RAM

DDR400-SDRAM-Module mit 128 und 256 MByte verfügbar. Samsung hat - laut eigenen Angaben als erster Hersteller - mit der Auslieferung von ersten DDR400-SDRAM-Modulen in großen Stückzahlen begonnen. Vorerst liefert Samsung 128-MByte- und 256-MByte-DDR400/PC3200-Module aus.

Sharp lizenziert neue Speichertechnologie der University of Houston. Schnelle, nichtflüchtige Speicher könnten in Zukunft das Hoch- und Runterfahren von Rechnern überflüssig machen. Eine entsprechende, von der University of Houston (UH) entwickelte und erstmals im November 2001 der Öffentlichkeit vorgestellte Speichertechnologie wurde nun von der amerikanischen Sharp-Tochter Sharp Laboratories of America exklusiv lizenziert.

Gespräche mit Winbond und Mosel Vitelic erfolgreich abgeschlossen. Infineon hat die Gespräche mit den taiwanischen Halbleiter-Herstellern Winbond Electronics und Mosel Vitelic, beide mit Hauptsitz in Hsinchu, erfolgreich abgeschlossen. Um seine Position im Markt für Speicherchips weiter auszubauen, hat Infineon ein unverbindliches Memorandum of Understanding mit Winbond und Verträge mit Mosel Vitelic unterzeichnet. Damit wird Infineon die Gesamtkapazität für die Produktion von DRAM-Chips um monatlich über 20.000 Waferstarts steigern.

Billigere Speicher speziell für den OEM-Markt. Der Hardwarehersteller Transcend hat mit der Einführung der neuen Speicherriegel-Marke JetRam speziell für den OEM-Markt begonnen. Einkäufern will man damit billigere und dennoch qualitativ hochwertige Speicher anbieten.

Memory eXpansion Technology (MXT) nun im eServer xSeries 330. Bereits Mitte 2000 kündigte IBM seine Memory eXpansion Technology (MXT) an, mit deren Hilfe Daten im Hauptspeicher komprimiert abgelegt werden. Nun ist die Hardwarekompression marktreif: In IBMs überarbeiteten "eServer xSeries 330" 1U-Pentium-III-Servern ist MXT nun erstmalig im Einsatz und soll die verfügbare Speichermenge effektiv verdoppeln.

1 GByte PC133 SDRAM mit nur 3 cm Höhe. Der Hardware-Hersteller Transcend hat ein spezielles, nur 1,2 Zoll hohes 1-GByte-Speichermodul mit Register und ECC angekündigt. Das PC133 1-GByte-SDRAM-DIMM wurde insbesondere für ultraflache Server mit nur einer Höheneinheit (1U) konzipiert.

USB Flash Drive ab Ende Januar in Kapazitäten bis 512 MByte erhältlich. Ab Ende Januar wird der Mainboard- und Speicherhersteller Transcend mit der Auslieferung seiner "USB Flash Drives" beginnen. Dabei handelt es sich um Flash-Datenspeicher, die unproblematisch per USB-Schnittstelle angeschlossen und bereits von verschiedenen anderen Herstellern in ähnlicher Form angeboten werden.

Stehen Hynix und Micron vor einer Fusion? Die beiden Speicherhersteller Hynix Semiconductor und Micron Technology gaben jetzt offiziell bekannt, dass man sich in frühen Gesprächen über eine strategische Kooperation oder eine anderweitige Kooperation bzw. Transaktion befinde. Bereits seit geraumer Zeit sorgen Gerüchte um Zusammenschlüsse in diesen Bereichen für einen leichten Anstieg der Speicherpreise. Vor allem der Name Hynix fällt dabei oft.

288-Mbit-Chips für Temperaturen zwischen -40 und +85 Grad Celsius. Samsung bietet nun erstmals auch RDRAM-Bausteine für anspruchsvolle industrielle Zwecke an, in denen Temperaturen zwischen -40 und +85 Grad Celsius verkraftet werden müssen. Die robusten RDRAMs sollen beispielsweise Netzwerkprozessoren auch in heißen Umgebungen zur Seite stehen.

