RAM

Künstliche Verknappung des DRAM-Angebots seit Mitte März 2004. Im Einzelhandel sind die Speicherpreise etwa Mitte März 2004 merklich gestiegen, so kosten mittlerweile 256-MByte-DDR-SDRAM-Module etwa 10 Euro mehr als noch Anfang des Monats. Auslöser sind laut dem Speichermarkt-Analysten von DRAMeXchange unter anderem durch künstliche Verknappung steigende Preise auf dem Spot-Markt.

DDR2 verspricht geringeren Stromverbrauch und weniger Abwärme. Kingston will auf der CeBIT seine ersten DDR2-Speichermodule zeigen. Kingston plant, 400- und 533-MHz-DDR2-Registered-DIMMs, Unbuffered DIMMs und SODIMMs mit Kapazitäten bis zu 1 GByte anzubieten.

Bis zu 192 GByte Hauptspeicher und 40 GByte/s. Intel hat auf seiner Hausmesse IDF Pläne für eine neue Speicher-Verbindungstechnik vorgestellt. Wie schon vorab bekannt wurde, wird die FB-DIMM getaufte Technik zusammen mit anderen Industriepartnern entwickelt und soll im Vergleich zur herkömmlichen "Stub-Bus-Architektur" deutlich höhere Bandbreiten und Speicherkapazitäten erlauben.

Im Test bis zu 3,6 GBit/s pro Pin übertragen. Intel arbeitet an einem neue6n schnellen Verbindungsschema für DRAM, berichtet die US-Site EETimes. Die neue Technik soll sich zusammen mit DDR- und DDR2-Speicherchips nutzen lassen, aber höhere Kapazitäten und Geschwindigkeiten erlauben.

Einmalspeicher soll 1 GByte Daten in einem Kubikzentimeter unterbringen. Ingenieure der Princeton Universität und von Hewlett-Packard haben eine neue Materialkombination entwickelt, die zu billigeren und extrem kompakten Speichergeräten führen könnte. Dies könne die Grundlage für eine einmal beschreibbare Speicherkarte darstellen, die Daten permanent speichert und dabei schneller sowie einfacher zu verwenden ist als eine CD. Da die Geräte ohne bewegliche Teile auskommen, könnten die Laufwerke recht klein ausfallen.

SiSR659 mit dynamischem Look-Ahead-Buffer und "Adaptive Page Management". Ein neuer Pentium-4-Chipsatz von Silicon Integrated Systems (SiS) soll die Dual-Channel-DDR-Konkurrenz bei der verfügbaren Speicherbandbreite um 50 Prozent überflügeln, verspricht zumindest der Hersteller. Möglich sei dies durch den Einsatz von 4-Kanal-1200-MHz-RDRAMs und einige Tricks der Chipsatzentwickler.

Nicht flüchtiger Speicher in 0,18-Mikron-Technologie gefertigt. Motorola hat nach eigenen Angaben die ersten MRAM-Chips mit 4 MBit produziert, die nun von ausgewählten Kunden evaluiert wurden. Der Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) soll aktuelle Speichertechnologien ablösen, verspricht die MRAM-Technologie doch schnelle und haltbare, nicht flüchtige Speicher.

Kompakter Baustein kombiniert Arbeitsspeicher und Code-Ausführung. Intel stellte auf dem Intel Developer Forum in Taipeh das so genannte StrataFlash Wireless Memory System vor, welches Arbeitsspeicher, Code-Ausführung und Datenspeicherung in einem Baustein vereint, der besonders kostengünstig sein soll. Damit sollen Hersteller von künftigen Handys preisgünstig besonders kompakte Geräte fertigen können.

Samsung: DDR2-533 wird 2004 zum Standard-Speicher. Geht es nach Intel und diversen Speicherherstellern, so soll ab Anfang 2004 DDR2 die aktuelle DDR-Speichergeneration ablösen. DDR2 verspricht eine höhere Performance als DDR-333 und soll dabei die Probleme von DDR-400 in Sachen Strombedarf, Wärmeentwicklung und Kapazitäten umgehen.

