dabei handelt es sich um Flash-Datenspeicher, die unproblematisch per USB-Schnittstelle angeschlossen und bereits von verschiedenen anderen Herstellern in ähnlicher Form angeboten werden.

Stehen Hynix und Micron vor einer Fusion? Die beiden Speicherhersteller Hynix Semiconductor und Micron Technology gaben jetzt offiziell bekannt, dass man sich in frühen Gesprächen über eine strategische Kooperation oder eine anderweitige Kooperation bzw. Transaktion befinde. Bereits seit geraumer Zeit sorgen Gerüchte um Zusammenschlüsse in diesen Bereichen für einen leichten Anstieg der Speicherpreise. Vor allem der Name Hynix fällt dabei oft.

Technologieunternehmen darf auch nicht mehr gegen Infineons DDR-SDRAMs klagen. Nachdem das US-Bezirksgericht Virginia im SDRAM-Patentstreit zwischen Infineon und Rambus bereits einmal zu Gunsten von Infineon entschied und einen darauf folgenden Antrag auf Berufung seitens Rambus ablehnte, gibt es nun einen weiteren Erfolg für Infineon: Auch gegen die DDR-SDRAM-Module des Herstellers darf Rambus nichts mehr unternehmen, da sie nach Industriestandards gefertigt wurden.

Speicheraufrüstung auf 16 MByte für 199,- DM. Palmhelp.de bietet ab sofort zum Preis von 199,- DM die Möglichkeit, seinen Palm m500 oder m505 auf 16 MByte Arbeitsspeicher aufzurüsten.

Highend-Speicher mit zeitlich unbeschränkter Garantie. Der Speicher- und Mainboard-Hersteller Transcend hat mit der Auslieferung seiner ersten Serie von 1-Gigabyte-DDR-SDRAM-Modulen begonnen. Die High-End-Speicher bieten ECC-Fehlerkorrektur, sind jeweils mit einem Register-Chip versehen und für den Einsatz in Servern und Workstations gedacht.

288-Mbit-Chips für Temperaturen zwischen -40 und +85 Grad Celsius. Samsung bietet nun erstmals auch RDRAM-Bausteine für anspruchsvolle industrielle Zwecke an, in denen Temperaturen zwischen -40 und +85 Grad Celsius verkraftet werden müssen. Die robusten RDRAMs sollen beispielsweise Netzwerkprozessoren auch in heißen Umgebungen zur Seite stehen.

Marktkonsolidierung erwartet. Laut einer heute veröffentlichten Studie von Gartner wird der weltweite Umsatz im DRAM-Markt im Jahr 2001 um 67 Prozent zurückgehen. Gartner erwartet einen Umsatz von 10,5 Milliarden US-Dollar für 2001, verglichen mit 31,5 Milliarden US-Dollar im Vorjahr. Auch für das nächste Jahr erwarten die Analysten einen Rückgang.

Auslieferung von 128 MB und 256 MB DDR-SDRAM SO-DIMMs hat begonnen. Der Mainboard- und Speicherhersteller Transcend liefert nun auch DDR-SDRAM-Module (DDR SO-DIMM) für Notebooks. Zwar sind noch keine Notebooks mit DDR-SDRAM im Handel erhältlich, doch es werden bereits Chipsätze mit Unterstützung für den schnellen Speichertyp angeboten.

Schneller Speicher für Netzwerk-Hardware wie Switches und Routern. Auf dem Microprocessor Forum haben Cypress Semiconductor, Hitachi, Integrated Device Technology, Micron Technology, NEC und Samsung Electronics heute die komplette Spezifikation für Quad-Data-Rate-II-(QDRII-) und Double-Data-Rate-II-(DDRII-)SRAM-Architekturen offen gelegt.

Ab nächstes Jahr in Massenproduktion. Samsung Electronics hat die Entwicklung eines in 0,12 Mikron gefertigten und mit 1066 MHz getakteten 576-MBit-RDRAM-Speicherchips abgeschlossen. Damit sollen sich RDRAM-Speicherriegel mit Kapazitäten von über 1 GB fertigen lassen.

Intel erhält nun Zugriff auf alle Rambus-Patente. Der Speichertechnologie-Hersteller Rambus und Intel haben eine neue Patentaustausch-Vereinbarung geschlossen, welche die bisherige ablöst. Damit dürfte Intel nun mehr Freiheiten bei der Unterstützung des mit Rambus RDRAM konkurrierenden DDR-SDRAM-Speichers gewonnen haben.

No-Name-Speicher sinkt auf unter 28,- DM für 128 MB. Die Speicherpreise sind weiterhin im Keller, lediglich bei No-Name-Speichern sind noch leichte Preissenkungen erkennbar. Die Preisspanne im deutschen Handel ist dabei beachtlich. Für RDRAM-Speicherriegel muss man auch weiterhin etwa das Dreifache ausgeben wie für normales SDRAM, und auch DDR-SDRAM ist deutlich teurer.

