RAM

Auf einer Veranstaltung in Frankfurt hat Samsung erstmals DDR4-Speichermodule mit der maximalen Taktfrequenz des kommenden Standards im Betrieb gezeigt. Die für 2014 erwarteten DRAMs sollen zudem sparsam sein.

Der Python-Interpreter Pypy erhält einen neuen, inkrementellen Garbage-Collector. Dieser soll vor allem wesentlich kürzere Pausen verursachen und Python dadurch auch für Spiele interessanter machen.

Im chinesischen Wuxi hat ein Feuer gleich zwei Fabs des Speicherherstellers Hynix in Flammen aufgehen lassen. Die beiden Fertigungsstätten sind für einen maßgeblichen Anteil der weltweiten Speicherproduktion verantwortlich, die Folgen des Brandes sind noch nicht abzusehen.

Samsung hat nach eigenen Angaben die Massenproduktion von DDR4-Speichern gestartet. Die RAM-Chips werden im 20-Nanometer-Verfahren gefertigt und sollen auf Modulen mit bis zu 1.333 MHz sowie 32 GByte Kapazität in den Handel kommen.

Günstige DDR3-Speichermodule arbeiten heute mit einem effektiven Takt von rund 1.600 MHz. Wer die Grenzen der Technik ausreizt und mit Stickstoff kühlt, kann auch über 4 GHz erreichen. Einen neuen Rekord dabei hat nun ein australisches Team aufgestellt.

Update Der Speicheranbieter Chips and More hat beim Freiburger Amtsgericht Insolvenz angemeldet. Die Firma bietet unter Cnmemory und I.onik auch eigene Marken an.

Samsung bringt bald die ersten eMMCs nach dem neuen Standard 5.0 auf den Markt. Die nächste Generation von Embedded Memory ist nochmal schneller als die Ende 2012 vorgestellten eMMC 4.5.

Intel hat seine Listen der getesteten DIMMs für die Haswell-CPUs erweitert. Darin finden sich nun genaue Angaben auch zu vielen Overclocking-Modulen samt den Bios-Versionen.

Der SSD-Hersteller OCZ hat sich eine gründliche Restrukturierung verordnet. Dazu werden weltweit rund ein Drittel der Mitarbeiter entlassen und zahlreiche Produkte eingestellt. Das Unternehmen will so wieder in die schwarzen Zahlen kommen.

Der RAM- und SSD-Hersteller OCZ Technology ist überraschend in die roten Zahlen gerutscht. Ein neuer Chef soll es nun wieder richten.

Unter der Dachmarke HyperX hat Kingston eine neue Serie von DDR3-DRAMs vorgestellt. Die Speichermodule heißen Predator und werden mit bis zu 8 GByte je Slot angeboten. Bei Timings und Spannung gibt es jedoch große Unterschiede.

Nach Tiefständen Ende 2011 ziehen die Preise für Speichermodule wieder an - aber das reicht Samsung offenbar nicht. Der Marktführer will die Preise bis Ende 2012 sukzessive steigern, bis sie 25 Prozent über den derzeitigen Werten liegen.

Der Speicherhersteller Micron hat einige seiner wichtigsten Kunden bereits mit vollständigen Speichermodulen nach dem kommenden DRAM-Standard DDR4 bemustert. Noch 2012 soll die Serienproduktion aufgenommen werden - früher als erwartet.

Bereits im Jahr 2014, also ein Jahr nach der Vorstellung der neuen Architektur Haswell, könnte Intel mit seinen Xeon-CPUs erstmals DDR4-DRAM einsetzen. Das berichtet VR-Zone aus eigenen Quellen. Erst 2015 soll der neue Speicher dann in Desktops Einzug halten.

Vorerst nur für Server soll im kommenden Jahr neues DRAM vom Typ DDR4 in Serienproduktion gehen. Geplant ist eine Standardspannung von 1,2 Volt, die aber noch gesenkt werden kann. Bis zu 60 Prozent Energieeinsparung sind möglich.

Samsung hat auf der Fachkonferenz ISSCC neue Details zu seinem DDR3-Speicher für mobile Geräte genannt. Aus zwei Chips lässt sich ein Stapel mit 1 GByte RAM bauen, der nicht mehr Energie verbrauchen, aber schneller als bisheriges LPDDR2 sein soll.

Nicht nur Ultrabooks, sondern alle Notebooks könnten bald im Standby-Modus wochenlang durchhalten. Möglich machen soll das der neue Speichertyp DDR3Lm, der bei Refreshs sehr sparsam ist.

Update Der Cloudspeicherdienst Dropbox testet eine neue Funktion, mit der Fotos von Speicherkarten und Digitalkameras sofort synchronisiert werden können. Betatester bekommen dafür erhöhte Speicherkapazitäten geschenkt.

Die Eigenmarke "AMD Memory" des Chipherstellers wird nun auch offiziell in Deutschland vertrieben. Die Speicherchips wie auch die Module stellt aber nicht AMD her. Die DDR3-DIMMs sind in drei Geschwindigkeitskategorien verfügbar.

Um größere und schnellere Speicherbausteine herzustellen, will Micron sie mit Die-Stapeln bauen, dem Stacked DRAM. Das ist bisher eine exotische Bauform, sie soll aber nun mit dem Gremium Jedec zum Standard werden.

Schneller und sparsamer soll die Weiterentwicklung des DRAM werden, die Intel und das taiwanische Institut ITRI erforschen. Die ungewöhnliche Initiative soll Probleme lösen, welche die PC-Branche jahrelang ignoriert hat.

Der Speicherspezialist Kingston erwartet stark sinkende Preise für NAND-Flash. Das dürfte vor allem auf die Verbreitung von SSDs spürbare Auswirkungen haben.

