RAM

0,2 Micron DRAMs und 0,4 Micron SDRAMs werden nicht mehr gebaut. Toshiba will im Rahmen der Überarbeitung seiner Speicherproduktionsstrategie, die sich auf Grund der Überangebote sowie der schwachen Marktnachfrage und der daraus entstandenen Preiseffekte ergeben hat, eine Produktionsanlage (Fab 1) im Werk in Yokkaichi schließen und nur die Produktionsanlage Fab 2 weiter betreiben. Die mehr als 300 Arbeiter der Fab 1 sollen künftig größtenteils in andere Anlagen arbeiten.

Neue Technik ermöglicht kleine DDR-SDRAM-Module mit Taktraten über 333 MHz. Dank geringer Wartezeiten (Latenz) und hoher Bandbreite werden Double-Data-Rate-(DDR-)Speicher immer häufiger in Server-, Telekommunikations- und anderen rechenintensiven Bereichen eingesetzt. Mit einer neuen Komponente will Philips Semiconductors DDR-Speicher auf 333 MHz und höher takten, während gleichzeitig der Stromverbrauch und der Platzbedarf verringert werden.

Micron kündigt preiswerte PC2100-Module zum SDRAM-Preis an. Der Speicherhersteller Micron Technology hat angekündigt, seine DDR-SDRAM-Module in Zukunft zum gleichen Preis wie die langsameren SDRAMs anzubieten. Möglich sei die Preissenkung der DDR-SDRAMs durch Herstellungs- und Kostenvorteile, so Fred Waddel, Director of Sales von Microns Computing and Consumer Group.

Flash-Speicher mit Page-Modus und 32 Bit Bandbreite. AMD hat mit dem Am29PL320 einen Flash-Speicher mit dem breitesten Datenbus der Branche und Page-Zugriffszeiten ab 20 Nanosekunden vorgestellt. Durch die Kombination aus AMDs Flash-Technologie und 32-Bit-Page-Modus-Architektur ist er nach Unternehmensangaben die schnellste derzeit verfügbare asynchrone Lösung bei Flash-Speichern.

Schwacher Speicher- und Mobilfunkmarkt lässt Infineons Gewinne schmelzen. Der Chiphersteller Infineon hat im zweiten Quartal seines Geschäftsjahres 2001 (1.1. bis 31.3.2001) seinen Umsatz gegenüber dem zweiten Quartal des Vorjahres um 8 Prozent auf 1,65 Milliarden Euro gesteigert. Diese positive Umsatzentwicklung sei geprägt durch die weiterhin starke Nachfrage in den Geschäftsbereichen Drahtgebundene Kommunikation, Sicherheits- & Chipkarten-ICs sowie Automobil- & Industrieelektronik.

Grund: Speicherkapazität in MP3-Playern wächst. Nach Markterhebungen des US-Marktforschungsinstitutes NPD Intelect steigt der durchschnittliche Preis von MP3-Playern durch die serienmäßig immer höhere Speicherkapazität. Im Februar 2001 war der Preis eines Players um ungefähr 18 Prozent höher als noch vor Weihnachten 2000.

Alternative zu teureren SRAM-Speichern. Infineon hat eine neue DRAM-Produktlinie vorgestellt, die speziell für den Markt der Netzwerk-Applikationen ausgelegt ist. Das RLDRAM (Reduced Latency DRAM) erfüllte alle wichtigen Kriterien in Netzwerk- und Cache-Applikationen, wie hohe Speicherkapazität, hohe Bandbreite und schnellen SRAM-ähnlichen, wahlfreien Speicherzugriff.

Speicherbausteine kommen ohne Kühlkörper aus. Infineon hat einen neuen 128-Mbit-DDR-(Double-Date-Rate-)SGRAM-(Synchronous-Graphics-RAM-)Baustein für leistungsfähige 3D-Grafik-Applikationen eingeführt, der mit bis zu 300 MHz betrieben werden kann.

Finanzielle Unterstützung durch Intel zur Erweiterung der Kapazitäten. Der Prozessorhersteller Intel wird den Speicherhersteller Samsung Electronics finanziell unterstützen, damit dieser seine Produktion von Rambus DRAMs (RDRAM) steigern kann. Die monatliche Fertigung von 128 Mbit RDRAMs will Samsung ab März in relativ kurzer Zeit stückweise auf mindestens 10 Millionen Stück steigern.

