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Neue Übertakter-Module für Nvidias 680i-Chipsatz. Mit einem nach eigenen Angaben neuen Rekord für den Takt bei PC-Speichern macht Corsair auf sich aufmerksam. Neue DDR2-Module aus der Serie "Dominator" sollen garantiert effektive 1.142 MHz erreichen, etliche davon auch 1.200 MHz.

Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 10,5 MByte pro Sekunde. Kingmax stellt die nach eigenen Angaben erste 1 GByte große microSD-Speicherkarte vor, die auf Single-Level-Cell (SLC) setzt. Sie soll eine Lesegeschwindigkeit von bis zu 10,5 MByte pro Sekunde und eine Schreibgeschwindigkeit von maximal 8,9 MByte pro Sekunde erreichen. Damit bleibt sie allerdings hinter normalen SD-Karten zurück, die auf Geschwindigkeiten von bis zu 22,5 MByte pro Sekunde kommen sollen.

Vorsicht: Nicht alle Mobiltelefone verarbeiten 2-GByte-Speicherkarten. SanDisk hat eine Micro-SD-Karte mit 2 GByte Speicherplatz vorgestellt. Damit übertrumpft der Flash-Speicher-Spezialist den Elektronikkonzern Toshiba, der erst kürzlich eine Micro-SD-Karte mit bis zu 1 GByte Kapazität angekündigt hatte. Ebenbürtig hält sich dagegen Samsung mit seiner kleinen MultiMediaCard (MMCmicro) mit ebenfalls 2 GByte Datenspeicher.

Alternative zu Flash-Bausteinen endlich lieferbar. Nach über sechs Jahren Entwicklung des "Magnetoresistive Random Access Memory" (MRAM) hat der Motorola-Ableger Freescale jetzt die Massenproduktion des ersten MRAM-Bausteins in herkömmlicher Chip-Verpackung gestartet.

33 Prozent mehr Leistung und 45 weniger Energiebedarf als GDDR3. Samsung hat nun mit der Produktion von GDDR4-Grafikspeichern begonnen, mit denen künftige Grafikkarten noch deutlich mehr Leistung erzielen können sollen. Im Vergleich zu GDDR3-Speicher verspricht Samsung einen um 33 Prozent gestiegenen Datendurchsatz. Noch 2006 sollen GDDR4-bestückte Grafikkarten erscheinen.

SO-DIMMs gehen an ATI zur Chipsatzentwicklung. Der Infineon-Ableger Qimonda hat die nach eigenen Angaben weltweit ersten SO-DIMMs mit DDR3-Speicher hergestellt. Das Unternehmen will die Speichermodule für Notebooks nun an ATI in Muster-Stückzahlen liefern, um die Entwicklung von Chipsätzen anzukurbeln.

Investition von rund 500 Millionen Euro geplant. Rund 500 Millionen Euro will Samsung in den Bau einer neuen Produktionsstätte für Speicherchips in Südkorea investieren, berichtet das Wall Street Journal. Samsung reagiere damit auf die steigende Nachfrage.

DDR2-800-Module mit CAS Latency 3.0. Für Tuning-Freaks und Anwender, die das Letzte aus ihrem PC herausholen wollen, hat Corsair jetzt das nach eigenen Angaben weltweit erste DDR2-Modul mit einem effektiven Takt von 800 MHz und besonders geringen Latenzen vorgestellt.

DataCard mit bis zu 2 GByte ist zwei Millimeter dick. Mit der DataCard stellt Freecom einen neuen USB-Speicher im Kreditkartenformat vor. Ein USB-Anschluss ist direkt in die zwei Millimeter dicke und mit bis zu 2 GByte Speicher verfügbare Karte integriert. Zudem ist eine Sicherheitssoftware vorinstalliert.

AMD darf DDR2, DDR3, FB-DIMM, PCI Express und XDR nutzen. AMD hat mit Rambus einen Patent-Lizenzvertrag geschlossen, wonach das Unternehmen die Techologien DDR2, DDR3, FB-DIMM, PCI-Express und XDR fünf Jahre lang nutzen darf. AMD zahlt dafür 75 Millionen US-Dollar.

Massenproduktion soll Anfang 2006 starten. Nach Samsung hat nun auch Hynix die baldige Auslieferung von GDDR4-Mustern verkündet, die allerdings noch etwas schneller sein sollen. GDDR4-DRAM soll zumindest auf High-End-Grafikkarten ab 2006 für eine deutlich schnellere Datenverarbeitung sorgen.

