Infineon bringt Muster von 1- und 2-GByte-DDR-SDRAM-Modulen
Die Speichermodule sollen industrieweit die ersten sein, die auf 512-Mbit-Singlechip-ICs basieren. Damit werde eine bessere Signalintegrität, geringere Leistungsaufnahme und höhere Zuverlässigkeit erreicht, so Infineon. Hingegen sollen herkömmliche Modul-Lösungen mit Speichern aufgebaut sein, die zwei Chips in einem Gehäuse integrieren.
Das ungepufferte 1-GByte-DIMM ist aus 18 Chips mit je 512 Mbit aufgebaut und zu 64 M x 8 konfiguriert. Das 2-GByte-DIMM in Register-Ausführung nutzt 36 der 512-Mbit-Chips und ist zu 256 M x 4 organisiert. Damit kann auch der Weiterbetrieb bei Ausfall eines Chips ("Chip-Kill") gewährleistet werden, was in neuen Speichersystemen gefordert wird. Die 1-GByte-Speichermodule sind für Hochleistungs-PCs und Workstations ausgelegt, während die 2-GByte-DIMMs auf Hauptspeicher-Anwendungen in Workstation- und Server-Umgebungen zielen.
Beide Speichermodule arbeiten mit einer 2,5-Volt-Versorgung, sind in einem 184-poligen Modul untergebracht und in den Geschwindigkeitsklassen PC1600 (DDR200) und PC2100 (DDR266) verfügbar. Die 2-GByte-Speichermodule wurden erstmals im vergangenen Monat im Rahmen des Intel Developer Forum (IDF) präsentiert und werden auch auf der gerade stattfindenden Halbleiterkonferenz JEDEX in Santa Clara gezeigt.
Entwicklungsmuster der 1-GByte-Module sind laut Infineon ab sofort zu einem Preis von 1.900,- US-Dollar verfügbar. Muster der 2-GByte-Module sollen für qualifizierte Kunden ab April zu einem Preis von 3.900,- US-Dollar zur Verfügung stehen. Ab wann und für welchen Preis OEMs mit entsprechenden Modulen auf den Markt kommen werden, bleibt abzuwarten. Infineon-Sprecher Ralph Heinrich wollte dazu keine Spekulationen abgeben.