Erste DDR2-DIMMs mit Elpida-Speicherchips erfolgreich von Kingston getestet. Nachdem Kingston im August 2003 in den japanischen Speicherhersteller Elpida investierte, haben die Partner nun den erfolgreichen Test von Elpidas ungepufferten DDR2-533-SDRAM-Chips auf einem 512-MByte-Speicherriegel von Kingston verkündet. Bis die DDR2-DIMMs jedoch marktreif sind, wird es noch etwas dauern - Kingston will Chipsatz- und Mainboard-Herstellern ab Ende 2003 Testmuster zur Verfügung stellen.

Samsung will sein Engagement für RDRAM unterstreichen. Samsung hat begonnen, 576-MBit-RDRAM in Serie zu fertigen. Die neuen Speicherchips sollen vor allem im High-End-Bereich, beispielsweise bei Supercomputern, zum Einsatz kommen und Verarbeitungsraten von 1.200 MBit pro Sekunde erreichen.

Zusätzliche 23 Millionen US-Dollar zur DRAM-Produktionssteigerung. Nachdem Intel bereits im Juni 2003 eine Investition von rund 100 Millionen US-Dollar in den japanischen DRAM-Hersteller Elpida vertraglich vereinbarte, wird diese Summe nun um 23 Millionen US-Dollar aufgestockt. Intel erhält dafür nicht stimmberechtigte Anteile an Elpida, während Elpida mit dem Geld seine DRAM-Produktion ausbauen will - auch im Bereich DDR2-SDRAM, welches Intels Chipsätze ab 2004 unterstützen sollen.

Investition von 50 Millionen US-Dollar für die Produktionssteigerung. Kingston Technology hat 50 Millionen US-Dollar in den Speicherhersteller Elpida Memory investiert, im Gegenzug erhält Kingston nicht stimmberechtigte Elpida-Aktien. Der Vertrag wurde bereits am 19. August 2003 getroffen, aber erst jetzt bekannt gegeben - Elpida will das Geld zur Steigerung seiner DRAM-Produktion nutzen.

Ermöglicht High-End-Grafikkarten mit bis zu 512 MByte Speicher. Im Juli 2002 hatte Samsung Electronics als Erster ein funktionsfähiges 1-Gbps-128-MBit-GDDR2-SDRAM entwickelt, nun hat das Unternehmen die Produktion von 256-MBit-GDDR2-SDRAMs gestartet. Das von der Speicherindustrie-Vereinigung JEDEC standardisierte Graphics-Double-Data-Rate2-(GDDR2-)SDRAM soll herkömmliches DDR- und DDR2-SDRAM auf Grafikkarten ablösen und mehr Leistung bringen, wird aber voraussichtlich im September 2003 schon durch den Nachfolgestandard GDDR3 abgelöst.

Werden DDR500-Speichermodule bald billiger? Der koreanische Speicherhersteller Hynix hat ein 256-MBit-DDR-SDRAM entwickelt, das mit 500 MHz DDR-Takt bzw. echten 250 MHz läuft. Bereits im August 2003 will Hynix die Massenproduktion des neuen Speicher starten.

Neue PC4000- und PC3700-Speichermodule. Kingston bringt unter seiner High-End-Marke HyperX neue DDR-Speicherriegel für Taktfrequenzen von 500 MHz (PC4000) bzw. 466 MHz (PC3700) auf den Markt. Mit den neuen Speichermodulen richtet sich Kingston vor allem an ambitionierte Spieler und PC-Enthusiasten.

ATI und Nvidia haben bereits erste GDDR3-Muster zum Testen erhalten. ATI und Nvidia haben von Micron Technology die ersten Muster des speziell für die Bedürfnisse von Grafikprozessoren ausgelegten GDDR3-Speichers erhalten. Das "Graphics Double Data Rate SDRAM" ist nicht nur für High-End-PC-Grafikkarten, sondern auch für Spielekonsolen und Netzwerkhardware gedacht, die besonders hohe Datenraten benötigen.