Marktkonsolidierung erwartet. Laut einer heute veröffentlichten Studie von Gartner wird der weltweite Umsatz im DRAM-Markt im Jahr 2001 um 67 Prozent zurückgehen. Gartner erwartet einen Umsatz von 10,5 Milliarden US-Dollar für 2001, verglichen mit 31,5 Milliarden US-Dollar im Vorjahr. Auch für das nächste Jahr erwarten die Analysten einen Rückgang.

Auslieferung von 128 MB und 256 MB DDR-SDRAM SO-DIMMs hat begonnen. Der Mainboard- und Speicherhersteller Transcend liefert nun auch DDR-SDRAM-Module (DDR SO-DIMM) für Notebooks. Zwar sind noch keine Notebooks mit DDR-SDRAM im Handel erhältlich, doch es werden bereits Chipsätze mit Unterstützung für den schnellen Speichertyp angeboten.

Schneller Speicher für Netzwerk-Hardware wie Switches und Routern. Auf dem Microprocessor Forum haben Cypress Semiconductor, Hitachi, Integrated Device Technology, Micron Technology, NEC und Samsung Electronics heute die komplette Spezifikation für Quad-Data-Rate-II-(QDRII-) und Double-Data-Rate-II-(DDRII-)SRAM-Architekturen offen gelegt.

Ab nächstes Jahr in Massenproduktion. Samsung Electronics hat die Entwicklung eines in 0,12 Mikron gefertigten und mit 1066 MHz getakteten 576-MBit-RDRAM-Speicherchips abgeschlossen. Damit sollen sich RDRAM-Speicherriegel mit Kapazitäten von über 1 GB fertigen lassen.

Intel erhält nun Zugriff auf alle Rambus-Patente. Der Speichertechnologie-Hersteller Rambus und Intel haben eine neue Patentaustausch-Vereinbarung geschlossen, welche die bisherige ablöst. Damit dürfte Intel nun mehr Freiheiten bei der Unterstützung des mit Rambus RDRAM konkurrierenden DDR-SDRAM-Speichers gewonnen haben.

No-Name-Speicher sinkt auf unter 28,- DM für 128 MB. Die Speicherpreise sind weiterhin im Keller, lediglich bei No-Name-Speichern sind noch leichte Preissenkungen erkennbar. Die Preisspanne im deutschen Handel ist dabei beachtlich. Für RDRAM-Speicherriegel muss man auch weiterhin etwa das Dreifache ausgeben wie für normales SDRAM, und auch DDR-SDRAM ist deutlich teurer.

Low-Profile-DIMMs für flache Server. Infineon Technologies bietet jetzt erste Muster von SDRAM- und DDR-Speicherprodukten mit reduzierter Bauhöhe von 1,2 Zoll (ca. 3 cm) an. Diese Low-Profile-DIMMs (Dual Inline Memory Modules) wurden speziell für den Einsatz in flachen Internet-Serversystemen entwickelt, die mit einer Gehäusehöhe von nur 1,7 Zoll (ca. 4,5 cm ) für die Anordnung in Regalgestellen vorgesehen sind.

Produktion wird im japanischen Iwate aufgebaut. Ramtron und Fujitsu haben ihre zweijährige Entwicklung an einem Produktionsprozess für einen in Embedded Systems und anderen Anwendungen verwendbaren FRAM-Speicher abgeschlossen.

0,2 Micron DRAMs und 0,4 Micron SDRAMs werden nicht mehr gebaut. Toshiba will im Rahmen der Überarbeitung seiner Speicherproduktionsstrategie, die sich auf Grund der Überangebote sowie der schwachen Marktnachfrage und der daraus entstandenen Preiseffekte ergeben hat, eine Produktionsanlage (Fab 1) im Werk in Yokkaichi schließen und nur die Produktionsanlage Fab 2 weiter betreiben. Die mehr als 300 Arbeiter der Fab 1 sollen künftig größtenteils in andere Anlagen arbeiten.

