Fujitsu und Ramtron entwickeln 0,35-Micron-FRAM-Prozess

Produktion wird im japanischen Iwate aufgebaut. Ramtron und Fujitsu haben ihre zweijährige Entwicklung an einem Produktionsprozess für einen in Embedded Systems und anderen Anwendungen verwendbaren FRAM-Speicher abgeschlossen.

14. August 2001 um 09:26 Uhr / Andreas Donath

Das im 0,35-Micron-Prozess geplante und mit einer Betriebsspannung von 3 V betriebene FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) wird künftig in der japanischen Fujitsufabrik in Iwate hergestellt. Die Produktionsaufnahme soll noch in der zweiten Jahreshälfte 2001 beginnen.

Fujitsu und Ramtron haben schon 1996 begonnen, miteinander im Bereich FRAM zu arbeiten und haben dazu Entwicklungs- und Lizenzpartnerschaften geschlossen. Seitdem entstanden Prototypen wie der erste 1-Megabit-FRAM-Baustein und ein Mikrokontroller mit 64 Kilobits mit integrierten FRAM. Fujitsu stellt beispielsweise auch einen Großteil der FRAM-Produktpalette von Ramtron her, die im 0,5-Mikron-Prozess mit Kapazitäten zwischen 16 und 256 Kilobit erhältlich ist.

FRAM wird beispielsweise in Smartcards, der Industrieautomation, in Laserdruckern, Sicherheitssystemen und anderen Bereichen verwendet, in denen Daten ohne dauerhafte Stromversorgung (nicht-flüchtig) gespeichert werden müssen.