RAM

Update behebt weitere Fehler im Tungsten T5. Kurz nachdem palmOne endlich einen Patch für den Treo 650 veröffentlicht hatte, womit das Speicherschwund-Problem behoben wurde, ist nun auch ein entsprechender Patch für den Tungsten T5 erschienen. Damit steht dem Anwender nun auch im Tungsten T5 mehr Speicher als bislang zur Verfügung.

Treo-650-Update aktualisiert E-Mail-Client und bringt verbesserte Sprachqualität. Lange mussten sich Käufer eines Treo 650 gedulden - aber nach einer Wartezeit von mehr als einem halben Jahr hat palmOne endlich einen Patch veröffentlicht, um das leidige Speicherschwund-Problem im Treo 650 zu lösen. Ein nun für den Treo 650 verfügbarer Patch reduziert dazu die Blockgröße von bisher 512 Byte auf nun 32 Byte. Zudem liefert das Update einige weitere Verbesserungen.

Technik verspricht schnellen, nicht flüchtigen Speicher mit hoher Datendichte. Infineon, IBM und Macronix wollen mit einer gemeinsame Forschungsinitiative das Potenzial von Phase Change Memory (PCM) als Computer-Speichertechnologie untersuchen. Noch steht die Entwicklung der nicht flüchtigen Speichertechnik aber am Anfang.

Infineon bietet DDR2-400-DIMM mit 8 GByte an. Infineon wartet mit neuen DDR2-Speichermodulen für High-End-PCs und Server auf. Diese basieren auf der DRAM-Trench-Technik und benötigen im Vergleich zu DRAMs in Stack-Technik eine geringere Spannung für die Speicherung von elektrischen Ladungen.

Bisher schnellster DDR2-Speicher bereits lieferbar. Der Speicherhersteller Kingston hat mit der Auslieferung kleiner Stückzahlen von besonders schnellen DDR2-SDRAM-Modulen mit 750 MHz Speichertakt begonnen. Einen entsprechend hohen Systembustakt hat bis dato noch kein Prozessor, um die neuen "HyperX DDR2 PC2-6000" getauften Module auch synchron ansteuern zu können.

Außerdem: GDDR3 für Grafikkarten und 1GB-Micro-DIMMs. Auf Basis seiner "Dual-Die"-Technologie hat Infineon die ersten Muster von SO-DIMMs gefertigt, die eine Gesamtkapazität von 2 GByte bieten. Außerdem stellte das Unternehmen neue GDDR3-Speicher für Grafikkarten vor.

Massenproduktion ab Mai 2005. Die Weiterentwicklung von DDR2-Speichern kommt langsam in Schwung. Noch bevor die ersten Chipsätze für DDR2-667 verfügbar sind, will Elpida die Massenfertigung von Bausteinen nach DDR2-800 beginnen.

Phase-Change-Speicher auf Silizium-Chips. Philips meldet einen Erfolg in der Erforschung neuer Speichertypen. Ähnlich einer wiederbeschreibbaren DVD wird dabei ein Kunststoff-Film auf einen Halbleiter aufgebracht, der sich per Phase-Change beschreiben lässt.

Intel stellt Entwicklung von Polymerspeichern ein. Der Speicher- und Prozessorhersteller Intel fährt seine Entwicklungsaktivitäten im Bereich von Polymerspeichern laut Opticom zurück.

Hynix, Infineon, Inotera und Nanya verletzen angeblich Patente. Rambus hat erneut Klagen gegen Speicherhersteller eingereicht. Diesmal geht es um Patentverletzungen bei DDR2-Speicher sowie dem speziellen Grafikkarten-Speicher GDDR2 und GDDR3 durch Hynix, Infineon, Inotera und Naya.

Crucial liefert leuchtendes DDR500-SDRAM "Ballistix Tracer". Wer gerne durch sein Gehäusefenster ins Rechnerinnere guckt und sich ärgert, dass darin nicht alles leuchtet, für den verspricht die Micron-Tochter Crucial nun die Erlösung: Die Ballistix Tracer genannten DDR500-SDRAM-DIMMs für High-End-PCs zählen zu den ersten mit LED bestückten Speicherriegeln, bei denen die LEDs zudem bei Aktivität blinken.

Upgrade soll Speicherschwund verringern; palmOne verteilt kostenlose SD-Card. Kurze Zeit nachdem die PalmOS-Smartphones Treo 650 in den USA erhältlich waren, hat sich eine hitzige Debatte um den internen Speicher von 22 MByte entwickelt, weil dieser Wert in der Praxis deutlich darunter liegt. Der Hersteller palmOne hat darauf nun reagiert und stellt ein Upgrade des Betriebssystems in Aussicht, um den Speicherschwund weniger groß ausfallen zu lassen. In diesem Zuge machte palmOne erstmals Angaben zur Arbeitsweise des neuen Speichertyps.

