Samsung fertigt erstes 512-Megabit-DDR-II-SDRAM

Mit einer Datenrate von 533 Megabit/s schneller als aktuelles DDR-SDRAM

Samsung Electronics hat eigenen Aussagen zufolge den ersten DDR-II-Speicher gefertigt, der dem im März 2002 verabschiedeten JEDEC-Standard für diesen neuen Speichertypus gerecht werden soll. Samsungs 512-Megabit-DDR-II-SDRAM benötigt nur 1,8 Volt und soll eine Datenrate von 533 Megabit pro Sekunde bieten.

Artikel veröffentlicht am 28. Mai 2002, 16:30 Uhr, Christian Klaß

Laut Hersteller soll die Datenrate auf bis zu 667 Mbps für Netzwerke und spezielle Anforderungen gesteigert werden können. Aktuelles DDR-SDRAM bietet Samsung mit Datenraten von knapp über 333 Mbps an. Laut Samsung zeige der funktionsfähige DDR-II-Speicher, dass die neue Speichertechnik sehr zuverlässig ist. Der Hersteller erwartet, dass DDR-II die nächste Mainstream-DRAM-Technik für Hochgeschwindigkeitssysteme werden wird.

Muster der Speicherchips sind bereits erhältlich, die kommerzielle Produktion der neuen 512-Megabit-DDR-II SDRAM-Chips soll allerdings erst im dritten Quartal 2003 beginnen. Samsung hat sich vorgenommen, schon vorher, nämlich in diesem Jahr, den eigenen Marktanteil im weltweiten DDR-DRAM-Markt auf über 50 Prozent zu steigern. Den ersten DDR-II-Prototypen mit einer Kapazität von 128 Megabit und einer Spannungsversorgung von 2,5 Volt hatte Samsung bereits im März 2001 präsentiert und dessen Funktionsfähigkeit gemeinsam mit IBM evaluiert.