RAM

Ohne externe Festplatte hat die preisgünstigere Basic-Version der Wii U ein Problem: Wie Nintendo selbst mitteilt, bleiben von den 8 GByte Speicher gerade mal 3 GByte übrig - zu wenig, selbst für Spiele wie Nintendo Land.

Der SSD-Hersteller OCZ hat sich eine gründliche Restrukturierung verordnet. Dazu werden weltweit rund ein Drittel der Mitarbeiter entlassen und zahlreiche Produkte eingestellt. Das Unternehmen will so wieder in die schwarzen Zahlen kommen.

Der Speicherhersteller Micron hat einige seiner wichtigsten Kunden bereits mit vollständigen Speichermodulen nach dem kommenden DRAM-Standard DDR4 bemustert. Noch 2012 soll die Serienproduktion aufgenommen werden - früher als erwartet.

Bereits im Jahr 2014, also ein Jahr nach der Vorstellung der neuen Architektur Haswell, könnte Intel mit seinen Xeon-CPUs erstmals DDR4-DRAM einsetzen. Das berichtet VR-Zone aus eigenen Quellen. Erst 2015 soll der neue Speicher dann in Desktops Einzug halten.

Vorerst nur für Server soll im kommenden Jahr neues DRAM vom Typ DDR4 in Serienproduktion gehen. Geplant ist eine Standardspannung von 1,2 Volt, die aber noch gesenkt werden kann. Bis zu 60 Prozent Energieeinsparung sind möglich.

Samsung hat auf der Fachkonferenz ISSCC neue Details zu seinem DDR3-Speicher für mobile Geräte genannt. Aus zwei Chips lässt sich ein Stapel mit 1 GByte RAM bauen, der nicht mehr Energie verbrauchen, aber schneller als bisheriges LPDDR2 sein soll.

Nicht nur Ultrabooks, sondern alle Notebooks könnten bald im Standby-Modus wochenlang durchhalten. Möglich machen soll das der neue Speichertyp DDR3Lm, der bei Refreshs sehr sparsam ist.

Update Der Cloudspeicherdienst Dropbox testet eine neue Funktion, mit der Fotos von Speicherkarten und Digitalkameras sofort synchronisiert werden können. Betatester bekommen dafür erhöhte Speicherkapazitäten geschenkt.

Der Speicherspezialist Kingston erwartet stark sinkende Preise für NAND-Flash. Das dürfte vor allem auf die Verbreitung von SSDs spürbare Auswirkungen haben.

Corsair hat mit einem seiner DDR3-Speichermodule einen Takt von 3.467,8 MHz erreicht. Beim Timing von CL11 ist das ein neuer Weltrekord, der mit AMDs CPU FX-8150 erreicht wurde - deren Speichercontroller lässt sich offenbar besonders gut übertakten.

Die Großhandelspreise für DDR3-DRAM haben einen neuen Tiefststand erreicht. Erstmals sind Module mit 2 GByte DDR3-Speicher für kaum mehr als 10 US-Dollar zu haben. Die Chiphersteller befürchten weitere Einbußen.

Koreanische Wissenschaftler haben einen neuen Typ von Arbeitsspeicher auf einer flexiblen Folie entwickelt. Sie kombinierten dabei herkömmliche Transistoren mit einem Memristor.

Einem von Kingston gesponserten Team ist mit einem Takt von 3.175 MHz für DDR3-DIMMs bei CL8 ein Frequenzrekord für Speichermodule gelungen. Diesmal wurde nur das RAM mit flüssigem Stickstoff gekühlt.

Forscher am US-Institut Parc haben erstmals einen funktionierenden CMOS-Speicher auf einer biegsamen Folie untergebracht. Das Bauteil beherbergt sowohl die Speicherzellen als auch die für deren Ansteuerung nötige Elektronik.

Forscher an der Universität Purdue haben mit FeTRAM eine weitere Alternative zu herkömmlichen DRAM- und Flash-Speichern entwickelt. FeTRAM soll weniger Leistung aufnehmen als Flash-Speicher und schneller arbeiten als SRAM, so die Forscher.

