SK Hynix hat seinen Produktkatalog mit High Bandwidth Memory mit 4 GByte Kapazität und 2 GHz Takt aktualisiert. Der schnelle Stapelspeicher für Grafikkarten soll ab Herbst ausgeliefert werden.
Der RAM-Hersteller Crucial hat begonnen, NVDIMMs zu verkaufen. Diese kombinieren DDR4- mit Flash-Speicher und einem Superkondensator und sichern Server-Daten bei einem Stromausfall.
Das Oneplus Three hat üppige 6 GByte Arbeitsspeicher, aber offenbar ein sehr aggressives Speichermanagement. Der Chef des Unternehmens verteidigt die Designentscheidung gegen Kritik. Bastler können selbst Hand anlegen.
Von 64 auf 256 MBit und 1 GBit noch dieses Jahr: Everspin hat die Serienfertigung von magnetischem Speicher (ST-MRAM) mit deutlich gesteigerter, nämlich vierfacher Kapazität gestartet.
Eine Strukturbreite kleiner als 20 nm: Samsung hat die Serienfertigung von DDR4-Arbeitsspeicher im sogenannten 10-nm-Class-Verfahren begonnen. Entsprechende Module fassen bis zu 128 GByte.
Der Speicherhersteller Micron hat angefangen, Partner mit GDDR5X-Videospeicher zu beliefern. Verfügbar sind Bausteine mit 1 GByte Kapazität und einer Datenrate von 10 bis 12 GBit pro Sekunde.
Offenbar sind mehr Arbeitsspeicher-Varianten für den Rowhammer-Angriff verwundbar, als bislang gedacht. Forscher haben jetzt einen Angriff auf DDR4-Speicher vorgestellt, auch professionelle Serverspeicher sollen betroffen sein.
Die Serienfertigung soll im Spätsommer 2016 starten: SK Hynix plant HBM2 mit 4 GByte ab dem dritten und mit 8 GByte ab dem vierten Quartal. Der Stapelspeicher soll bei AMDs Polaris- und Nvidias Pascal-Grafikkarten und bei Mittelklasse-Chips verwendet werden.
Das Start-up Xitore hat NVDIMMs angekündigt, die so schnell wie RAM und so groß wie eine SSD sein sollen. Konkret spricht der Hersteller von satten 26 GByte pro Sekunde und immerhin 4 TByte Kapazität.
Alle Jahre wieder: Rambus hat sein Patentabkommen mit AMD erneuert und um fünf Jahre verlängert. Der Prozessorentwickler muss dem Speicherspezialisten jedes Quartal einen Obolus bezahlen.
Höhere Datenrate und mehr Kapazität: Der Videospeicherstandard GDDR5X für Grafikkarten ist offiziell. Neben Erfinder Micron können ihn nun weitere Hersteller produzieren.
Nach der Übernahme durch Dell folgt der Stellenabbau bei dem Speicherhersteller EMC. Dafür plant der Dell-Konzern Ausgaben von 250 Millionen US-Dollar ein und macht ein Geheimnis aus dem Umfang der geplanten Entlassungen.
Insgesamt 144 Dies verteilt auf drei Dutzend Packages: Samsung hat angekündigt, die ersten DDR4-Arbeitsspeichermodule für Server zu produzieren. Die Südkoreaner sind aber nicht die ersten.
Dells wichtigster Geldgeber wollte das Kerngeschäft mit PCs verkaufen, an Hewlett-Packard, Lenovo oder Huawei. Doch dann kam für Silver Lake Partners die Übernahme von EMC, die jetzt wieder gefährdet scheint.
Die neue R-Serie, intern Merlin Falcon genannt, arbeitet als erster AMD-Chip mit DDR4-Arbeitsspeicher zusammen. Die Embedded-Variante von Carrizo ist kleiner und schneller als ihr Vorgänger. Die 4K-tauglichen Chips stecken in Arcade-Automaten.
Wie angekündigt ist die Rekordübernahme von EMC heute offiziell bestätigt worden. Michael Dell wird Chef des neuen Unternehmens. Ein Weiterverkauf von VMware wurde offenbar verworfen.