Corsair hat mit einem seiner DDR3-Speichermodule einen Takt von 3.467,8 MHz erreicht. Beim Timing von CL11 ist das ein neuer Weltrekord, der mit AMDs CPU FX-8150 erreicht wurde - deren Speichercontroller lässt sich offenbar besonders gut übertakten.

Die Großhandelspreise für DDR3-DRAM haben einen neuen Tiefststand erreicht. Erstmals sind Module mit 2 GByte DDR3-Speicher für kaum mehr als 10 US-Dollar zu haben. Die Chiphersteller befürchten weitere Einbußen.

Koreanische Wissenschaftler haben einen neuen Typ von Arbeitsspeicher auf einer flexiblen Folie entwickelt. Sie kombinierten dabei herkömmliche Transistoren mit einem Memristor.

Einem von Kingston gesponserten Team ist mit einem Takt von 3.175 MHz für DDR3-DIMMs bei CL8 ein Frequenzrekord für Speichermodule gelungen. Diesmal wurde nur das RAM mit flüssigem Stickstoff gekühlt.

Forscher am US-Institut Parc haben erstmals einen funktionierenden CMOS-Speicher auf einer biegsamen Folie untergebracht. Das Bauteil beherbergt sowohl die Speicherzellen als auch die für deren Ansteuerung nötige Elektronik.

Forscher an der Universität Purdue haben mit FeTRAM eine weitere Alternative zu herkömmlichen DRAM- und Flash-Speichern entwickelt. FeTRAM soll weniger Leistung aufnehmen als Flash-Speicher und schneller arbeiten als SRAM, so die Forscher.

Das ehemalige Joint Venture zwischen AMD und Fujitsu, Spansion, hat eine neue Serie von Flash-Chips mit serieller Anbindung angekündigt. Die Bausteine sollen für Autos, Unterhaltungs- und Netzwerkelektronik dienen und besonders schnell sein.

Als erster Chiphersteller hat Samsung die Serienproduktion von DDR3-DRAM mit 20 Nanometern Strukturbreite aufgenommen. Zunächst gibt es einen 2-GBit-Chip, Ende 2011 sollen 4-GBit-Bausteine folgen. Das verspricht größere und günstigere Speichermodule.

Das Normierungsgremium Jedec hat einige technische Details bekanntgegeben, die für DDR4-Speicher geplant sind. Dazu gehören zahlreiche Funktionen für sparsameres und schnelleres DRAM.

Auf Basis von "through silicon vias" hat Samsung ein Speichermodul von 32 GByte Größe für Server entwickelt. Die hohe Kapazität ergibt sich durch direkte Verbindungen mehrerer Chips in einem Package per Kupfer.

Erst der AMD-Prozessor, dann die Radeon-Grafikkarte - jetzt der DDR3-Speicherriegel mit AMD-Logo: Der Chiphersteller hofft offenbar auf markentreue Nutzer. Das lassen jetzt in Japan und Kanada aufgetauchte Speicherriegel vermuten.

Preiswert ist es nicht, den neuen Mac Mini auf 16 GByte Hauptspeicherkapazität zu bringen. Aber Other World Computing hofft dennoch, mit seinem Angebot Kunden zu gewinnen.

Samsung entwickelt einen neuen nichtflüchtigen Speichertyp. Der Resistive Random Access Memory (RRAM) soll stromsparender und um ein Vielfaches schneller sein als aktuelle Flashspeicher - und sogar als Arbeitsspeicher taugen.

Als einer der ersten Anbieter will Adata demnächst 8-GByte-Module nach DDR3-1333L ausliefern, die nur 1,35 Volt Spannung benötigen. Das beherrschen unter anderem Intels Sandy-Bridge-CPUs, deren Rechner sich nun mit bis zu 32 GByte bestücken lassen.

Als nach Angaben des Unternehmens erstes Produkt hat ein 4-GByte-Kit mit DDR3-Speicher von Kingston bei einer effektiven Frequenz von 2.133 MHz Intels XMP-Zertifizierung erhalten. Einen Liefertermin für die SO-DIMMs gibt es jedoch noch nicht.

Samsung startet die Massenproduktion von Speichermodulen mit 32 GByte in 30-Nanometer-Technik. Dabei kommen DDR3-Chips mit je 4 Gigabit zum Einsatz.

Update Apple liefert den 27-Zoll-iMac mit maximal 16 GByte Hauptspeicher aus. Dafür ist ein Aufpreis von 600 Euro fällig. Wer mehr Speicher benötigt, kann nun über einen Dritthersteller bis zu 32 GByte RAM in Apples Desktoprechner stecken.

Mitte 2011 will Elpida die Serienfertigung von sparsamen Speicherbausteinen mit 4 Gigabit Kapazität aufnehmen. Erste Muster gibt es bereits, sie werden in 30 Nanometern Strukturbreite gefertigt. Künftige Smartphones könnten so schneller und flexibler werden.

Samsung stellt ein erstes DDR4-Speichermodul vor, das mit Chips in 30-Nanometer-Technik arbeitet. Es soll Datentransferraten von bis zu 2.133 GBit/s bei einer Spannung von nur 1,2 Volt erreichen.

Nach über drei Jahren Entwicklungszeit wird die Technik der "Through Silicon Vias" (TSV) allmählich serienreif. Samsung liefert jetzt erste Muster von Registered-DIMMs aus, bei denen einzelne DRAM-Chips direkt verbunden sind. 2011 sollen die TSVs in Serie gehen.

Der Markt für Overclocking- und Moddingzubehör treibt immer seltsamere Blüten. Nun bietet Kingston eine limitierte Auflage von Speichermodulen und passenden Kühlern an. Die Geräte sind nur bei einem Anbieter erhältlich. Der einzige Unterschied zu bisherigen Produkten ist die Farbe.