Micron, Renesas, Shin-Etsu: Flash-Nachfolger MRAM soll 2018 serienreif werden
Ein neues Gremium rund um die Speicherhersteller Micron und Toshiba sowie den Anbieter Tokyo Electron, der Anlagen für die Chipherstellung baut, will die MRAM-Technik vorantreiben. Dies berichtet Nikkei(öffnet im neuen Fenster) , ohne seine Quellen zu nennen.
Insgesamt sollen über 20 Unternehmen aus den USA und Japan bei der MRAM-Entwicklung kooperieren. Dazu gehört auch Renesas, die ausgegliederte Halbleitersparte von NEC, das als einer der Pioniere bei dem neuen Speichertyp gilt. Die beteiligten Firmen sollen für eine Forschungsgruppe an der japanischen Tohoku-Universität Mitarbeiter abstellen, so Nikkei weiter. Dazu gehört auch Shin-Etsu, ein Hersteller von Wafern.
Damit hätte das Gremium von den Siliziumscheiben über deren Bearbeitung bis zur eigentlichen Chipherstellung, die Firmen wie Toshiba und Hitachi übernehmen sollen, alle Bereiche der Halbleiterfertigung vereint. Die Entwicklung soll 2017 abgeschlossen sein, 2018 sollen dann erste Produkte auf Basis der MRAM-Technik erscheinen.
Die neue Bauform speichert Informationen nicht wie bisher in Form von elektrischen Ladungen, sondern indem magnetische Spin-Effekte(öffnet im neuen Fenster) dauerhaft festgehalten werden. Dabei soll MRAM gleich alle bisher kommerziell eingesetzten Speicherbauformen ersetzen, indem es wie Flash Inhalte ohne Strom speichert, so schnell ist wie SRAM und sich wie DRAM günstig fertigen lässt. Vor allem Flash soll durch MRAM abgelöst werden, weil sich auch mit einem einzelnen Chip – und nicht wie bei modernen SSDs mit mehreren Kanälen – die Daten schnell speichern lassen. Dabei soll MRAM, das anders als DRAM nicht ständig einen Refresh benötigt, auch beim Einsatz als Hauptspeicher viel sparsamer sein.
Wenn sich diese Vorteile auch in der Massenproduktion zeigen und sich dabei akzeptable Kapazitäten bei vergleichsweise günstigen Preisen ergeben, ist der neue Speicher vor allem für Smartphones und andere mobile Geräte attraktiv. Dort werden heute auf den SoCs für die Caches SRAM-Speicher integriert, in Form von meist eigenen Chips LPDDR-DRAM und zusätzlich Flash-Bausteine als Massenspeicher. Das alles ließe sich mit einer Technik wie MRAM vereinheitlichen, so dass die drei Speicher auch direkt auf einem SoC integriert werden könnten.