RAM

"Mezzanine Connector" mit 214 Pins. Infineon hat mit dem DDR2-Micro-DIMM (Dual-Inline Memory Module) ein Speichermodul speziell für Sub-Notebooks vorgestellt. Das neue, den Spezifikationen des Jedec-Konsortiums entsprechende Miniatur-Speichermodul belegt bei gleicher Speicherkapazität nur etwa 65 Prozent des Platzbedarfes eines herkömmlichen SO-DIMMs (Small Outline - DIMM).

Nur zwei Hersteller sollen Intels Übertaktungsschutz bisher überlistet haben. Wenn schon in wenigen Wochen DDR2-Speicher mit 667 MHz (166 MHz x 4) auf den Markt kommen, werden die meisten neuen Grantsdale- und Alderwood-Mainboards nur DDR2-533-Speicher ausnutzen können. Laut Toms Hardware hat Intel die Chipsätze mit einem Übertaktungsschutz für den Systembus versehen.

Laut Hersteller auch für Apples PowerMacs geeignet. Der Schweizer Speicherhersteller Swissbit Group liefert das nach eigenen Angaben weltweit erste 2-GByte-DDR-SO-DIMM für PC-Notebooks und Apples Powerbooks. Seinen Einsatz finden soll das neue Modul in Geräten, die für Grafikverarbeitung oder auch Spiele genutzt werden.

Werk in Richmond soll mit 300-mm-Technik ausgestattet werden. Infineon will die Kapazität seines Halbleiterwerks in Richmond (USA) erweitern. Dazu sollen in einer ersten Phase Systeme für die Fertigung modernster DRAM-Chips auf 300-mm-Wafern installiert werden, so dass die Produktion ab Anfang 2005 beginnen kann. Die Investitionen belaufen sich dabei insgesamt auf rund eine Milliarde US-Dollar.

Für den Einsatz etwa in Blade-Servern gedacht. Infineon Technologies kann die ersten Muster seines 2-GByte-DDR2-DIMMs in planarer Bauform ausliefern, nur bei den 4-GByte-Modulen des Herstellers müssen die Chips aus Platzgründen noch gestapelt werden. Besonders für den Einsatz in flachen Blade-Servern sollen die neuen Speichermodule interessant sein.

Passende Mainboards für neuen Pentium 4 sollen im 2. Quartal 2004 kommen. Die Micron-Tochter Crucial will nun auch in Europa DDR2-SDRAMs liefern können. Nur die passenden Mainboards gibt es noch nicht.

DRAMeXchange erwartet für 2004 neues Preishoch. Ende März 2004 prophezeite DRAMeXchange eine Preisbewegung im Speichermarkt, die Anfang April nun auch eingetroffen ist. Im Spot-Markt wurden etwa DDR256-SDRAMs zwischen 30. März und 6. April um 22 bis 23 Prozent teurer, selbst bei langfristigen Lieferverträgen stiegen die Preise um 10 Prozent. Aus Sorge vor weiteren Preiserhöhungen sowie für das zweite Halbjahr 04 erwarteten Engpässen sollen PC-Hersteller, Modul-Hersteller und Channel-Marketer zwecks Inventar-Aufbaus bereits in Kaufrausch verfallen sein.

Künstliche Verknappung des DRAM-Angebots seit Mitte März 2004. Im Einzelhandel sind die Speicherpreise etwa Mitte März 2004 merklich gestiegen, so kosten mittlerweile 256-MByte-DDR-SDRAM-Module etwa 10 Euro mehr als noch Anfang des Monats. Auslöser sind laut dem Speichermarkt-Analysten von DRAMeXchange unter anderem durch künstliche Verknappung steigende Preise auf dem Spot-Markt.

Größere Speicherkapazitäten für Server und Workstations. Micron hat die ersten vier Gigabyte fassenden DDR2-Registered-Dual-In-Line-Memory-Module (RDIMM) an Intel zur Bemusterung ausgeliefert.