Retail-Speicher etwas teurer. Mit Endkundenpreisen von unter 90 DM pro 128 MB PC-133-SDRAM OEM-Speicherriegel hat der Speicherpreis einen neuen Tiefststand erreicht. Der anhaltende Speicherpreisrutsch und die niedrigen Prozessorpreise machen es damit sehr einfach, preiswerte und trotzdem leistungsfähige PCs zusammenzustellen.

Neues Speicherinterface soll Bandbreite erhöhen. Das streitbare Speichertechnologie-Unternehmen Rambus hat auf der heute beendeten dreitägigen International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) in San Francisco zwei technische Entwicklungen angekündigt, die RDRAMs schneller machen sollen. Deren Bandbreite soll dank eines überarbeiteten Direct Rambus Speicherinterfaces in Zukunft 2,2 GB/Sekunde anstelle von 2,1 GB/Sekunde betragen.

MRAM-Speicher soll in drei Jahren in Consumer-Geräten zu finden sein. Der Motorola-Geschäftsbereich Halbleiter hat einen neuen 256K-MRAM-(Magnetoresistive-Random-Access-Memory-)Speicherchip vorgestellt. Der nichtflüchtige 256K-MRAM-Baustein basiert auf einer Speicherzelle mit einem einzigen Transistor (1T) und einer einzigen Magnetic Tunnel Junction (MTJ) mit Schreib- und Lesezeiten von weniger als 50 ns.

MatchBookDrive Adapter wird ab Mitte Februar ausgeliefert. Vor kurzem berichteten wir über einen FlashAdapter von Kopsis für Visor-PDAs von Handspring zum Selberbauen. Nun verkauft die Firma MatchBook in den USA den fertigen Adapter unter der Bezeichnung MatchBookDrive Adapter. Damit lässt sich der Speicher von Compact-Flash-Speicherkarten des Typs 1 mit einem Visor nutzen.

Kooperation soll kommerzielle Verfügbarkeit beschleunigen. Infineon Technologies und Toshiba haben gestern eine Vereinbarung über die gemeinsame Entwicklung einer nichtflüchtigen Speichertechnologie und von Produkten auf Basis des ferroelektrischen Prinzips bekannt gegeben.

Abwärtskompatible fünfte MO-Generation von Sony. Sony hat die 14x-Generation von 5,25-Zoll magneto-optischen (MO) Laufwerken und Medien vorgestellt. Das interne Laufwerk SMO-F561 und das demnächst verfügbare externe MO-Laufwerk RMO-S561 verfügen über eine Kapazität von jeweils 9,1 GByte.

Gemeinsame Entwicklung von nicht-flüchtigem MRAM. IBM und Infineon Technologies wollen gemeinsam eine neuartige Speichertechnologie entwickeln. Sie soll dazu beitragen, die Batterie-Lebensdauer in portablen Systemen deutlich zu verbessern und es Computern darüber hinaus ermöglichen, nach dem Einschalten sofort betriebsbereit zu sein.

Angeblich denkt Intel über die Lizenzierung des Pentium-4-System-Bus nach. Offenbar hat Intel einen Ausweg aus seinem Rambus-Dilemma gefunden. US-Medien berichten, Paul Otellini, General Manager von Intel Architecture Group, habe auf der Comdex erklärt, dass Intel darüber nachdenke, den System Bus des Pentium 4 an andere Hersteller zu lizenzieren. Damit wäre es Drittherstellern möglich, recht bald einen Chipsatz für Intels neuen Prozessor auf den Markt zu bringen, der mit DDR-RAM arbeitet.

AMD-760-Chipsatz und Athlon mit 266 MHz sollen Dampf machen. Auf Pressekonferenzen in Tokio, Taipeh und Paris stellt AMD heute den neuen AMD-760-Chipsatz und damit die erste kommerzielle Computerplattform auf Basis der Double-Data-Rate-(DDR-)Speichertechnologie. Zudem führt AMD neue Athlon-Prozessoren ein, die mit einem 266-MHz-Front-Side-Bus arbeiten und so die Möglichkeiten der DDR-Speichertechnologien besser ausnutzen können.

Apollo-Pro266-Chipsatz mit DDR-SDRAM soll RDRAM-Konkurrenz überlegen sein. Nach der Pannenserie, die Intel mit der Rambus-Speichertechnologie einstecken musste, ist mit dem vom taiwanesischen Mitbewerber VIA vorgestellten Apollo-Pro266-Chipsatz der erste PC-Chipsatz erhältlich, der das konkurrierende DDR-SDRAM unterstützt. Die Hardware-Site tecChannel.de hat ein erstes Celeron- und Pentium-III-Mainboard mit dem neuen Chipsatz getestet und war mit den Ergebnissen mehr als zufrieden.