Nutzbarer Speicher im Treo 650 nur bei rund 16 MByte statt erwarteter 22 MByte. In den USA wurden Modelle vom PalmOS-Smartphone Treo 650 ausgeliefert und erste Erfahrungsberichte zeigen eine Schwachstelle von palmOnes neuem Top-Modell, die zunächst gar nicht als solche erkannt wurde. Obgleich der Treo 650 mit einem nutzbaren Speicher von 22 MByte Speicher im Vergleich zu aktuellen PDAs schon nicht gerade üppig bestückt ist, verringert sich dieser Wert in der Praxis nochmals dramatisch, so dass deutlich weniger interner Speicher für den Nutzer zur Verfügung steht.

Kunden können eigene Notebooks mit spezieller Software testen. Toshiba startet eine weltweite Austauschaktion von Speichermodulen in Notebooks, da in bestimmten Toshiba-Notebooks fehlerhafte Speichermodule verbaut wurden. Die betreffenden Komponenten verursachen unter bestimmten Umständen und in Kombination mit anderen Komponenten Bluescreens, Systemabstürze und Speicherfehler.

MegaSIM mit bis zu 256 MByte Speicher angekündigt. Nach dem Willen von M-Systems werden SIM-Karten für Mobiltelefone künftig mit Flash-Speicher bestückt sein. Mit MegaSIM stellt das Unternehmen eine SIM-Karte mit bis zu 256 MByte Speicher vor, die künftig den Einsatz von Speicherkarten in Mobiltelefonen überflüssig macht.

Alte Technik wird durch Nanotechnologie neu belebt. Ein Forscherteam an der Universität Boston hat unter Leitung von Professor Pritiraj Mohanty ein mechanisches Speichersystem entwickelt, das schneller und besser sein soll als die heute verwendeten Speicherchips. Der Stromverbrauch der mechanischen Miniatur-Schalter aus Silizium soll dabei rund eine Million Mal geringer sein als bei aktuellen Systemen.

Schneller Speicher speziell für Spiele-PCs der Oberklasse. Der kanadische Speicheranbieter Corsair hat ein DDR400-Speichermodul mit Produktnamen "XMS 3200 speed" vorgestellt, das sich durch eine kurze CAS-Latency von 2 Zyklen bei einer Kapazität von 1 GByte auszeichnet. Das XMS 3200 speed soll das bisher schnellste 1-GByte-Modul seiner Art sein.

Schneller Speicher für Server soll 2005 erhältlich sein. Infineon hat jetzt einen ersten AMB-Testchip (Advanced Memory Buffer) für die nächste Generation von Server-Speichermodulen auf Basis von DDR2 erfolgreich getestet. Der AMB ist die zentrale Komponente für vollständig gepufferte (Fully Buffered) Speichermodule (FB-DIMMs), die künftig als Standard-Speicher in Servern zum Einsatz kommen sollen.

"Mezzanine Connector" mit 214 Pins. Infineon hat mit dem DDR2-Micro-DIMM (Dual-Inline Memory Module) ein Speichermodul speziell für Sub-Notebooks vorgestellt. Das neue, den Spezifikationen des Jedec-Konsortiums entsprechende Miniatur-Speichermodul belegt bei gleicher Speicherkapazität nur etwa 65 Prozent des Platzbedarfes eines herkömmlichen SO-DIMMs (Small Outline - DIMM).

Nur zwei Hersteller sollen Intels Übertaktungsschutz bisher überlistet haben. Wenn schon in wenigen Wochen DDR2-Speicher mit 667 MHz (166 MHz x 4) auf den Markt kommen, werden die meisten neuen Grantsdale- und Alderwood-Mainboards nur DDR2-533-Speicher ausnutzen können. Laut Toms Hardware hat Intel die Chipsätze mit einem Übertaktungsschutz für den Systembus versehen.

DDR2-SO-DIMMs mit bis zu einem GByte Kapazität. Infineon kündigte heute einige neue Speicherprodukte für mobile Anwendungen wie Notebooks, Handys und PDAs an, darunter 1-GByte-SO-DIMMs vom Typ DDR2-400 und DDR2-533 auf Basis von 512-MBit-DDR2-Einzelchips.

Auslieferung soll bereits begonnen haben. Der Schweizer Hersteller Swissbit hat neue kompakte DDR-SDRAMs im SO-DIMM-Format und mit Fehlerkorrektur (ECC) angekündigt, die nicht nur für den Einsatz in Notebooks, sondern auch für industrielle Anwendungen geeignet sein sollen. Dabei schafft es Swissbit, beim Speichermodul "Mars" ein Gigabyte in der gebräuchlichen Bauhöhe von 3,175 cm bzw. 1,25 Inch unterzubringen.