Low-Profile-DIMMs für flache Server. Infineon Technologies bietet jetzt erste Muster von SDRAM- und DDR-Speicherprodukten mit reduzierter Bauhöhe von 1,2 Zoll (ca. 3 cm) an. Diese Low-Profile-DIMMs (Dual Inline Memory Modules) wurden speziell für den Einsatz in flachen Internet-Serversystemen entwickelt, die mit einer Gehäusehöhe von nur 1,7 Zoll (ca. 4,5 cm ) für die Anordnung in Regalgestellen vorgesehen sind.

Produktion wird im japanischen Iwate aufgebaut. Ramtron und Fujitsu haben ihre zweijährige Entwicklung an einem Produktionsprozess für einen in Embedded Systems und anderen Anwendungen verwendbaren FRAM-Speicher abgeschlossen.

0,2 Micron DRAMs und 0,4 Micron SDRAMs werden nicht mehr gebaut. Toshiba will im Rahmen der Überarbeitung seiner Speicherproduktionsstrategie, die sich auf Grund der Überangebote sowie der schwachen Marktnachfrage und der daraus entstandenen Preiseffekte ergeben hat, eine Produktionsanlage (Fab 1) im Werk in Yokkaichi schließen und nur die Produktionsanlage Fab 2 weiter betreiben. Die mehr als 300 Arbeiter der Fab 1 sollen künftig größtenteils in andere Anlagen arbeiten.

Neue Technik ermöglicht kleine DDR-SDRAM-Module mit Taktraten über 333 MHz. Dank geringer Wartezeiten (Latenz) und hoher Bandbreite werden Double-Data-Rate-(DDR-)Speicher immer häufiger in Server-, Telekommunikations- und anderen rechenintensiven Bereichen eingesetzt. Mit einer neuen Komponente will Philips Semiconductors DDR-Speicher auf 333 MHz und höher takten, während gleichzeitig der Stromverbrauch und der Platzbedarf verringert werden.

Speicher so günstig wie nie zuvor. Die DRAM-Industrie geht in 2001 ihrem schwersten Jahr entgegen: Der Umsatz werde um 55,5 Prozent gegenüber 2000 abnehmen, so die Gartner-Tochter Dataquest. Die weltweiten DRAM-Umsätze sollen von 31,5 Milliarden US-Dollar in 2000 auf 14 Milliarden US-Dollar in 2001 sinken. Zumindest die Kunden können sich derzeit jedoch nicht beschweren: Die Speicherpreise sind so niedrig wie nie zuvor.

Rambus nennt Pläne für die nächsten vier Jahre. Das Speichertechnologie-Unternehmen Rambus hat seine Pläne für RDRAM-Weiterentwicklung bekannt gegeben: Bis 2005 soll, dank einer Anhebung der Taktfrequenz auf 1200 MHz und Verbreiterung des bisher nur 16 bit breiten Datenbus auf 32 bit und 64 bit, eine Speicherbandbreite von bis zu 9,6 GB/Sekunde erreicht werden.

RLDRAM soll zunächst Datenraten bis zu 600 Mbit/s pro Pin bieten. Mit schnelleren Speicher-Bausteinen wollen Infineon und Micron höhere Datenraten ermöglichen. Gemeinsam entwickeln sie eine neue Familie von Hochleistungs-DRAM-Speicherbausteinen mit reduzierter Latenzzeit (Reduced Latency DRAM, RLDRAM), die speziell für den Einsatz in Switches, Routern und anderen Anwendungen gedacht sind, die besonders schnelle Speicherzugriffszeiten erfordern.

Micron kündigt preiswerte PC2100-Module zum SDRAM-Preis an. Der Speicherhersteller Micron Technology hat angekündigt, seine DDR-SDRAM-Module in Zukunft zum gleichen Preis wie die langsameren SDRAMs anzubieten. Möglich sei die Preissenkung der DDR-SDRAMs durch Herstellungs- und Kostenvorteile, so Fred Waddel, Director of Sales von Microns Computing and Consumer Group.

Flash-Speicher mit Page-Modus und 32 Bit Bandbreite. AMD hat mit dem Am29PL320 einen Flash-Speicher mit dem breitesten Datenbus der Branche und Page-Zugriffszeiten ab 20 Nanosekunden vorgestellt. Durch die Kombination aus AMDs Flash-Technologie und 32-Bit-Page-Modus-Architektur ist er nach Unternehmensangaben die schnellste derzeit verfügbare asynchrone Lösung bei Flash-Speichern.