Bericht: Intel legt RDRAM-Chipsätze auf Eis. Intel hat entschieden, die Produktion seiner Rambus-Chipsätze 850E und 860 einzustellen, das berichtet die taiwanesische IT-Site DigiTimes unter Berufung auf Mainboard-Hersteller. Allerdings werde Intel auf Kundenwunsch auch weiterhin Rambus-Chipsätze zur Verfügung stellen, heißt es weiter.

Weltweit kleinster 256-MBit-DRAM bringt Kostenvorteile von 30 Prozent. Infineon hat die Serienproduktion von DRAMs in einer 0,11-Mikron-Technologie gestartet. Muster von hochintegrierten 256-MBit-DRAMs, die mit dem 0,11-Mikron-Prozess gefertigt werden, sind bereits erfolgreich von Intel validiert und auch an strategische Kunden ausgeliefert.

Stromsparender DDR266/333-Speicher in Massenproduktion. Der Elektronikgigant Samsung hat stromsparende DDR266/333-Speichermodule für Notebooks angekündigt, die eine Kapazität von 1 GByte bieten. Auf den neuen "Small Outline Dual Inline Memory Modules" (SODIMMs) finden sich 16 Stück 512-Mbit-Speicher-Chips.

Infineon liefert HF-Transceiver für W-CDMA/UMTS-Applikationen. Infineon Technologies kündigte mehrere Neuentwicklungen aus dem Bereich Speicherprodukte an, darunter DRAM-Chips, Speicher für batteriebetriebene Systeme und Netzwerke. Außerdem sind von Infineon die ersten Muster eines vollintegrierten Single-Chip-HF-Tansceivers für W-CDMA/UMTS-Applikationen verfügbar.

Präsentation auf der CeBIT 2003, Auslieferung ab Ende März 2003. Der taiwanesische Hersteller TwinMOS will Ende März 2003 als einer der ersten mit der Auslieferung von DDR466/PC3700-SDRAM-Modulen beginnen, auch wenn es dafür derzeit keinen JEDEC-Standard gibt. Mit Taktraten von bis zu 233 MHz (entspricht 466 MHz DDR) soll damit eine maximale Bandbreite von 3.728 MByte pro Sekunde geboten werden.

Hohe Leistung dank 4-Kanal-Speicherzugriffen versprochen. Der Chipsatzhersteller Silicon Integrated Systems (SiS), der Elektronik- und Speicherhersteller Samsung Electronics, der Mainboard-Hersteller ASUS sowie das Speichertechnologie-Unternehmen Rambus haben die gemeinsame Entwicklung eines neuen RDRAM-basierten PC-Chipsatzes angekündigt. Das SiS R659 getaufte Produkt soll dank 4-Kanal-Speicherzugriffen besonders hohe Leistung für PC-Workstations und Spiele-Rechner bieten.

Neue PC3200-DIMMs für leistungsstarke PC-Speicher. Infineon kündigte heute die Verfügbarkeit von DDR400-Speichermodulen an, die mit Kapazitäten von 128, 256 und 512 MByte zu haben sind. Sie basieren auf einem 256-Mbit-DDR-Chip mit 400 Mbit/s, wurden auf Einhaltung der Intel-Spezifikationen geprüft und erfüllen die Anforderungen des neuen JEDEC-PC3200-Standards mit einer Speicher-Bandbreite von 3,2 Gbyte/s.

Memory-Module HyperX PC3000 und PC3500 für Spielefreaks. Mit seinen neuen HyperX-Modulen engagiert sich Kingston im Bereich für High-Performance-Speicher und liefert DDR-SDRAM-Module mit getesteten 434 MHz aus. Der Hersteller verspricht zudem ein "beträchtliches" Overclocking-Potenzial.

