Samsung fertigt erstes 512-Megabit-DDR-II-SDRAM

Mit einer Datenrate von 533 Megabit/s schneller als aktuelles DDR-SDRAM

Samsung Electronics hat eigenen Aussagen zufolge den ersten DDR-II-Speicher gefertigt, der dem im März 2002 verabschiedeten JEDEC-Standard für diesen neuen Speichertypus gerecht werden soll. Samsungs 512-Megabit-DDR-II-SDRAM benötigt nur 1,8 Volt und soll eine Datenrate von 533 Megabit pro Sekunde bieten.

Laut Hersteller soll die Datenrate auf bis zu 667 Mbps für Netzwerke und spezielle Anforderungen gesteigert werden können. Aktuelles DDR-SDRAM bietet Samsung mit Datenraten von knapp über 333 Mbps an. Laut Samsung zeige der funktionsfähige DDR-II-Speicher, dass die neue Speichertechnik sehr zuverlässig ist. Der Hersteller erwartet, dass DDR-II die nächste Mainstream-DRAM-Technik für Hochgeschwindigkeitssysteme werden wird.

Muster der Speicherchips sind bereits erhältlich, die kommerzielle Produktion der neuen 512-Megabit-DDR-II SDRAM-Chips soll allerdings erst im dritten Quartal 2003 beginnen. Samsung hat sich vorgenommen, schon vorher, nämlich in diesem Jahr, den eigenen Marktanteil im weltweiten DDR-DRAM-Markt auf über 50 Prozent zu steigern. Den ersten DDR-II-Prototypen mit einer Kapazität von 128 Megabit und einer Spannungsversorgung von 2,5 Volt hatte Samsung bereits im März 2001 präsentiert und dessen Funktionsfähigkeit gemeinsam mit IBM evaluiert.