Anhaltender Bedarf nur bei Lieferverträgen, Flaute im Spot-Markt. Durch die künstliche Verknappung von Speicherbausteinen haben die DRAM-Hersteller offenbar nur kurzfristig einen deutlichen Preisanstieg erzielen können. Laut den Speichermarkt-Analysten von DRAMeXchange haben sie damit aber die Nachfrage schon vor den traditionell schwachen Sommermonaten nach unten getrieben.

Laut Hersteller auch für Apples PowerMacs geeignet. Der Schweizer Speicherhersteller Swissbit Group liefert das nach eigenen Angaben weltweit erste 2-GByte-DDR-SO-DIMM für PC-Notebooks und Apples Powerbooks. Seinen Einsatz finden soll das neue Modul in Geräten, die für Grafikverarbeitung oder auch Spiele genutzt werden.

Werk in Richmond soll mit 300-mm-Technik ausgestattet werden. Infineon will die Kapazität seines Halbleiterwerks in Richmond (USA) erweitern. Dazu sollen in einer ersten Phase Systeme für die Fertigung modernster DRAM-Chips auf 300-mm-Wafern installiert werden, so dass die Produktion ab Anfang 2005 beginnen kann. Die Investitionen belaufen sich dabei insgesamt auf rund eine Milliarde US-Dollar.

Für den Einsatz etwa in Blade-Servern gedacht. Infineon Technologies kann die ersten Muster seines 2-GByte-DDR2-DIMMs in planarer Bauform ausliefern, nur bei den 4-GByte-Modulen des Herstellers müssen die Chips aus Platzgründen noch gestapelt werden. Besonders für den Einsatz in flachen Blade-Servern sollen die neuen Speichermodule interessant sein.

Passende Mainboards für neuen Pentium 4 sollen im 2. Quartal 2004 kommen. Die Micron-Tochter Crucial will nun auch in Europa DDR2-SDRAMs liefern können. Nur die passenden Mainboards gibt es noch nicht.

DRAMeXchange erwartet für 2004 neues Preishoch. Ende März 2004 prophezeite DRAMeXchange eine Preisbewegung im Speichermarkt, die Anfang April nun auch eingetroffen ist. Im Spot-Markt wurden etwa DDR256-SDRAMs zwischen 30. März und 6. April um 22 bis 23 Prozent teurer, selbst bei langfristigen Lieferverträgen stiegen die Preise um 10 Prozent. Aus Sorge vor weiteren Preiserhöhungen sowie für das zweite Halbjahr 04 erwarteten Engpässen sollen PC-Hersteller, Modul-Hersteller und Channel-Marketer zwecks Inventar-Aufbaus bereits in Kaufrausch verfallen sein.

Künstliche Verknappung des DRAM-Angebots seit Mitte März 2004. Im Einzelhandel sind die Speicherpreise etwa Mitte März 2004 merklich gestiegen, so kosten mittlerweile 256-MByte-DDR-SDRAM-Module etwa 10 Euro mehr als noch Anfang des Monats. Auslöser sind laut dem Speichermarkt-Analysten von DRAMeXchange unter anderem durch künstliche Verknappung steigende Preise auf dem Spot-Markt.

DDR2 verspricht geringeren Stromverbrauch und weniger Abwärme. Kingston will auf der CeBIT seine ersten DDR2-Speichermodule zeigen. Kingston plant, 400- und 533-MHz-DDR2-Registered-DIMMs, Unbuffered DIMMs und SODIMMs mit Kapazitäten bis zu 1 GByte anzubieten.

DDR-Speicher mit 550 MHz als Alternative zu DDR2-Speicher. Der Speicherhersteller Hynix hat die Entwicklung von DDR SDRAM mit 550 MHz abgeschlossen und will ab April entsprechende DDR550-Module ausliefern.

"Graphics Double Data Rate 3" als Erstes für Nvidias Grafikchip-Mittelklasse. Nvidia will nicht erst mit seiner künftigen und aller Voraussicht nach verspäteten Grafikchip-Generation (Codenamen "NV40") auf das für Grafikkarten optimierte DDR2-Speicher-Derivat "Graphics Double Data Rate 3" (GDDR-3) setzen. Erstmals soll der potenziell schnellere Speicher in naher Zukunft auf GeForceFX-5700-Ultra-Grafikkarten mit 128 MByte zum Einsatz kommen.

Größere Speicherkapazitäten für Server und Workstations. Micron hat die ersten vier Gigabyte fassenden DDR2-Registered-Dual-In-Line-Memory-Module (RDIMM) an Intel zur Bemusterung ausgeliefert.