Vorauszahlung von 1,25 Milliarden US-Dollar. Angesichts des steigenden Flash-Speicher-Bedarfs durch den iPod Nano hat sich Apple nun die langfristige Lieferung von NAND-Speicher gesichert. Insgesamt fünf Hersteller werden Apple bis 2010 beliefern.

Deutlich schneller als aktueller GDDR3-Speicher. Ab 2006 sollen die ersten Grafikkarten mit GDDR4-Speicher auf den Markt kommen und damit eine deutlich höhere Leistung erzielen können. Samsung will Partnern bereits erste Muster des neuen Grafikspeicher-Typs zwecks Tests geliefert haben.

Belgischer Speicher-Hersteller öffnete Vertriebsniederlassung in Ratingen. Der belgische Speicherhersteller Memory Corp N.V. will seine Speichermedien und Flash-Produkte nun auch in Deutschland anbieten, darunter Speicher-Module für Server, Workstations, Router, Computer und Laserdrucker. Zielgruppe des Unternehmens sind Consumer, professionelle Anwender und OEMs.

Hersteller hofft auf weiter steigende Speichernachfrage - und auf Windows Vista. Der koreanische Hersteller Samsung vermeldet, die Entwicklung des ersten per 70-nm-Prozesstechnik gefertigten 512-Megabit-DDR-SDRAMs vollendet zu haben. Bisher sollen Speicherbausteine nur mit größeren Strukturbreiten produziert worden sein.

Daten sollen in dreidimensionalen Netzen gespeichert werden. Forscher am Imperial College London und den Universitäten Durham und Sheffield wollen Daten in Chips dreidimensional speichern und so eine deutlich höhere Datendichte erreichen, als dies mit aktuellen Speicherchips möglich ist. Dabei setzen sie auf ein komplexes Netz, das den Strukturen im menschlichen Gehirn ähneln soll.

1-GByte-Riegel XMS-3500LL Pro soll mit A8N32-SLI Deluxe gut laufen. Mit dem neuen DDR437-Speicherriegel XMS-3500LL Pro will Corsair die ideale Ergänzung zum neuen Asus-SLI-Mainboard A8N32-SLI Deluxe liefern können. Die im Doppelpack angebotenen 1-GByte-Module sind mit 218 MHz getaktet und verfügen über ins SPD einprogrammierte niedrige Latenzzeiten (2-3-2-6-1T).

DDR3 folgt 2007, soll bis zu 1.600 MHz (effektiv) verkraften. Im Rahmen von Intels Entwicklerkonferenz IDF Fall 2005 gab der Chiphersteller Einblick in die Zukunft der DDR2-Speichermodule - auf DDR2 800 muss nicht mehr lange gewartet werden. Eine höhere Speichertaktung soll mit DDR3 folgen, bis zu 800 MHz bzw. effektiv 1.600 MHz sind dann laut Intel möglich.

Flash-Bausteine mit doppelter Kapazität demnächst in hohem Volumen. AMD macht seiner defizitären Tochter Spansion Beine: Das zusammen mit Fujitsu gegründete Joint Venture wird demnächst seine MirrorBit-Bausteine auch beim taiwanesischen Auftragshersteller TSMC fertigen lassen.

Ballistix DDR2-Speicher mit niedrigen Latenzen. Die Micron-Tochter Crucial stellte im Rahmen ihrer Ballistix-Reihe neue DDR2-Speicherriegel vor. Diese zeichnen sich durch hohe Taktfrequenzen bei niedrigen Latenzen aus und dürften so vor allem Overclocker ansprechen.

Update behebt weitere Fehler im Tungsten T5. Kurz nachdem palmOne endlich einen Patch für den Treo 650 veröffentlicht hatte, womit das Speicherschwund-Problem behoben wurde, ist nun auch ein entsprechender Patch für den Tungsten T5 erschienen. Damit steht dem Anwender nun auch im Tungsten T5 mehr Speicher als bislang zur Verfügung.