Neue Technik ermöglicht kleine DDR-SDRAM-Module mit Taktraten über 333 MHz. Dank geringer Wartezeiten (Latenz) und hoher Bandbreite werden Double-Data-Rate-(DDR-)Speicher immer häufiger in Server-, Telekommunikations- und anderen rechenintensiven Bereichen eingesetzt. Mit einer neuen Komponente will Philips Semiconductors DDR-Speicher auf 333 MHz und höher takten, während gleichzeitig der Stromverbrauch und der Platzbedarf verringert werden.

Speicher so günstig wie nie zuvor. Die DRAM-Industrie geht in 2001 ihrem schwersten Jahr entgegen: Der Umsatz werde um 55,5 Prozent gegenüber 2000 abnehmen, so die Gartner-Tochter Dataquest. Die weltweiten DRAM-Umsätze sollen von 31,5 Milliarden US-Dollar in 2000 auf 14 Milliarden US-Dollar in 2001 sinken. Zumindest die Kunden können sich derzeit jedoch nicht beschweren: Die Speicherpreise sind so niedrig wie nie zuvor.

Rambus nennt Pläne für die nächsten vier Jahre. Das Speichertechnologie-Unternehmen Rambus hat seine Pläne für RDRAM-Weiterentwicklung bekannt gegeben: Bis 2005 soll, dank einer Anhebung der Taktfrequenz auf 1200 MHz und Verbreiterung des bisher nur 16 bit breiten Datenbus auf 32 bit und 64 bit, eine Speicherbandbreite von bis zu 9,6 GB/Sekunde erreicht werden.

RLDRAM soll zunächst Datenraten bis zu 600 Mbit/s pro Pin bieten. Mit schnelleren Speicher-Bausteinen wollen Infineon und Micron höhere Datenraten ermöglichen. Gemeinsam entwickeln sie eine neue Familie von Hochleistungs-DRAM-Speicherbausteinen mit reduzierter Latenzzeit (Reduced Latency DRAM, RLDRAM), die speziell für den Einsatz in Switches, Routern und anderen Anwendungen gedacht sind, die besonders schnelle Speicherzugriffszeiten erfordern.

Micron kündigt preiswerte PC2100-Module zum SDRAM-Preis an. Der Speicherhersteller Micron Technology hat angekündigt, seine DDR-SDRAM-Module in Zukunft zum gleichen Preis wie die langsameren SDRAMs anzubieten. Möglich sei die Preissenkung der DDR-SDRAMs durch Herstellungs- und Kostenvorteile, so Fred Waddel, Director of Sales von Microns Computing and Consumer Group.

Flash-Speicher mit Page-Modus und 32 Bit Bandbreite. AMD hat mit dem Am29PL320 einen Flash-Speicher mit dem breitesten Datenbus der Branche und Page-Zugriffszeiten ab 20 Nanosekunden vorgestellt. Durch die Kombination aus AMDs Flash-Technologie und 32-Bit-Page-Modus-Architektur ist er nach Unternehmensangaben die schnellste derzeit verfügbare asynchrone Lösung bei Flash-Speichern.

Schwacher Speicher- und Mobilfunkmarkt lässt Infineons Gewinne schmelzen. Der Chiphersteller Infineon hat im zweiten Quartal seines Geschäftsjahres 2001 (1.1. bis 31.3.2001) seinen Umsatz gegenüber dem zweiten Quartal des Vorjahres um 8 Prozent auf 1,65 Milliarden Euro gesteigert. Diese positive Umsatzentwicklung sei geprägt durch die weiterhin starke Nachfrage in den Geschäftsbereichen Drahtgebundene Kommunikation, Sicherheits- & Chipkarten-ICs sowie Automobil- & Industrieelektronik.