Das ehemalige Joint Venture zwischen AMD und Fujitsu, Spansion, hat eine neue Serie von Flash-Chips mit serieller Anbindung angekündigt. Die Bausteine sollen für Autos, Unterhaltungs- und Netzwerkelektronik dienen und besonders schnell sein.

Als erster Chiphersteller hat Samsung die Serienproduktion von DDR3-DRAM mit 20 Nanometern Strukturbreite aufgenommen. Zunächst gibt es einen 2-GBit-Chip, Ende 2011 sollen 4-GBit-Bausteine folgen. Das verspricht größere und günstigere Speichermodule.

Das Normierungsgremium Jedec hat einige technische Details bekanntgegeben, die für DDR4-Speicher geplant sind. Dazu gehören zahlreiche Funktionen für sparsameres und schnelleres DRAM.

Auf Basis von "through silicon vias" hat Samsung ein Speichermodul von 32 GByte Größe für Server entwickelt. Die hohe Kapazität ergibt sich durch direkte Verbindungen mehrerer Chips in einem Package per Kupfer.

Erst der AMD-Prozessor, dann die Radeon-Grafikkarte - jetzt der DDR3-Speicherriegel mit AMD-Logo: Der Chiphersteller hofft offenbar auf markentreue Nutzer. Das lassen jetzt in Japan und Kanada aufgetauchte Speicherriegel vermuten.

Preiswert ist es nicht, den neuen Mac Mini auf 16 GByte Hauptspeicherkapazität zu bringen. Aber Other World Computing hofft dennoch, mit seinem Angebot Kunden zu gewinnen.

Samsung entwickelt einen neuen nichtflüchtigen Speichertyp. Der Resistive Random Access Memory (RRAM) soll stromsparender und um ein Vielfaches schneller sein als aktuelle Flashspeicher - und sogar als Arbeitsspeicher taugen.

Als einer der ersten Anbieter will Adata demnächst 8-GByte-Module nach DDR3-1333L ausliefern, die nur 1,35 Volt Spannung benötigen. Das beherrschen unter anderem Intels Sandy-Bridge-CPUs, deren Rechner sich nun mit bis zu 32 GByte bestücken lassen.

Als nach Angaben des Unternehmens erstes Produkt hat ein 4-GByte-Kit mit DDR3-Speicher von Kingston bei einer effektiven Frequenz von 2.133 MHz Intels XMP-Zertifizierung erhalten. Einen Liefertermin für die SO-DIMMs gibt es jedoch noch nicht.

Samsung startet die Massenproduktion von Speichermodulen mit 32 GByte in 30-Nanometer-Technik. Dabei kommen DDR3-Chips mit je 4 Gigabit zum Einsatz.

Update Apple liefert den 27-Zoll-iMac mit maximal 16 GByte Hauptspeicher aus. Dafür ist ein Aufpreis von 600 Euro fällig. Wer mehr Speicher benötigt, kann nun über einen Dritthersteller bis zu 32 GByte RAM in Apples Desktoprechner stecken.

Mitte 2011 will Elpida die Serienfertigung von sparsamen Speicherbausteinen mit 4 Gigabit Kapazität aufnehmen. Erste Muster gibt es bereits, sie werden in 30 Nanometern Strukturbreite gefertigt. Künftige Smartphones könnten so schneller und flexibler werden.

Samsung stellt ein erstes DDR4-Speichermodul vor, das mit Chips in 30-Nanometer-Technik arbeitet. Es soll Datentransferraten von bis zu 2.133 GBit/s bei einer Spannung von nur 1,2 Volt erreichen.

Nach über drei Jahren Entwicklungszeit wird die Technik der "Through Silicon Vias" (TSV) allmählich serienreif. Samsung liefert jetzt erste Muster von Registered-DIMMs aus, bei denen einzelne DRAM-Chips direkt verbunden sind. 2011 sollen die TSVs in Serie gehen.

Der Markt für Overclocking- und Moddingzubehör treibt immer seltsamere Blüten. Nun bietet Kingston eine limitierte Auflage von Speichermodulen und passenden Kühlern an. Die Geräte sind nur bei einem Anbieter erhältlich. Der einzige Unterschied zu bisherigen Produkten ist die Farbe.