Bis zu 192 GByte Hauptspeicher und 40 GByte/s. Intel hat auf seiner Hausmesse IDF Pläne für eine neue Speicher-Verbindungstechnik vorgestellt. Wie schon vorab bekannt wurde, wird die FB-DIMM getaufte Technik zusammen mit anderen Industriepartnern entwickelt und soll im Vergleich zur herkömmlichen "Stub-Bus-Architektur" deutlich höhere Bandbreiten und Speicherkapazitäten erlauben.

Im Test bis zu 3,6 GBit/s pro Pin übertragen. Intel arbeitet an einem neue6n schnellen Verbindungsschema für DRAM, berichtet die US-Site EETimes. Die neue Technik soll sich zusammen mit DDR- und DDR2-Speicherchips nutzen lassen, aber höhere Kapazitäten und Geschwindigkeiten erlauben.

Einmalspeicher soll 1 GByte Daten in einem Kubikzentimeter unterbringen. Ingenieure der Princeton Universität und von Hewlett-Packard haben eine neue Materialkombination entwickelt, die zu billigeren und extrem kompakten Speichergeräten führen könnte. Dies könne die Grundlage für eine einmal beschreibbare Speicherkarte darstellen, die Daten permanent speichert und dabei schneller sowie einfacher zu verwenden ist als eine CD. Da die Geräte ohne bewegliche Teile auskommen, könnten die Laufwerke recht klein ausfallen.

SiSR659 mit dynamischem Look-Ahead-Buffer und "Adaptive Page Management". Ein neuer Pentium-4-Chipsatz von Silicon Integrated Systems (SiS) soll die Dual-Channel-DDR-Konkurrenz bei der verfügbaren Speicherbandbreite um 50 Prozent überflügeln, verspricht zumindest der Hersteller. Möglich sei dies durch den Einsatz von 4-Kanal-1200-MHz-RDRAMs und einige Tricks der Chipsatzentwickler.

Nicht flüchtiger Speicher in 0,18-Mikron-Technologie gefertigt. Motorola hat nach eigenen Angaben die ersten MRAM-Chips mit 4 MBit produziert, die nun von ausgewählten Kunden evaluiert wurden. Der Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) soll aktuelle Speichertechnologien ablösen, verspricht die MRAM-Technologie doch schnelle und haltbare, nicht flüchtige Speicher.

Kompakter Baustein kombiniert Arbeitsspeicher und Code-Ausführung. Intel stellte auf dem Intel Developer Forum in Taipeh das so genannte StrataFlash Wireless Memory System vor, welches Arbeitsspeicher, Code-Ausführung und Datenspeicherung in einem Baustein vereint, der besonders kostengünstig sein soll. Damit sollen Hersteller von künftigen Handys preisgünstig besonders kompakte Geräte fertigen können.

1-Gigabit-DDR2-533-Komponenten sollen ab Anfang 2004 produziert werden. Speicherhersteller Elpida gab jetzt die Entwicklung von 1-Gigabit-DDR2-SDRAM-Komponenten bekannt, die mit 533 Megabits pro Sekunde (Mbps) laufen und in einem 0,10-Mikron-Prozess gefertigt werden. Laut Elpida handelt es sich dabei um den derzeit schnellsten Speicher in höchster Dichte, der für den Einsatz als Hauptspeicher in Servern, Workstations, Desktop-PCs und Notebooks vorgesehen ist.

Micron soll Finanzmittel zur Produktion von DDR2-Speicher nutzen. Prozessorhersteller Intel investiert 450 Millionen US-Dollar in den Speicherhersteller Micron Technology und erhält im Gegenzug rund 5,3 Prozent Anteile an Micron. Mit dem Geld soll Micron zum einen den Umstieg auf 300-mm-Wafer finanzieren, zum anderen aber auch die Produktion von DDR2-Speicher erhöhen.

Zweimal 512 MByte Registered DDR400/PC3200-SDRAM im Paket. Nachdem Registered-DIMMs aus DDR400-SDRAM-Chips bis jetzt nicht von der JEDEC spezifiziert sind, gibt es auch nach der gestrigen Einführung des Athlon64-Top-Modells Athlon64 FX-51 nur wenige passende Speichermodule. Der Speicherhersteller Kingston Technology will dies nun etwas lindern, kündigte aber auch nur eine begrenzte Verfügbarkeit von gepufferten DDR400/PC3200-Speicher-Modulen für Hersteller und PC-Bastler an.