Grund: Speicherkapazität in MP3-Playern wächst. Nach Markterhebungen des US-Marktforschungsinstitutes NPD Intelect steigt der durchschnittliche Preis von MP3-Playern durch die serienmäßig immer höhere Speicherkapazität. Im Februar 2001 war der Preis eines Players um ungefähr 18 Prozent höher als noch vor Weihnachten 2000.

Alternative zu teureren SRAM-Speichern. Infineon hat eine neue DRAM-Produktlinie vorgestellt, die speziell für den Markt der Netzwerk-Applikationen ausgelegt ist. Das RLDRAM (Reduced Latency DRAM) erfüllte alle wichtigen Kriterien in Netzwerk- und Cache-Applikationen, wie hohe Speicherkapazität, hohe Bandbreite und schnellen SRAM-ähnlichen, wahlfreien Speicherzugriff.

Speicherbausteine kommen ohne Kühlkörper aus. Infineon hat einen neuen 128-Mbit-DDR-(Double-Date-Rate-)SGRAM-(Synchronous-Graphics-RAM-)Baustein für leistungsfähige 3D-Grafik-Applikationen eingeführt, der mit bis zu 300 MHz betrieben werden kann.

184-Pin-SDR/DDR-Share-Mode-Memory-Spezifikationen angekündigt. SiS hat eine 184-Pin SDR/DDR Share Mode Memory genannte Spezifikation für Speichermodule angekündigt. Diese erlaubt - wie der Name es schon andeutet - die wahlweise Nutzung von herkömmlichen Single Data Rate (SDR) SDRAMs und den seit kurzem erhältlichen, schnelleren Double Data Rate (DDR) SDRAMs in ein und demselben DIMM-Sockel.

Studie über Marktchancen der neuen DRAM-Technologien. Eine Entscheidung, welche der derzeit aktuellen DRAM-Technologien (Dynamic Random-Access Memory ) in Zukunft die Nase vorn haben wird, fällt nicht mehr in diesem Jahr, zu diesem Schluss kommt zumindest die Gartner-Tochter Dataquest. Die Kandidaten heißen aber klar Double Data Rate DRAM (DDR DRAM) und Rambus DRAM (RDRAM).

RAM-Preise steigen sprunghaft an. Die Preise für RAM sind heute bei etlichen Händlern sprunghaft angestiegen. Grund hierfür scheint der aktuell nahezu leergefegte Markt zu sein.

Finanzielle Unterstützung durch Intel zur Erweiterung der Kapazitäten. Der Prozessorhersteller Intel wird den Speicherhersteller Samsung Electronics finanziell unterstützen, damit dieser seine Produktion von Rambus DRAMs (RDRAM) steigern kann. Die monatliche Fertigung von 128 Mbit RDRAMs will Samsung ab März in relativ kurzer Zeit stückweise auf mindestens 10 Millionen Stück steigern.

Retail-Speicher etwas teurer. Mit Endkundenpreisen von unter 90 DM pro 128 MB PC-133-SDRAM OEM-Speicherriegel hat der Speicherpreis einen neuen Tiefststand erreicht. Der anhaltende Speicherpreisrutsch und die niedrigen Prozessorpreise machen es damit sehr einfach, preiswerte und trotzdem leistungsfähige PCs zusammenzustellen.

Neues Speicherinterface soll Bandbreite erhöhen. Das streitbare Speichertechnologie-Unternehmen Rambus hat auf der heute beendeten dreitägigen International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) in San Francisco zwei technische Entwicklungen angekündigt, die RDRAMs schneller machen sollen. Deren Bandbreite soll dank eines überarbeiteten Direct Rambus Speicherinterfaces in Zukunft 2,2 GB/Sekunde anstelle von 2,1 GB/Sekunde betragen.

MRAM-Speicher soll in drei Jahren in Consumer-Geräten zu finden sein. Der Motorola-Geschäftsbereich Halbleiter hat einen neuen 256K-MRAM-(Magnetoresistive-Random-Access-Memory-)Speicherchip vorgestellt. Der nichtflüchtige 256K-MRAM-Baustein basiert auf einer Speicherzelle mit einem einzigen Transistor (1T) und einer einzigen Magnetic Tunnel Junction (MTJ) mit Schreib- und Lesezeiten von weniger als 50 ns.