Treo-650-Update aktualisiert E-Mail-Client und bringt verbesserte Sprachqualität. Lange mussten sich Käufer eines Treo 650 gedulden - aber nach einer Wartezeit von mehr als einem halben Jahr hat palmOne endlich einen Patch veröffentlicht, um das leidige Speicherschwund-Problem im Treo 650 zu lösen. Ein nun für den Treo 650 verfügbarer Patch reduziert dazu die Blockgröße von bisher 512 Byte auf nun 32 Byte. Zudem liefert das Update einige weitere Verbesserungen.

Transferraten von bis zu 29 MByte pro Sekunde. Datentransferraten von bis zu 29 MByte pro Sekunde soll Imations neuer USB-Speicherstick "Swivel Flash Drive" beim Lesen erreichen. Beim Schreiben sind es immerhin noch 24 MByte pro Sekunde.

Kleine Halbleiterstrukturen sollen Herstellungskosten senken. Infineon hat mit der Serienfertigung von DRAMs mit 90-Nanometer-Prozess-Strukturen auf 300-mm-Wafern im Halbleiterwerk in Dresden begonnen. Die 90-Nanometer-Technik wurde gemeinsam mit der Nanya Technology Corporation (NTC) im Dresdner Forschungszentrum von Infineon entwickelt.

Neue Chips starten auch bei minus 40 Grad Celsius. Micron hat mit seiner neuen Produktlinie "Mobile DDR" einen neuen Speichertyp vorgestellt. Die Bausteine sind nicht nur stromsparend und für hohe Packungsdichte geeignet, sondern in der speziellen Industrieausführung auch besonders robust.

Technik verspricht schnellen, nicht flüchtigen Speicher mit hoher Datendichte. Infineon, IBM und Macronix wollen mit einer gemeinsame Forschungsinitiative das Potenzial von Phase Change Memory (PCM) als Computer-Speichertechnologie untersuchen. Noch steht die Entwicklung der nicht flüchtigen Speichertechnik aber am Anfang.

Infineon bietet DDR2-400-DIMM mit 8 GByte an. Infineon wartet mit neuen DDR2-Speichermodulen für High-End-PCs und Server auf. Diese basieren auf der DRAM-Trench-Technik und benötigen im Vergleich zu DRAMs in Stack-Technik eine geringere Spannung für die Speicherung von elektrischen Ladungen.

Bisher schnellster DDR2-Speicher bereits lieferbar. Der Speicherhersteller Kingston hat mit der Auslieferung kleiner Stückzahlen von besonders schnellen DDR2-SDRAM-Modulen mit 750 MHz Speichertakt begonnen. Einen entsprechend hohen Systembustakt hat bis dato noch kein Prozessor, um die neuen "HyperX DDR2 PC2-6000" getauften Module auch synchron ansteuern zu können.

Außerdem: GDDR3 für Grafikkarten und 1GB-Micro-DIMMs. Auf Basis seiner "Dual-Die"-Technologie hat Infineon die ersten Muster von SO-DIMMs gefertigt, die eine Gesamtkapazität von 2 GByte bieten. Außerdem stellte das Unternehmen neue GDDR3-Speicher für Grafikkarten vor.

Massenproduktion ab Mai 2005. Die Weiterentwicklung von DDR2-Speichern kommt langsam in Schwung. Noch bevor die ersten Chipsätze für DDR2-667 verfügbar sind, will Elpida die Massenfertigung von Bausteinen nach DDR2-800 beginnen.

Phase-Change-Speicher auf Silizium-Chips. Philips meldet einen Erfolg in der Erforschung neuer Speichertypen. Ähnlich einer wiederbeschreibbaren DVD wird dabei ein Kunststoff-Film auf einen Halbleiter aufgebracht, der sich per Phase-Change beschreiben lässt.

Fully-Buffered-DIMMs sollen mit Bensley zum Einsatz kommen. Intels künftige Server-Plattform Bensley soll Fully-Buffered-DIMMs (FB-DIMM) nutzen. Um die Entwicklung der neuen Speichermodule, die auf DDR2 aufbauen, anzutreiben, stellte Intel jetzt ein Product Development Kit (PDK) vor.

DDR2-Speicher mit hoher Speicherdichte. Die Halbleiterindustrie sieht doppelt: Noch vor den Dual-Cores für Prozessoren packt jetzt Infineon bei Server-Speicher je zwei Chips auf einen Montageplatz. Das Ergebnis ist das laut Infineon dünnste 4-GByte-Modul.