Dell könnte laut übereinstimmenden Medienberichten den Kauf von EMC noch heute ankündigen. Damit würde sich weltweit die IT-Branche nachhaltig verändern. Und EMC hat eine Sonderklausel vereinbart.
In einem neuen Megadeal plant Dell offenbar den Kauf von EMC. Die Gespräche sollen schon weit fortgeschritten sein. An VMware hat der Konzern jedoch kein Interesse.
Ausblick auf 2017 und 2018: Eine Intel-Roadmap zur Server-Plattform Purley zeigt, dass die Skylake- und Cannonlake-EP-Prozessoren auf sehr schnellen Speicher und eine optische Datenübertragung setzen.
Längere Akkulaufzeit, weniger Ladepausen und besseres Multitasking: Im iPhone 6S und im iPhone 6S Plus stecken zwei GByte RAM, doppelt so viel wie in Apples bisherigen Smartphones. Vorerst unklar bleibt, ob es sich um sparsamen LPDDR4-Speicher handelt.
Mehr Kapazität und besonders schnell: Samsung hat die Serienfertigung von LPDDR4-Arbeitsspeicher gestartet. Jeder Chip sichert 50 Prozent zusätzliche Daten als bisher. Der neue Speicher soll in Smartphones mit 6 GByte Arbeitsspeicher eingesetzt werden.
IDF Zum Jahreswechsel will Intel neue Xeon-Prozessoren vorstellen: Die unter dem Codenamen Broadwell-EP laufenden Chips nutzen schnellen DDR4-2400-Arbeitsspeicher und verfügen über bis zu 24 CPU-Kerne.
Flash Memory Summit 2015 Kaum ist der NVDIMM-Standard verabschiedet, zeigt Diablo ein erstes DDR4-Modul mit Flash-Speicher. Verglichen mit DRAM soll der Memory1 genannte Speicher die vierfache Kapazität aufweisen.
Flash Memory Summit 2015 Micron plant drei überarbeitete oder neue Speichertechnologien für 2016: Künftiges DRAM soll im 1X-nm-Verfahren produziert werden, die ersten 3D-TLC-Flash-Bausteine mit 48 GByte Kapazität in SSDs stecken und es sind auf 3D-Xpoint basierende Produkte geplant.
UpdateFlash Memory Summit 2015 Wie erwartet planen Intel und Micron den neuen 3D-Xpoint-Speicher entweder auf RAM-Riegeln oder auf PCIe-Steckkarten zu verbauen. Diese Produkte werden von Intel als Optane-Techologie vermarket.
Das ist Rekord: Gskills Trident-Z-Arbeitsspeicher läuft mit zwei GHz und damit fast doppelt so flott wie es die offiziellen DDR4-Spezifikationen vorsehen. Die Module sind vor allem für Übertakter gedacht, die sich ein Haswell-EP- oder Skylake-System kaufen möchten.
Schneller als nichtflüchtiger NAND-Speicher und mehr Kapazität als flüchtiger DRAM: 3D Xpoint soll eine Lücke zwischen beiden heutigen Technologien besetzen und neue Anwendungen möglich machen.
Fehlerhaft arbeitende Speicherchips sind möglicherweise ein größeres Sicherheitsrisiko als bisher gedacht. Einem Forscherteam ist es nun gelungen, einen sogenannten Rowhammer-Angriff mittels Javascript durchzuführen. Gegenmaßnahmen sind schwierig.
Die Jedec hat den Standard für NVDIMMs veröffentlicht. Die Speichermodule ermöglichen Hybrid-Arbeitsspeicher mit nichtflüchtigen Speicherzellen. Denkbar sind NAND-Flash und Memristor/ReRAM. Eine neue Bauform ist nicht notwendig, denn die Module verhalten sich wie DDR4-RAM.
Golem.de hat bei großen Root-Server-Anbietern nachgefragt, wie sie mit der Rowhammer-Lücke umgehen. Systeme mit ECC-Speicher sind vermutlich nicht betroffen und manchmal können Bios-Updates Angriffe erschweren.