Samsung: DDR2-533 wird 2004 zum Standard-Speicher. Geht es nach Intel und diversen Speicherherstellern, so soll ab Anfang 2004 DDR2 die aktuelle DDR-Speichergeneration ablösen. DDR2 verspricht eine höhere Performance als DDR-333 und soll dabei die Probleme von DDR-400 in Sachen Strombedarf, Wärmeentwicklung und Kapazitäten umgehen.

Erste DDR2-DIMMs mit Elpida-Speicherchips erfolgreich von Kingston getestet. Nachdem Kingston im August 2003 in den japanischen Speicherhersteller Elpida investierte, haben die Partner nun den erfolgreichen Test von Elpidas ungepufferten DDR2-533-SDRAM-Chips auf einem 512-MByte-Speicherriegel von Kingston verkündet. Bis die DDR2-DIMMs jedoch marktreif sind, wird es noch etwas dauern - Kingston will Chipsatz- und Mainboard-Herstellern ab Ende 2003 Testmuster zur Verfügung stellen.

Samsung will sein Engagement für RDRAM unterstreichen. Samsung hat begonnen, 576-MBit-RDRAM in Serie zu fertigen. Die neuen Speicherchips sollen vor allem im High-End-Bereich, beispielsweise bei Supercomputern, zum Einsatz kommen und Verarbeitungsraten von 1.200 MBit pro Sekunde erreichen.

Zusätzliche 23 Millionen US-Dollar zur DRAM-Produktionssteigerung. Nachdem Intel bereits im Juni 2003 eine Investition von rund 100 Millionen US-Dollar in den japanischen DRAM-Hersteller Elpida vertraglich vereinbarte, wird diese Summe nun um 23 Millionen US-Dollar aufgestockt. Intel erhält dafür nicht stimmberechtigte Anteile an Elpida, während Elpida mit dem Geld seine DRAM-Produktion ausbauen will - auch im Bereich DDR2-SDRAM, welches Intels Chipsätze ab 2004 unterstützen sollen.

Investition von 50 Millionen US-Dollar für die Produktionssteigerung. Kingston Technology hat 50 Millionen US-Dollar in den Speicherhersteller Elpida Memory investiert, im Gegenzug erhält Kingston nicht stimmberechtigte Elpida-Aktien. Der Vertrag wurde bereits am 19. August 2003 getroffen, aber erst jetzt bekannt gegeben - Elpida will das Geld zur Steigerung seiner DRAM-Produktion nutzen.

Ermöglicht High-End-Grafikkarten mit bis zu 512 MByte Speicher. Im Juli 2002 hatte Samsung Electronics als Erster ein funktionsfähiges 1-Gbps-128-MBit-GDDR2-SDRAM entwickelt, nun hat das Unternehmen die Produktion von 256-MBit-GDDR2-SDRAMs gestartet. Das von der Speicherindustrie-Vereinigung JEDEC standardisierte Graphics-Double-Data-Rate2-(GDDR2-)SDRAM soll herkömmliches DDR- und DDR2-SDRAM auf Grafikkarten ablösen und mehr Leistung bringen, wird aber voraussichtlich im September 2003 schon durch den Nachfolgestandard GDDR3 abgelöst.

Werden DDR500-Speichermodule bald billiger? Der koreanische Speicherhersteller Hynix hat ein 256-MBit-DDR-SDRAM entwickelt, das mit 500 MHz DDR-Takt bzw. echten 250 MHz läuft. Bereits im August 2003 will Hynix die Massenproduktion des neuen Speicher starten.

Neue PC4000- und PC3700-Speichermodule. Kingston bringt unter seiner High-End-Marke HyperX neue DDR-Speicherriegel für Taktfrequenzen von 500 MHz (PC4000) bzw. 466 MHz (PC3700) auf den Markt. Mit den neuen Speichermodulen richtet sich Kingston vor allem an ambitionierte Spieler und PC-Enthusiasten.