PC133-Speicher wird teurer. Die Preise für DDR-Speicher sind in den vergangenen Wochen deutlich gesunken, während der ältere und langsamere PC133-Speicher im Preis steigt. So verbilligten sich PC2100-Speichermodule (DDR-RAM) gegenüber November um teilweise über 30 Prozent und sind damit teilweise billiger zu haben als PC133-Module in gleicher Größe.

Zudem zwei neue DDR-SDRAM-Module mit niedrigen Latenzzeiten für Power-Nutzer. Corsair liefert seine schnellen DDR-SDRAM-Speicher (CL-2) in Zukunft auch in Versionen mit bereits von vornherein im SPD eingestellten niedrigen Latenzzeiten (Low Latency, LL) aus, so dass Besitzer aktueller, schneller Mainboards keine Einstellungen im PC-BIOS mehr vornehmen müssen. Zudem bietet Corsair nun Speicher-Module im Doppelpack speziell für Mainboards mit Nvidias Nforce2-Chipsatz.

Konzentration auf drahtlose Netzwerke und Embedded-Systeme. Um sein Engagement auf den sich gut entwickelnden Märkten auf dem Gebiet der High-End-Kommunikation und Unterhaltungselektronik zu verstärken, hat AMD angekündigt, innerhalb der Speichersparte AMDs eine Geschäftssparte für drahtlose Netzwerke (Wireless Business Unit) und für Embedded-Lösungen (Embedded Business Unit) zu schaffen.

Hohe Kapazitäten durch Sandwichtechnik. Der Speicherhersteller Kingston hat die Verfügbarkeit von 1-GByte-DDR-266-PC2100-Module angekündigt. Die in einem niedrigen Huckepack-Profil gefertigten Module sollen durch ihre niedrige Bauhöhe auch in beengten Verhältnissen untergebracht werden können.

ATI und DRAM-Industrie legen Spezifikationen für schnelle Grafikspeicher fest. Der Grafikchiphersteller ATI und die Speicherhersteller Elpida, Hynix, Infineon und Micron haben einen neuen Speichertyp entwickelt, der höhere Geschwindigkeiten als das aktuelle DDR-SDRAM und dessen Nachfolger DDR-II bieten soll. Die Spezifikationen des neuen GDDR3 wurden nun fertig gestellt und sollen ab nächstem Jahr Grafikkarten Beine machen.

Einzelne Atome markieren Nullen und Einsen. Schon 1959 behauptete der Physiker Richard Feynman, dass man alle Wörter, die bis dato jemals geschrieben wurden, in einem Würfel von grob geschätzt 0,1 mm Kantenlänge unterbringen könnte, wenn man die Informationen als einzelne Atome abspeichern könnte. Nun haben Wissenschaftler der University of Wisconsin-Madison einen Speicher entwickelt, der einzelne Silizium-Atome für die Codierung von Nullen und Einsen verwendet.

Speichermedium kann als NTFS-Dateisystem formatiert werden. Ab sofort bietet Memorysolution einen USB-Stecker auch mit einer Speicherkapazität von 512 MB an. Das kompakte USB-Speichermedium kann im NTFS-Format "formatiert" werden und ist auch als Bootdevice zu benutzen, so der Hersteller.

Pentium-4-Chipsatz SiSR658/SiS963 angekündigt. Silicon Integrated Systems (SiS) neuer Pentium-4-Chipsatz SiSR658 ist der erste Chipsatz, der Dual RDRAM mit einer Taktrate von 1.066 MHz unterstützt. Damit soll eine Speicherbandbreite von 4,2 GByte/s erzielt werden, der Datenaustausch zwischen North- und Southbridge (SiS963) soll dank SiS MuTIOL-Technik bei bis zu 1 GByte/s liegen.

Vor allem DDR-Markenspeicher legten deutlich zu. Waren die Speicherpreise Mitte Juni wieder im Keller, stiegen die Preise für Speicherriegel in den vergangenen Wochen erneut deutlich an. Vor allem die Preise für DDR-RAM legten zum Teil um über 50 Prozent zu.

