Samsung: Sparsames und schnelles LPDDR3 mit 20 nm für mobile Geräte
Mit bis zu 2.133 Megabit pro Pin arbeitet Samsungs neuer LPDDR3-Speicher. Vier Chips lassen sich in einem Gehäuse zusammenfassen, was in Smartphones und Tablets recht einfach 2 Gigabyte ermöglicht.
Samsung hat die Serienfertigung von DRAM nach dem Standard Low-Power-DDR3 in einer Strukturbreite von rund 20 Nanometern aufgenommen. Wie bei Speicherbausteinen inzwischen üblich, gibt Samsung die genaue Strukturbreite nicht an, das neue "20-nanometer-class mobile DRAM" kann damit in einem Bereich von 20 bis 30 Nanometern liegen. 30 bis 40 Nanometer werden als 30-Nanometer-Klasse bezeichnet.
Einen solchen Baustein hatte Samsung bereits vor gut einem Jahr vorgestellt, nun ist die Verkleinerung auf rund 20 Nanometer gelungen. Die Kapazität hat Samsung nicht erhöht, sie liegt weiterhin bei 4 Gigabit pro Die. Vier der Chips können aber in einem Package zusammengefasst werden, so dass sich auf der Grundfläche eines Bausteins 2 Gigabyte Hauptspeicher ergeben.
2 GByte sind für aktuelle Smartphones guter Standard, bei größeren Geräten wie Tablets mit mehr Platz für Speicherchips können über zwei der Samsung-Packages auch 4 GByte untergebracht werden. Die Bausteine sind nur 0,8 Millimeter dick.
Gegenüber der 30-Nanometer-Klasse, die 800 Megabit pro Pin übertragen konnte, hat Samsung die Bandbreite auf 2.133 Megabit pro Pin gesteigert. Die effektive Bandbreite soll sich dadurch um 30 Prozent gesteigert haben, die Leistungsaufnahme aber um 20 Prozent gesunken sein. Mehr Tempo und geringerer Energiebedarf waren offenbar die Hauptanforderung bei der Entwicklung.
Samsung liefert die neuen LPDDR3-Bausteine bereits aus, die Preise nennt das Unternehmen nur auf Anfrage von Geräteherstellern. Im Laufe des Jahres 2013 sollen die Fertigungskapazitäten ausgebaut werden, aus gutem Grund: Laut den Marktforschern von Gartner sollen 2013 die mobilen Speicherchips mit 10 Milliarden US-Dollar Umsatz 35 Prozent des gesamten weltweiten DRAM-Markts ausmachen.
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