Infineon sichert sich Speicherkapazitäten in Taiwan

Gespräche mit Winbond und Mosel Vitelic erfolgreich abgeschlossen. Infineon hat die Gespräche mit den taiwanischen Halbleiter-Herstellern Winbond Electronics und Mosel Vitelic, beide mit Hauptsitz in Hsinchu, erfolgreich abgeschlossen. Um seine Position im Markt für Speicherchips weiter auszubauen, hat Infineon ein unverbindliches Memorandum of Understanding mit Winbond und Verträge mit Mosel Vitelic unterzeichnet. Damit wird Infineon die Gesamtkapazität für die Produktion von DRAM-Chips um monatlich über 20.000 Waferstarts steigern.

12. März 2002 um 09:26 Uhr / Andreas Donath

Im Rahmen der Vereinbarung mit Winbond will Infineon seine DRAM-Trench-Technologie an Winbond lizenzieren und ab dem Jahr 2003 das exklusive Abnahmerecht für die Standard-Speicherchips erhalten, die mit dieser Technologie hergestellt werden. Im Rahmen des Abkommens mit Mosel Vitelic erhöht Infineon mit Wirkung zum 1. März 2002 seinen Anteil an der Produktion des Joint Ventures ProMOS Technologies von 38 auf 48 Prozent.

"Mit diesen Kooperationen setzen wir unser Vorhaben konsequent um, die Geschäftsbeziehungen mit taiwanischen Partnern auszubauen. Dies ist für uns ein wichtiger Schritt, um uns für den nächsten Marktaufschwung weiter zu rüsten" , kommentierte Dr. Ulrich Schumacher, Vorstandsvorsitzender von Infineon Technologies. "Die Erhöhung unserer Produktionskapazitäten und der Ausbau unserer Technologie- und Kostenführerschaft wird unsere weltweite Marktposition zusätzlich stärken."

Auf Basis der lizenzierten Technologie von Infineon will Winbond Standard-DRAM-Produkte für den ausschließlichen Verkauf an Infineon produzieren. Zudem wird der Halbleiter-Hersteller unter Einsatz der DRAM-Technologie von Infineon auch eigene Produkte entwickeln und vertreiben. Für diese wird Infineon Lizenzgebühren von Winbond erhalten. Winbond rüstet seine DRAM-Produktionsstätten in Hsinchu auf die 0,11-Micron-Technologie von Infineon um, womit ein weiterer Kostenvorteil pro Chip erzielt werden soll.

Abhängig von der Marktlage geht Infineon derzeit davon aus, dass Winbond die Produktion mit 256-MBit-DDR-Speicherchips beginnen und später eventuell auf 512-MBit-Bausteine umsteigen wird. Im Jahr 1996 gründeten Infineon (vormals Siemens Halbleiter) und Mosel Vitelic das Joint Venture ProMOS für die Herstellung von DRAM-Chips in Hsinchu in Taiwan. Seither hat Infineon verschiedene Technologietransfer-Abkommen mit ProMOS abgeschlossen, beispielsweise für die 300-mm-Technologie und für verschiedene Generationen von Produktions-Prozesstechnologien.