Motorola demonstriert neue Speichertechnologie MRAM
Speichertechnologie für die drahtlose Zukunft
Die Entwicklungsabteilung von Motorola, Motorola Labs, hat gemeinsam mit den DigitalDNA Laboratories eine neue Speichertechnologie entwickelt, die die aktuellen Speichertechnologien auf Halbleiterbasis ablösen soll. Der "universelle Speicher" erlaube die Integration mehrerer Speicheroptionen in einem Chip und soll damit eine schnellere sowie strom- und kostensparende Lösung für drahtlose Produkte der nächsten Generation darstellen.
Man habe den nichtflüchtigen 3-Volt-"Magnetoresistive Random Access Memory" (MRAM) mit einer Zugriffszeit von weniger als 15 Nanosekunden erfolgreich demonstriert und mit wenigen Milliarden Schreibzyklen bewiesen, dass er unendlich oft wiederbeschreibbar ist.
Erstmals habe man über einen MRAM-Test-Chip im Februar mit einer Zugriffszeit von 24 Nanosekunden berichtet, auf der IEEE International Magnetic Conference im April dann erreichte man 14ns. Durch die Integration von Advanced CMOS und MRAM will man nun die Performance weiter steigern. Mit MRAM zielt Motorola auf Embedded-System-on-Chip-Lösungen für das eigene Halbleitergeschäft ab. So soll es auf Grund seiner Charakteristik in portablen Geräten wie Organizern, Geräteelektronik, Automobilelektronik sowie Laptops zum Einsatz kommen.
MRAM soll dann die Performance aktueller Speichertechnologien wie nichtflüchtigem Flash-Speicher vor allem beim Schreiben übertreffen. MRAM soll dabei Features wie "Instant on" ermöglichen und so die Bootzeit eliminieren. Im Gegensatz zu DRAM soll es vor allem durch den geringen Stromverbrauch überzeugen, da kein Refreshing nötig ist.
Motorola geht davon aus, dass die ersten Produkte mit MRAM bereits in einigen Jahren erhältlich sein werden, derzeit arbeite man noch an einer Steigerung der Speicherdichte.
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