RAM

Alle Jahre wieder: Rambus hat sein Patentabkommen mit AMD erneuert und um fünf Jahre verlängert. Der Prozessorentwickler muss dem Speicherspezialisten jedes Quartal einen Obolus bezahlen.

Höhere Datenrate und mehr Kapazität: Der Videospeicherstandard GDDR5X für Grafikkarten ist offiziell. Neben Erfinder Micron können ihn nun weitere Hersteller produzieren.

Die neue R-Serie, intern Merlin Falcon genannt, arbeitet als erster AMD-Chip mit DDR4-Arbeitsspeicher zusammen. Die Embedded-Variante von Carrizo ist kleiner und schneller als ihr Vorgänger. Die 4K-tauglichen Chips stecken in Arcade-Automaten.

Wie angekündigt ist die Rekordübernahme von EMC heute offiziell bestätigt worden. Michael Dell wird Chef des neuen Unternehmens. Ein Weiterverkauf von VMware wurde offenbar verworfen.

Dell könnte laut übereinstimmenden Medienberichten den Kauf von EMC noch heute ankündigen. Damit würde sich weltweit die IT-Branche nachhaltig verändern. Und EMC hat eine Sonderklausel vereinbart.

In einem neuen Megadeal plant Dell offenbar den Kauf von EMC. Die Gespräche sollen schon weit fortgeschritten sein. An VMware hat der Konzern jedoch kein Interesse.

Ausblick auf 2017 und 2018: Eine Intel-Roadmap zur Server-Plattform Purley zeigt, dass die Skylake- und Cannonlake-EP-Prozessoren auf sehr schnellen Speicher und eine optische Datenübertragung setzen.

Längere Akkulaufzeit, weniger Ladepausen und besseres Multitasking: Im iPhone 6S und im iPhone 6S Plus stecken zwei GByte RAM, doppelt so viel wie in Apples bisherigen Smartphones. Vorerst unklar bleibt, ob es sich um sparsamen LPDDR4-Speicher handelt.

Flash Memory Summit 2015 Micron plant drei überarbeitete oder neue Speichertechnologien für 2016: Künftiges DRAM soll im 1X-nm-Verfahren produziert werden, die ersten 3D-TLC-Flash-Bausteine mit 48 GByte Kapazität in SSDs stecken und es sind auf 3D-Xpoint basierende Produkte geplant.

Update Flash Memory Summit 2015 Wie erwartet planen Intel und Micron den neuen 3D-Xpoint-Speicher entweder auf RAM-Riegeln oder auf PCIe-Steckkarten zu verbauen. Diese Produkte werden von Intel als Optane-Techologie vermarket.

Das ist Rekord: Gskills Trident-Z-Arbeitsspeicher läuft mit zwei GHz und damit fast doppelt so flott wie es die offiziellen DDR4-Spezifikationen vorsehen. Die Module sind vor allem für Übertakter gedacht, die sich ein Haswell-EP- oder Skylake-System kaufen möchten.

Schneller als nichtflüchtiger NAND-Speicher und mehr Kapazität als flüchtiger DRAM: 3D Xpoint soll eine Lücke zwischen beiden heutigen Technologien besetzen und neue Anwendungen möglich machen.

Fehlerhaft arbeitende Speicherchips sind möglicherweise ein größeres Sicherheitsrisiko als bisher gedacht. Einem Forscherteam ist es nun gelungen, einen sogenannten Rowhammer-Angriff mittels Javascript durchzuführen. Gegenmaßnahmen sind schwierig.

Die Jedec hat den Standard für NVDIMMs veröffentlicht. Die Speichermodule ermöglichen Hybrid-Arbeitsspeicher mit nichtflüchtigen Speicherzellen. Denkbar sind NAND-Flash und Memristor/ReRAM. Eine neue Bauform ist nicht notwendig, denn die Module verhalten sich wie DDR4-RAM.

Golem.de hat bei großen Root-Server-Anbietern nachgefragt, wie sie mit der Rowhammer-Lücke umgehen. Systeme mit ECC-Speicher sind vermutlich nicht betroffen und manchmal können Bios-Updates Angriffe erschweren.