Erste Muster erhältlich, Massenproduktion startet Ende 2002. Infineon Technologies hat zwei neue Speicherprodukte vorgestellt: Zum einen ein besonders kompaktes DDR333-SDRAM-Speichermodul mit einer Kapazität von einem GByte und zum anderen einen schnellen DDR-Grafikkspeicher, der dank geringem Stromverbrauch auch für den Notebook-Einsatz geeignet sein soll.

Pseudo-Static-RAM soll SRAM in Mobiltelefonen ersetzen. Infineon und Micron haben die gemeinsame Entwicklung von Spezifikationen der neuen Speicherfamilie CellularRAM vereinbart. Beide Unternehmen wollen diese Chips unabhängig voneinander in den Markt einführen. Dabei handelt es sich um Pseudo-Static-RAMs (PSRAM) mit sehr geringer Leistungsaufnahme für Mobilfunk-Applikationen.

Max-Planck-Institut vermeldet Durchbruch bei Speichertechnologie-Forschung. Im weltweiten Bemühen um neue Computer-Arbeitsspeicher mit Langzeitgedächtnis - so genannte non-volatile random access memories (NV-RAMs) oder "nichtflüchtige RAMs" - haben Wissenschaftler am Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik in Halle (Saale) nach eigenen Angaben einen wichtigen Durchbruch geschafft: Ihnen ist es jetzt erstmals gelungen, dünne Schichten aus dem ferroelektrischen Material Lanthan-Wismut-Titan-Oxid auf Silizium-Wafern in einer besonders günstigen Kristallorientierung aufzubringen. Damit sei die Grundlage für Computerchips mit einer sehr großen Speicherdichte geschaffen, so die Forscher.

Mit einer Datenrate von 533 Megabit/s schneller als aktuelles DDR-SDRAM. Samsung Electronics hat eigenen Aussagen zufolge den ersten DDR-II-Speicher gefertigt, der dem im März 2002 verabschiedeten JEDEC-Standard für diesen neuen Speichertypus gerecht werden soll. Samsungs 512-Megabit-DDR-II-SDRAM benötigt nur 1,8 Volt und soll eine Datenrate von 533 Megabit pro Sekunde bieten.

Mit und ohne ECC erhältlich. Der namhafte Speicherhersteller Kingston Technology liefert ab sofort 1066-MHz-RIMM-Module aus, der für die neuen Pentium-4-PCs mit 533-MHz-Systembus (133 MHz Quad-Pumped) prädestiniert ist.

Billigmodule im Hynix-Pelz. Der Halbleiterhersteller Hynix Semiconductor warnt vor gefälschten 128-MByte-PC133-SDRAM-Modulen, die zwar als Hynix-Markenmodule gekennzeichnet sind, in Wahrheit jedoch Billig-Speichermodule von niedriger Qualität sein sollen.

DDR400-SDRAM-Module mit 128 und 256 MByte verfügbar. Samsung hat - laut eigenen Angaben als erster Hersteller - mit der Auslieferung von ersten DDR400-SDRAM-Modulen in großen Stückzahlen begonnen. Vorerst liefert Samsung 128-MByte- und 256-MByte-DDR400/PC3200-Module aus.

Sharp lizenziert neue Speichertechnologie der University of Houston. Schnelle, nichtflüchtige Speicher könnten in Zukunft das Hoch- und Runterfahren von Rechnern überflüssig machen. Eine entsprechende, von der University of Houston (UH) entwickelte und erstmals im November 2001 der Öffentlichkeit vorgestellte Speichertechnologie wurde nun von der amerikanischen Sharp-Tochter Sharp Laboratories of America exklusiv lizenziert.

Kompakter Speicher mit 1,25 Zoll Bauhöhe. Der Hardwarehersteller Transcend hat sein Angebot an Notebook-Speicherlösungen um ein nur 1,25 Zoll hohes DDR266/PC2100 SO-DIMM mit einer Kapazität von 512 MByte erweitert.