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Stacked DRAM: Samsungs DDR4-Stapelspeicher geht in Serie

Als einer der ersten Hersteller hat Samsung die Serienproduktion von Stacked-DDD4-RAM begonnen. Je vier gestapelte Speicherchips sind per TSV-Technik verbunden, ein RDIMM bietet 64 GByte Kapazität.

Artikel veröffentlicht am ,
DDR4-Arbeitsspeicher mit gestapelten Chips
DDR4-Arbeitsspeicher mit gestapelten Chips (Bild: Samsung)

Intels neue Haswell-EP-Plattform benötigt im Serverbereich Registered-DDR4-Speicher, den unter anderem Samsung produziert. Der Hersteller hat die Serienfertigung von RDIMMs mit 64 GByte gestartet, die hohe Packdichte erreicht Samsung durch Through Silicon Via (TSV).

  • Engineering Sample M393A8G40D40-CRB mit 64 GByte (Bild: Samsung)
  • Vier Dice bilden einen Stack. (Bild: Samsung)
  • Verdrahtete Chips im Vergleich mit Silizium-Durchkontaktierung (Bild: Samsung)
Engineering Sample M393A8G40D40-CRB mit 64 GByte (Bild: Samsung)
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Statt nur einzelne Speicherchips nebeneinander zu platzieren, stapelt Samsung vier planare 4-GBit-Dice aufeinander. Durch Silizium-Durchkontaktierung verbunden, sind so deutlich höhere Kapazitäten pro Speichermodul möglich als bisher - Hynix erreicht sogar 128 GByte.

Samsung verbaut 36 kleine Stapel, was zwar in 72 GByte resultiert, davon sind aber 8 GByte - also vier Stacks - durch die ECC-Fehlerkorrektur belegt. Zur Geschwindigkeit der neuen DDR4-Module hat sich Samsung bisher nicht geäußert, denkbar wäre DDR4-2133 oder DDR4-2400.



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JouMxyzptlk 28. Aug 2014

Bei 85°C hagelte es "Temperature DIMM-X critical" Warnungen von den Servermonitoring...


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