Erste Produkte für 2006 erwartet. Als erster Hersteller hat Samsung eigenen Angaben zufolge ein DRAM nach DDR3-Standard hergestellt. Der neue Speichertyp soll nicht nur mehr Performance, sondern einen weiter gesenkten Stromverbrauch bringen.

Intel stellt Entwicklung von Polymerspeichern ein. Der Speicher- und Prozessorhersteller Intel fährt seine Entwicklungsaktivitäten im Bereich von Polymerspeichern laut Opticom zurück.

Hynix, Infineon, Inotera und Nanya verletzen angeblich Patente. Rambus hat erneut Klagen gegen Speicherhersteller eingereicht. Diesmal geht es um Patentverletzungen bei DDR2-Speicher sowie dem speziellen Grafikkarten-Speicher GDDR2 und GDDR3 durch Hynix, Infineon, Inotera und Naya.

Crucial liefert leuchtendes DDR500-SDRAM "Ballistix Tracer". Wer gerne durch sein Gehäusefenster ins Rechnerinnere guckt und sich ärgert, dass darin nicht alles leuchtet, für den verspricht die Micron-Tochter Crucial nun die Erlösung: Die Ballistix Tracer genannten DDR500-SDRAM-DIMMs für High-End-PCs zählen zu den ersten mit LED bestückten Speicherriegeln, bei denen die LEDs zudem bei Aktivität blinken.

Upgrade soll Speicherschwund verringern; palmOne verteilt kostenlose SD-Card. Kurze Zeit nachdem die PalmOS-Smartphones Treo 650 in den USA erhältlich waren, hat sich eine hitzige Debatte um den internen Speicher von 22 MByte entwickelt, weil dieser Wert in der Praxis deutlich darunter liegt. Der Hersteller palmOne hat darauf nun reagiert und stellt ein Upgrade des Betriebssystems in Aussicht, um den Speicherschwund weniger groß ausfallen zu lassen. In diesem Zuge machte palmOne erstmals Angaben zur Arbeitsweise des neuen Speichertyps.

Nutzbarer Speicher im Treo 650 nur bei rund 16 MByte statt erwarteter 22 MByte. In den USA wurden Modelle vom PalmOS-Smartphone Treo 650 ausgeliefert und erste Erfahrungsberichte zeigen eine Schwachstelle von palmOnes neuem Top-Modell, die zunächst gar nicht als solche erkannt wurde. Obgleich der Treo 650 mit einem nutzbaren Speicher von 22 MByte Speicher im Vergleich zu aktuellen PDAs schon nicht gerade üppig bestückt ist, verringert sich dieser Wert in der Praxis nochmals dramatisch, so dass deutlich weniger interner Speicher für den Nutzer zur Verfügung steht.

Kunden können eigene Notebooks mit spezieller Software testen. Toshiba startet eine weltweite Austauschaktion von Speichermodulen in Notebooks, da in bestimmten Toshiba-Notebooks fehlerhafte Speichermodule verbaut wurden. Die betreffenden Komponenten verursachen unter bestimmten Umständen und in Kombination mit anderen Komponenten Bluescreens, Systemabstürze und Speicherfehler.

MegaSIM mit bis zu 256 MByte Speicher angekündigt. Nach dem Willen von M-Systems werden SIM-Karten für Mobiltelefone künftig mit Flash-Speicher bestückt sein. Mit MegaSIM stellt das Unternehmen eine SIM-Karte mit bis zu 256 MByte Speicher vor, die künftig den Einsatz von Speicherkarten in Mobiltelefonen überflüssig macht.

Alte Technik wird durch Nanotechnologie neu belebt. Ein Forscherteam an der Universität Boston hat unter Leitung von Professor Pritiraj Mohanty ein mechanisches Speichersystem entwickelt, das schneller und besser sein soll als die heute verwendeten Speicherchips. Der Stromverbrauch der mechanischen Miniatur-Schalter aus Silizium soll dabei rund eine Million Mal geringer sein als bei aktuellen Systemen.

Schneller Speicher speziell für Spiele-PCs der Oberklasse. Der kanadische Speicheranbieter Corsair hat ein DDR400-Speichermodul mit Produktnamen "XMS 3200 speed" vorgestellt, das sich durch eine kurze CAS-Latency von 2 Zyklen bei einer Kapazität von 1 GByte auszeichnet. Das XMS 3200 speed soll das bisher schnellste 1-GByte-Modul seiner Art sein.