Bis zu 192 GByte Hauptspeicher und 40 GByte/s. Intel hat auf seiner Hausmesse IDF Pläne für eine neue Speicher-Verbindungstechnik vorgestellt. Wie schon vorab bekannt wurde, wird die FB-DIMM getaufte Technik zusammen mit anderen Industriepartnern entwickelt und soll im Vergleich zur herkömmlichen "Stub-Bus-Architektur" deutlich höhere Bandbreiten und Speicherkapazitäten erlauben.

Im Test bis zu 3,6 GBit/s pro Pin übertragen. Intel arbeitet an einem neue6n schnellen Verbindungsschema für DRAM, berichtet die US-Site EETimes. Die neue Technik soll sich zusammen mit DDR- und DDR2-Speicherchips nutzen lassen, aber höhere Kapazitäten und Geschwindigkeiten erlauben.

Einmalspeicher soll 1 GByte Daten in einem Kubikzentimeter unterbringen. Ingenieure der Princeton Universität und von Hewlett-Packard haben eine neue Materialkombination entwickelt, die zu billigeren und extrem kompakten Speichergeräten führen könnte. Dies könne die Grundlage für eine einmal beschreibbare Speicherkarte darstellen, die Daten permanent speichert und dabei schneller sowie einfacher zu verwenden ist als eine CD. Da die Geräte ohne bewegliche Teile auskommen, könnten die Laufwerke recht klein ausfallen.

SiSR659 mit dynamischem Look-Ahead-Buffer und "Adaptive Page Management". Ein neuer Pentium-4-Chipsatz von Silicon Integrated Systems (SiS) soll die Dual-Channel-DDR-Konkurrenz bei der verfügbaren Speicherbandbreite um 50 Prozent überflügeln, verspricht zumindest der Hersteller. Möglich sei dies durch den Einsatz von 4-Kanal-1200-MHz-RDRAMs und einige Tricks der Chipsatzentwickler.

Nicht flüchtiger Speicher in 0,18-Mikron-Technologie gefertigt. Motorola hat nach eigenen Angaben die ersten MRAM-Chips mit 4 MBit produziert, die nun von ausgewählten Kunden evaluiert wurden. Der Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) soll aktuelle Speichertechnologien ablösen, verspricht die MRAM-Technologie doch schnelle und haltbare, nicht flüchtige Speicher.

Kompakter Baustein kombiniert Arbeitsspeicher und Code-Ausführung. Intel stellte auf dem Intel Developer Forum in Taipeh das so genannte StrataFlash Wireless Memory System vor, welches Arbeitsspeicher, Code-Ausführung und Datenspeicherung in einem Baustein vereint, der besonders kostengünstig sein soll. Damit sollen Hersteller von künftigen Handys preisgünstig besonders kompakte Geräte fertigen können.

1-Gigabit-DDR2-533-Komponenten sollen ab Anfang 2004 produziert werden. Speicherhersteller Elpida gab jetzt die Entwicklung von 1-Gigabit-DDR2-SDRAM-Komponenten bekannt, die mit 533 Megabits pro Sekunde (Mbps) laufen und in einem 0,10-Mikron-Prozess gefertigt werden. Laut Elpida handelt es sich dabei um den derzeit schnellsten Speicher in höchster Dichte, der für den Einsatz als Hauptspeicher in Servern, Workstations, Desktop-PCs und Notebooks vorgesehen ist.

Micron soll Finanzmittel zur Produktion von DDR2-Speicher nutzen. Prozessorhersteller Intel investiert 450 Millionen US-Dollar in den Speicherhersteller Micron Technology und erhält im Gegenzug rund 5,3 Prozent Anteile an Micron. Mit dem Geld soll Micron zum einen den Umstieg auf 300-mm-Wafer finanzieren, zum anderen aber auch die Produktion von DDR2-Speicher erhöhen.

Zweimal 512 MByte Registered DDR400/PC3200-SDRAM im Paket. Nachdem Registered-DIMMs aus DDR400-SDRAM-Chips bis jetzt nicht von der JEDEC spezifiziert sind, gibt es auch nach der gestrigen Einführung des Athlon64-Top-Modells Athlon64 FX-51 nur wenige passende Speichermodule. Der Speicherhersteller Kingston Technology will dies nun etwas lindern, kündigte aber auch nur eine begrenzte Verfügbarkeit von gepufferten DDR400/PC3200-Speicher-Modulen für Hersteller und PC-Bastler an.

Samsung: DDR2-533 wird 2004 zum Standard-Speicher. Geht es nach Intel und diversen Speicherherstellern, so soll ab Anfang 2004 DDR2 die aktuelle DDR-Speichergeneration ablösen. DDR2 verspricht eine höhere Performance als DDR-333 und soll dabei die Probleme von DDR-400 in Sachen Strombedarf, Wärmeentwicklung und Kapazitäten umgehen.