Stacked DRAM: Samsungs DDR4-Stapelspeicher geht in Serie
Als einer der ersten Hersteller hat Samsung die Serienproduktion von Stacked-DDD4-RAM begonnen. Je vier gestapelte Speicherchips sind per TSV-Technik verbunden, ein RDIMM bietet 64 GByte Kapazität.
Intels neue Haswell-EP-Plattform benötigt im Serverbereich Registered-DDR4-Speicher, den unter anderem Samsung produziert. Der Hersteller hat die Serienfertigung von RDIMMs mit 64 GByte gestartet, die hohe Packdichte erreicht Samsung durch Through Silicon Via (TSV).
Statt nur einzelne Speicherchips nebeneinander zu platzieren, stapelt Samsung vier planare 4-GBit-Dice aufeinander. Durch Silizium-Durchkontaktierung verbunden, sind so deutlich höhere Kapazitäten pro Speichermodul möglich als bisher - Hynix erreicht sogar 128 GByte.
Samsung verbaut 36 kleine Stapel, was zwar in 72 GByte resultiert, davon sind aber 8 GByte - also vier Stacks - durch die ECC-Fehlerkorrektur belegt. Zur Geschwindigkeit der neuen DDR4-Module hat sich Samsung bisher nicht geäußert, denkbar wäre DDR4-2133 oder DDR4-2400.
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