16 statt 8 GByte auf einem Modul: Intelligent Memory hat den ersten Arbeitsspeicher für Notebooks vorgestellt, der durch Stapeln die Kapazität verdoppelt. Das ist praktisch für AMD- und Broadwell-Geräte mit nur einem SO-DIMM-Steckplatz.
Durch permanente Speicherzugriffe lassen sich bei manchen Arbeitsspeichermodulen Bits umkippen. Dadurch sind verschiedene Angriffe möglich. Der Fehler liegt in der Hardware, ohne einen Austausch der Speichermodule ist der Angriff kaum zu verhindern.
Mindestens ein Webbrowser soll durch die Umsetzung einer Speicherrichtlinie aus OpenBSD abgesichert werden. Dafür bezahlt die Stiftung des Betriebssystems einen Entwickler mit Erfahrung bei Libressl.
Die neuen GDDR5-Speicherbausteine fassen 8 GBit, also 1 GByte pro Chip. Damit könnten Grafikkarten mit doppelt so viel Videospeicher ausgestattet und die Playstation 4 könnte günstiger hergestellt werden.
Samsung hat die Serienfertigung von DDR4-DRAM in der Low-Power-Variante aufgenommen. Damit können 2015 erste Geräte mit den neuen Speichern erscheinen, neue SoCs sind schon darauf vorbereitet.
Die neuen Hashtabellen in PHP reduzieren den Speicherbedarf für Arrays deutlich, was auch die Leistung der Sprache steigert. Die finale Veröffentlichung ist für den Herbst nächsten Jahres geplant.
Eine Reihe kleinerer Fehler im Linux-Kernel erlaubt Zugriff auf den Speicher oder eine Rechteausweitung. Speicherfehler oder ein Absturz können aber ebenso durch Angreifer hervorgerufen werden.
Die Ursache der Absturzprobleme besonders bei der 128-GByte-Version des iPhone 6 Plus sind offenbar die unzuverlässigen TLC-NAND-Speicherbausteine. Auch beim iPad Air 2 gibt es neue Berichte über Hardwareprobleme - allerdings einer ganz anderen Art.
Apples Mac Mini ist bisher nicht nur leicht zu öffnen, sondern vom Anwender auch mit neuem RAM aufrüstbar gewesen. Das ist beim neuen Mac Mini nun beides vorbei, wie die Profibastler von iFixit festgestellt haben.
Bisher ist der maximale Speicherausbau bei DDR4-Systemen wie für Intels Core i7-5960X durch die Größe der Module beschränkt. Samsung will das ändern und hat die Serienproduktion von DRAM-Chips mit 8 Gigabit pro Die aufgenommen.
Als einer der ersten Hersteller hat Samsung die Serienproduktion von Stacked-DDD4-RAM begonnen. Je vier gestapelte Speicherchips sind per TSV-Technik verbunden, ein RDIMM bietet 64 GByte Kapazität.
Für 10 US-Dollar im Monat bekommen Nutzer von Dropbox ab sofort ein Terabyte an Datenspeicher in der Cloud und können eine Reihe neuer Funktionen verwenden.
Ab 2015 werden nicht nur Computer und Notebooks mit DDR4-Speicher ausgeliefert, sondern auch Smartphones und Tablets: Erste Geräte sollen im zweiten Halbjahr auf LPDDR4-RAM setzen, um genug Bandbreite für 4K und Spiele zu liefern.
Daten magnetisch statt elektronisch abzulegen, verspricht dauerhafte und gleichzeitig schnelle Speicher. Weil die Technik nicht vorankommt, wollen französische Forscher nun in einer Zelle gleich Platz für drei Bits schaffen.
Intelligent Memory hat DDR3-Sticks mit 16 GByte vorgestellt, die sich für Spiele-PCs oder Notebooks eignen. Die Unbuffered-Module sind allerdings nicht zu allen Plattformen kompatibel.
In Seoul hat Samsung erste Benchmarks seiner zweiten Generation von SSDs mit dem Protokoll NVMe vorgeführt. Die bisher für Server vorgesehenen Laufwerke lesen deutlich schneller als PC-SSDs mit M.2-Schnittstelle und schreiben etwas langsamer.