Spezielle Polymerasekettenreaktion zum Auslesen von digitalen Nachrichten. An der Entschlüsselung des Erbgutmoleküls DNA arbeiten Wissenschaftler auf der ganzen Welt. Dass als Ergebnis nicht nur medizinischer Fortschritt herauskommt, berichtet jetzt eine gemeinsame Arbeitsgruppe der Universitäten Dortmund und Köln, die eine Anwendung des biologischen Trägers der Erbinformationen als digitalen, verschlüsselten Datenspeicher erforscht.

Katastrophales Ergebnis im Test. Wer derzeit separat RAM kauft, tut das auf gut Glück, ist das niederschmetternde Ergebnis eines Speicher-Tests des Computermagazins c't in Ausgabe 18/2000.

TecChannel: 70,- DM pro Pentium 4 für Rambus-Speicher. Intel will OEM-Partnern den Einatz von Rambus-Speicher mit Einführng des Pentium 4 sponsern, das meldet der tecChannel. Für einen Pentium-4-Prozessor zahle Intel ab dem vierten Quartal 2000 70,- US-Dollar, um so den größten Nachteil von RDRAM, den noch immer deutlich höheren Preis gegenüber SDRAM, wettzumachen.

RDRAM mit 1066 MHz. Nachdem Rambus den DDR-SDRAM-Konkurrenten RDRAM bereits für Taktfrequenzen bis 800 MHz ausgelegt hat, folgt nun das 1066 MHz RDRAM. Im Gegensatz zu den bisherigen RDRAMs soll der neue Speicher eine 33 Prozent höhere Leistung bieten, verspricht der Speichertechnologiehersteller.

Enhanced Memory Systems stellt PC133-High-Speed SDRAM vor. Enhanced Memory Systems, ein Tochterunternehmen der Ramtron International Corporation, hat auf der Platform 2000 Conference in San José, Kalifornien, gestern ein PC-Workstation-Referenzdesign demonstriert, das mit PC133-High-Speed SDRAM (HSDRAM) ausgestattet ist. Die kompakten HSDRAM-Module sollen auf Grund ihres Designs weniger Wartezeiten und niedrigere Zugriffszeiten (4,6 ns) als herkömmliche SDRAMs mit sich bringen, dementsprechend schneller und zudem zu diesen kompatibel sein.

IBM Memory eXpansion Technology - Neues Cache-Design für mehr Performance. IBM hat eine neue Technologie vorgestellt, mit der sich die Speicherkapazität durch Kompression verdoppeln lassen soll. Insbesondere im Serverbereich will IBM seinen Kunden auf diesem Wege so manche Millioneninvestition ersparen.

Bis zu 576 MB pro RIMM. NEC erhielt jetzt das erste Zertifikat von Rambus für einen 288 Mbit Direct Rambus DRAM (RDRAM) Modul. Damit will Nec vor allem im Serverbereich neue Maßstäbe setzen, wird doch auch die Fehlerkorrektur ECC unterstützt.

Rambus stellt schnelleres RDRAM vor. Der Aktienkurs von Rambus ist am Freitag um 46 Prozent nach oben geschnellt. Nicht etwa, weil das Unternehmen eine schnellere RDRAM-Speicherbaustein-Generation vorgestellt hat, sondern weil bekannt gegeben wurde, dass Toshiba mit dem Unternehmen ein Lizenzabkommen geschlossen hat. Brisanter Weise umfasst dieses nicht nur die neue Technologie, sondern auch herkömmliche SDRAM- und DDR-SDRAM-Speichertechnologie.

Speichertechnologie für die drahtlose Zukunft. Die Entwicklungsabteilung von Motorola, Motorola Labs, hat gemeinsam mit den DigitalDNA Laboratories eine neue Speichertechnologie entwickelt, die die aktuellen Speichertechnologien auf Halbleiterbasis ablösen soll. Der "universelle Speicher" erlaube die Integration mehrerer Speicheroptionen in einem Chip und soll damit eine schnellere sowie strom- und kostensparende Lösung für drahtlose Produkte der nächsten Generation darstellen.

Imation und Lucent wollen entsprechendes System in 2 Jahren anbieten. Auf Basis eines an den Bell Labs entwickelten neuen Photo-Polymers will Imation binnen 18 bis 24 Monaten kommerziell erhältliche holografische Laufwerke und Medien entwickeln.