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Infineon stellt neue mobile Speicherchips vor

DDR2-SO-DIMMs mit bis zu einem GByte Kapazität

Infineon kündigte heute einige neue Speicherprodukte für mobile Anwendungen wie Notebooks, Handys und PDAs an, darunter 1-GByte-SO-DIMMs vom Typ DDR2-400 und DDR2-533 auf Basis von 512-MBit-DDR2-Einzelchips.

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Die laut Infineon besonders "dünnen" Speichermodule zielen auf die nächste Generation von Notebooks und Laptops mit ihren noch schlankeren Abmessungen ab. Durch das "planare" Design der SO-DIMMs können 16x512-MBit-DDR2-Einzelchips beidseitig auf dem Modul platziert werden, so dass eine Kapazität von 1 GByte erreicht wird.

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Bisher waren 1-GByte-DDR2-SO-DIMMs nur mit einem Stack-Aufbau realisierbar, wobei zwei Speicherchips übereinander in einem Gehäuse "gestapelt" werden. Dieser Aufbau überschreitet jedoch die von JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) geforderte maximale Dicke von 3,8 mm zur Erfüllung der platzbedingten und thermischen Anforderungen. Die platzsparenden planaren 1-GByte-DDR2-SO-DIMMs von Infineon liegen mit 3,8 mm Dicke also noch in der Spezifikation.

Für Hersteller gedachte Muster des 1-GByte-SO-DIMM DDR2-400 sind für 300,- US-Dollar verfübar, Gleiches gilt für das 1-GByte-SO-DIMM DDR2-533, dessen Muster 400,- US-Dollar pro Stück kosten.

Ebenfalls vorgestellt wurde eine neue Mobile-RAM-Generation für PDAs und Mobiltelefone mit 1,8-V-Stromversorgung. Die Speicherkomponenten bieten Kapazitäten von 128 MBit bzw. 256 MBit und sollen die Leistungsaufnahme im Vergleich zu Standard-SDRAMs um 80 Prozent reduzieren. Ein von Infineon entwickelter, integrierter Temperatursensor passt die Refresh-Rate selbstständig an die aktuelle Sperrschicht-Temperatur des Chips an, ohne hierfür CPU-Leistung zu benötigen.



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