Overclocking: DDR3-Speicher mit Haswell auf 4,4 GHz übertaktet

Günstige DDR3-Speichermodule arbeiten heute mit einem effektiven Takt von rund 1.600 MHz. Wer die Grenzen der Technik ausreizt und mit Stickstoff kühlt, kann auch über 4 GHz erreichen. Einen neuen Rekord dabei hat nun ein australisches Team aufgestellt.

Artikel veröffentlicht am 9. August 2013, 12:08 Uhr, Nico Ernst

Eismützen für Speichermodule (l.) und CPU (Bild: G.Skill/Team.AU)

Die Overclocking-Szene hat einen neuen Rekord: Exakt 2.202 MHz physikalischen Takt oder effektiv 4.404 MHz hat das Team.AU erreicht. Die Übertakter wurden dabei vom Speicherhersteller G.Skill unterstützt, der auch die Speichermodule stellte.

Verwendet wurden DDR3-Riegel der Serie TridentX von G.Skill, dessen schnellste Modelle nominal schon einen Takt von effektiv 3.000 MHz erreichen. Die Standard-Timings für die Module betragen 12-14-14-35, die Übertakter setzten sie für ihr Experiment auf 13-31-31-45 herauf. Die Latenzen verlängern sich also deutlich, was in der Praxis Nachteile bringt, beim sportlichen Overclocking-Basteln aber egal ist.

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Validiertes CPU-Z-Ergebnis: Bustakt über 150 MHz (Bilder: G.Skill)

Auch der Prozessor, ein Intel Core i7-4770K (Haswell), wurde kräftig gebremst, denn statt seines üblichen Standardtakts von 3,5 GHz durfte er nur mit 1,8 GHz laufen. Die Übertakter hatten dazu den Multiplikator fest auf den Wert 12 eingestellt, ab Werk darf der 4770K mit einem Wert von bis zu 39 laufen, um hohe Turbo-Boost-Stufen zu erreichen.

Ziel war aber, den Bustakt, der auch den Speichertakt bestimmt, soweit wie möglich zu erhöhen. Das haben die Overclocker auch recht gründlich gemacht, denn statt der spezifizierten 100 MHz betrug der erreichte Bustakt 150,21 MHz. Die Bastler machten sich dafür einige neue Overclocking-Funktionen von Haswell zunutze, denn bei dieser Architektur hat Intel einige seit den Core-i-2000 (Sandy Bridge) vorhandene Bremsen wie feste Frequenzteiler gelöst. Details finden sich in einer früheren Meldung.

Aus den bisher veröffentlichten Daten zum DDR3-Rekord geht nicht hervor, mit welcher Spannung Prozessor und Speicherbus betrieben wurden. Intel garantiert nur 1,65 Volt für den DRAM-Bus, wofür ebenfalls die Speichermodule spezifiziert sind. Dass die Spannungen ebenso wie die Bustakte extrem gewesen sein müssen, zeigt aber ein Foto des Testaufbaus: Sowohl Prozessor als auch Speichermodule wurden mit flüssigem Stickstoff gekühlt. Als Mainboard diente ein Maximus VI Impact von Asus.