Mitte September 2010 hatten die Marktbeobachter vor einem Verfall der Speicherpreise gewarnt, nun liegen Zahlen für das vergangene Quartal vor: DDR3-DRAMs sind demnach um bis zu 23 Prozent billiger geworden, ein Ende des Trends ist nicht in Sicht.

Marktbeobachter und die Analysten aus Taiwan sind sich sicher: Der Abwärtstrend bei den Speicherpreisen wird noch einige Monate anhalten. Nach dem Hoch zu Jahresbeginn sinken die Preise für DRAM kontinuierlich, den Tiefstand von vor zwei Jahren haben sie jedoch noch bei weitem nicht erreicht.

Das deutsche Unternehmen Keith & Koep liefert nun die sechste Generation seiner Trizeps-Computer aus. Die Embedded-Systeme sind so klein, dass sie auf eine Platine von 6,7 x 3,7 Zentimetern passen. Als Verbindung für I/O und Display dient folglich auch ein SO-DIMM-Port.

Mit einem cleveren Anschlusskonzept will Kingston die Fans von wassergekühlten PCs für sich gewinnen. Die neuen Hyper-X-Module namens "H2O" verfügen über seitliche Anschlüsse, so dass sie auch unter große Prozessorkühler passen.

Das Standardisierungsgremium Jedec hat hat den DDR3-Standard um eine Spezifikation für DDR3L erweitert. Entsprechende Speichermodule sollen deutlich effizienter arbeiten als herkömmlicher DDR3-Speicher.

Nur für betuchte Hardwarebastler: Die Firma G.Skill will ein DDR3-Speicherkit auf den Markt bringen, das besonders viel Speicher bietet. Besitzer eines normalen Mainboards können mit dem Kit nichts anfangen.

Samsung hat begonnen, DDR3-Speicher mit 2 Gigabit Kapazität in einem 30-Nanometer-Prozess herzustellen. Die Chips sollen deutlich schneller sein als Chips in höheren Strukturbreiten.

Seagate hat mit dem Goflex Home eine weitere externe Festplatte vorgestellt. Sie kann nicht nur über ein Kabel mit dem Rechner verbunden, sondern auch vom Heimnetzwerk aus erreicht werden. Dazu ist allerdings eine Dockingstation erforderlich.

Samsung hat ein LRDIMM mit 32 GByte entwickelt. Der Speicherriegel für Server ist in 40-Nanometer-Technik gefertigt und nutzt DDR3-Speicherchips mit je 4 GBit.

Computex DDR4 ist noch in weiter Ferne und die Preise für Speichermodule steigen kontinuierlich - da müssen sich die DRAM-Hersteller etwas einfallen lassen. Auf der Computex werden bei den für Übertakter vorgesehenen Riegeln alte Ideen wieder ausgegraben, aber auch neue Rekorde gesetzt.

Die neuen Atom-CPUs N455 und N475 sind stromhungriger als ihre Vorgänger. Zwar unterstützen sie auch DDR3, was eigentlich sparsamer ist, die TDP der neuen Prozessoren gibt Intel aber mit 1 Watt mehr als bei den Atoms an, die nur DDR2-Speicher ansprechen können.

Muster jetzt, Serienfertigung im dritten Quartal 2010. Als erster Hersteller hat Elpida DDR3-Chips mit 4 Gigabit pro Die entwickelt. Damit sollen sich ECC-DIMMs für Server mit bis zu 32 GByte Kapazität herstellen lassen. Daneben plant Elpida auch Module für Notebooks sowie sparsamere Speicherriegel, die nur noch bei 1,35 Volt arbeiten.

Intel zertifiziert DIMMs von Kingston. Von Kingston kommt das bisher am höchsten getaktete Speichermodul für Desktoprechner, das Intel für seine Core-i7-CPUs zertifiziert hat. Die DIMMs arbeiten mit bis zu effektiv 2.400 MHz und brauchen dabei nicht mehr als 1,65 Volt Spannung, was Intel als Maximum für den Speichercontroller seiner CPUs garantiert.