ATI und Nvidia haben bereits erste GDDR3-Muster zum Testen erhalten. ATI und Nvidia haben von Micron Technology die ersten Muster des speziell für die Bedürfnisse von Grafikprozessoren ausgelegten GDDR3-Speichers erhalten. Das "Graphics Double Data Rate SDRAM" ist nicht nur für High-End-PC-Grafikkarten, sondern auch für Spielekonsolen und Netzwerkhardware gedacht, die besonders hohe Datenraten benötigen.

Bericht: Intel legt RDRAM-Chipsätze auf Eis. Intel hat entschieden, die Produktion seiner Rambus-Chipsätze 850E und 860 einzustellen, das berichtet die taiwanesische IT-Site DigiTimes unter Berufung auf Mainboard-Hersteller. Allerdings werde Intel auf Kundenwunsch auch weiterhin Rambus-Chipsätze zur Verfügung stellen, heißt es weiter.

Weltweit kleinster 256-MBit-DRAM bringt Kostenvorteile von 30 Prozent. Infineon hat die Serienproduktion von DRAMs in einer 0,11-Mikron-Technologie gestartet. Muster von hochintegrierten 256-MBit-DRAMs, die mit dem 0,11-Mikron-Prozess gefertigt werden, sind bereits erfolgreich von Intel validiert und auch an strategische Kunden ausgeliefert.

Stromsparender DDR266/333-Speicher in Massenproduktion. Der Elektronikgigant Samsung hat stromsparende DDR266/333-Speichermodule für Notebooks angekündigt, die eine Kapazität von 1 GByte bieten. Auf den neuen "Small Outline Dual Inline Memory Modules" (SODIMMs) finden sich 16 Stück 512-Mbit-Speicher-Chips.

Infineon liefert HF-Transceiver für W-CDMA/UMTS-Applikationen. Infineon Technologies kündigte mehrere Neuentwicklungen aus dem Bereich Speicherprodukte an, darunter DRAM-Chips, Speicher für batteriebetriebene Systeme und Netzwerke. Außerdem sind von Infineon die ersten Muster eines vollintegrierten Single-Chip-HF-Tansceivers für W-CDMA/UMTS-Applikationen verfügbar.

Präsentation auf der CeBIT 2003, Auslieferung ab Ende März 2003. Der taiwanesische Hersteller TwinMOS will Ende März 2003 als einer der ersten mit der Auslieferung von DDR466/PC3700-SDRAM-Modulen beginnen, auch wenn es dafür derzeit keinen JEDEC-Standard gibt. Mit Taktraten von bis zu 233 MHz (entspricht 466 MHz DDR) soll damit eine maximale Bandbreite von 3.728 MByte pro Sekunde geboten werden.

Hohe Leistung dank 4-Kanal-Speicherzugriffen versprochen. Der Chipsatzhersteller Silicon Integrated Systems (SiS), der Elektronik- und Speicherhersteller Samsung Electronics, der Mainboard-Hersteller ASUS sowie das Speichertechnologie-Unternehmen Rambus haben die gemeinsame Entwicklung eines neuen RDRAM-basierten PC-Chipsatzes angekündigt. Das SiS R659 getaufte Produkt soll dank 4-Kanal-Speicherzugriffen besonders hohe Leistung für PC-Workstations und Spiele-Rechner bieten.

Neue PC3200-DIMMs für leistungsstarke PC-Speicher. Infineon kündigte heute die Verfügbarkeit von DDR400-Speichermodulen an, die mit Kapazitäten von 128, 256 und 512 MByte zu haben sind. Sie basieren auf einem 256-Mbit-DDR-Chip mit 400 Mbit/s, wurden auf Einhaltung der Intel-Spezifikationen geprüft und erfüllen die Anforderungen des neuen JEDEC-PC3200-Standards mit einer Speicher-Bandbreite von 3,2 Gbyte/s.