MatchBookDrive Adapter wird ab Mitte Februar ausgeliefert. Vor kurzem berichteten wir über einen FlashAdapter von Kopsis für Visor-PDAs von Handspring zum Selberbauen. Nun verkauft die Firma MatchBook in den USA den fertigen Adapter unter der Bezeichnung MatchBookDrive Adapter. Damit lässt sich der Speicher von Compact-Flash-Speicherkarten des Typs 1 mit einem Visor nutzen.

Kooperation soll kommerzielle Verfügbarkeit beschleunigen. Infineon Technologies und Toshiba haben gestern eine Vereinbarung über die gemeinsame Entwicklung einer nichtflüchtigen Speichertechnologie und von Produkten auf Basis des ferroelektrischen Prinzips bekannt gegeben.

Abwärtskompatible fünfte MO-Generation von Sony. Sony hat die 14x-Generation von 5,25-Zoll magneto-optischen (MO) Laufwerken und Medien vorgestellt. Das interne Laufwerk SMO-F561 und das demnächst verfügbare externe MO-Laufwerk RMO-S561 verfügen über eine Kapazität von jeweils 9,1 GByte.

Gemeinsame Entwicklung von nicht-flüchtigem MRAM. IBM und Infineon Technologies wollen gemeinsam eine neuartige Speichertechnologie entwickeln. Sie soll dazu beitragen, die Batterie-Lebensdauer in portablen Systemen deutlich zu verbessern und es Computern darüber hinaus ermöglichen, nach dem Einschalten sofort betriebsbereit zu sein.

Angeblich denkt Intel über die Lizenzierung des Pentium-4-System-Bus nach. Offenbar hat Intel einen Ausweg aus seinem Rambus-Dilemma gefunden. US-Medien berichten, Paul Otellini, General Manager von Intel Architecture Group, habe auf der Comdex erklärt, dass Intel darüber nachdenke, den System Bus des Pentium 4 an andere Hersteller zu lizenzieren. Damit wäre es Drittherstellern möglich, recht bald einen Chipsatz für Intels neuen Prozessor auf den Markt zu bringen, der mit DDR-RAM arbeitet.

AMD-760-Chipsatz und Athlon mit 266 MHz sollen Dampf machen. Auf Pressekonferenzen in Tokio, Taipeh und Paris stellt AMD heute den neuen AMD-760-Chipsatz und damit die erste kommerzielle Computerplattform auf Basis der Double-Data-Rate-(DDR-)Speichertechnologie. Zudem führt AMD neue Athlon-Prozessoren ein, die mit einem 266-MHz-Front-Side-Bus arbeiten und so die Möglichkeiten der DDR-Speichertechnologien besser ausnutzen können.

Apollo-Pro266-Chipsatz mit DDR-SDRAM soll RDRAM-Konkurrenz überlegen sein. Nach der Pannenserie, die Intel mit der Rambus-Speichertechnologie einstecken musste, ist mit dem vom taiwanesischen Mitbewerber VIA vorgestellten Apollo-Pro266-Chipsatz der erste PC-Chipsatz erhältlich, der das konkurrierende DDR-SDRAM unterstützt. Die Hardware-Site tecChannel.de hat ein erstes Celeron- und Pentium-III-Mainboard mit dem neuen Chipsatz getestet und war mit den Ergebnissen mehr als zufrieden.

Spezielle Polymerasekettenreaktion zum Auslesen von digitalen Nachrichten. An der Entschlüsselung des Erbgutmoleküls DNA arbeiten Wissenschaftler auf der ganzen Welt. Dass als Ergebnis nicht nur medizinischer Fortschritt herauskommt, berichtet jetzt eine gemeinsame Arbeitsgruppe der Universitäten Dortmund und Köln, die eine Anwendung des biologischen Trägers der Erbinformationen als digitalen, verschlüsselten Datenspeicher erforscht.