Memory-Module HyperX PC3000 und PC3500 für Spielefreaks. Mit seinen neuen HyperX-Modulen engagiert sich Kingston im Bereich für High-Performance-Speicher und liefert DDR-SDRAM-Module mit getesteten 434 MHz aus. Der Hersteller verspricht zudem ein "beträchtliches" Overclocking-Potenzial.

PC133-Speicher wird teurer. Die Preise für DDR-Speicher sind in den vergangenen Wochen deutlich gesunken, während der ältere und langsamere PC133-Speicher im Preis steigt. So verbilligten sich PC2100-Speichermodule (DDR-RAM) gegenüber November um teilweise über 30 Prozent und sind damit teilweise billiger zu haben als PC133-Module in gleicher Größe.

Zudem zwei neue DDR-SDRAM-Module mit niedrigen Latenzzeiten für Power-Nutzer. Corsair liefert seine schnellen DDR-SDRAM-Speicher (CL-2) in Zukunft auch in Versionen mit bereits von vornherein im SPD eingestellten niedrigen Latenzzeiten (Low Latency, LL) aus, so dass Besitzer aktueller, schneller Mainboards keine Einstellungen im PC-BIOS mehr vornehmen müssen. Zudem bietet Corsair nun Speicher-Module im Doppelpack speziell für Mainboards mit Nvidias Nforce2-Chipsatz.

Konzentration auf drahtlose Netzwerke und Embedded-Systeme. Um sein Engagement auf den sich gut entwickelnden Märkten auf dem Gebiet der High-End-Kommunikation und Unterhaltungselektronik zu verstärken, hat AMD angekündigt, innerhalb der Speichersparte AMDs eine Geschäftssparte für drahtlose Netzwerke (Wireless Business Unit) und für Embedded-Lösungen (Embedded Business Unit) zu schaffen.

Hohe Kapazitäten durch Sandwichtechnik. Der Speicherhersteller Kingston hat die Verfügbarkeit von 1-GByte-DDR-266-PC2100-Module angekündigt. Die in einem niedrigen Huckepack-Profil gefertigten Module sollen durch ihre niedrige Bauhöhe auch in beengten Verhältnissen untergebracht werden können.

ATI und DRAM-Industrie legen Spezifikationen für schnelle Grafikspeicher fest. Der Grafikchiphersteller ATI und die Speicherhersteller Elpida, Hynix, Infineon und Micron haben einen neuen Speichertyp entwickelt, der höhere Geschwindigkeiten als das aktuelle DDR-SDRAM und dessen Nachfolger DDR-II bieten soll. Die Spezifikationen des neuen GDDR3 wurden nun fertig gestellt und sollen ab nächstem Jahr Grafikkarten Beine machen.

Einzelne Atome markieren Nullen und Einsen. Schon 1959 behauptete der Physiker Richard Feynman, dass man alle Wörter, die bis dato jemals geschrieben wurden, in einem Würfel von grob geschätzt 0,1 mm Kantenlänge unterbringen könnte, wenn man die Informationen als einzelne Atome abspeichern könnte. Nun haben Wissenschaftler der University of Wisconsin-Madison einen Speicher entwickelt, der einzelne Silizium-Atome für die Codierung von Nullen und Einsen verwendet.

Speichermedium kann als NTFS-Dateisystem formatiert werden. Ab sofort bietet Memorysolution einen USB-Stecker auch mit einer Speicherkapazität von 512 MB an. Das kompakte USB-Speichermedium kann im NTFS-Format "formatiert" werden und ist auch als Bootdevice zu benutzen, so der Hersteller.

Pentium-4-Chipsatz SiSR658/SiS963 angekündigt. Silicon Integrated Systems (SiS) neuer Pentium-4-Chipsatz SiSR658 ist der erste Chipsatz, der Dual RDRAM mit einer Taktrate von 1.066 MHz unterstützt. Damit soll eine Speicherbandbreite von 4,2 GByte/s erzielt werden, der Datenaustausch zwischen North- und Southbridge (SiS963) soll dank SiS MuTIOL-Technik bei bis zu 1 GByte/s liegen.