16 statt 8 GByte auf einem Modul: Intelligent Memory hat den ersten Arbeitsspeicher für Notebooks vorgestellt, der durch Stapeln die Kapazität verdoppelt. Das ist praktisch für AMD- und Broadwell-Geräte mit nur einem SO-DIMM-Steckplatz.

Durch permanente Speicherzugriffe lassen sich bei manchen Arbeitsspeichermodulen Bits umkippen. Dadurch sind verschiedene Angriffe möglich. Der Fehler liegt in der Hardware, ohne einen Austausch der Speichermodule ist der Angriff kaum zu verhindern.

Mindestens ein Webbrowser soll durch die Umsetzung einer Speicherrichtlinie aus OpenBSD abgesichert werden. Dafür bezahlt die Stiftung des Betriebssystems einen Entwickler mit Erfahrung bei Libressl.

Die neuen GDDR5-Speicherbausteine fassen 8 GBit, also 1 GByte pro Chip. Damit könnten Grafikkarten mit doppelt so viel Videospeicher ausgestattet und die Playstation 4 könnte günstiger hergestellt werden.

Samsung hat die Serienfertigung von DDR4-DRAM in der Low-Power-Variante aufgenommen. Damit können 2015 erste Geräte mit den neuen Speichern erscheinen, neue SoCs sind schon darauf vorbereitet.

Die neuen Hashtabellen in PHP reduzieren den Speicherbedarf für Arrays deutlich, was auch die Leistung der Sprache steigert. Die finale Veröffentlichung ist für den Herbst nächsten Jahres geplant.

Eine Reihe kleinerer Fehler im Linux-Kernel erlaubt Zugriff auf den Speicher oder eine Rechteausweitung. Speicherfehler oder ein Absturz können aber ebenso durch Angreifer hervorgerufen werden.

Spansion, das frühere Joint Venture von AMD und Fujitsu, hat sich mit Cypress Semiconductor zusammengetan.

Die Ursache der Absturzprobleme besonders bei der 128-GByte-Version des iPhone 6 Plus sind offenbar die unzuverlässigen TLC-NAND-Speicherbausteine. Auch beim iPad Air 2 gibt es neue Berichte über Hardwareprobleme - allerdings einer ganz anderen Art.

Apples Mac Mini ist bisher nicht nur leicht zu öffnen, sondern vom Anwender auch mit neuem RAM aufrüstbar gewesen. Das ist beim neuen Mac Mini nun beides vorbei, wie die Profibastler von iFixit festgestellt haben.

Bisher ist der maximale Speicherausbau bei DDR4-Systemen wie für Intels Core i7-5960X durch die Größe der Module beschränkt. Samsung will das ändern und hat die Serienproduktion von DRAM-Chips mit 8 Gigabit pro Die aufgenommen.

Als einer der ersten Hersteller hat Samsung die Serienproduktion von Stacked-DDD4-RAM begonnen. Je vier gestapelte Speicherchips sind per TSV-Technik verbunden, ein RDIMM bietet 64 GByte Kapazität.

Für 10 US-Dollar im Monat bekommen Nutzer von Dropbox ab sofort ein Terabyte an Datenspeicher in der Cloud und können eine Reihe neuer Funktionen verwenden.

Ab 2015 werden nicht nur Computer und Notebooks mit DDR4-Speicher ausgeliefert, sondern auch Smartphones und Tablets: Erste Geräte sollen im zweiten Halbjahr auf LPDDR4-RAM setzen, um genug Bandbreite für 4K und Spiele zu liefern.

Daten magnetisch statt elektronisch abzulegen, verspricht dauerhafte und gleichzeitig schnelle Speicher. Weil die Technik nicht vorankommt, wollen französische Forscher nun in einer Zelle gleich Platz für drei Bits schaffen.

Intelligent Memory hat DDR3-Sticks mit 16 GByte vorgestellt, die sich für Spiele-PCs oder Notebooks eignen. Die Unbuffered-Module sind allerdings nicht zu allen Plattformen kompatibel.

In Seoul hat Samsung erste Benchmarks seiner zweiten Generation von SSDs mit dem Protokoll NVMe vorgeführt. Die bisher für Server vorgesehenen Laufwerke lesen deutlich schneller als PC-SSDs mit M.2-Schnittstelle und schreiben etwas langsamer.

Eine neue Intel-Folie bestätigt, was sich bereits angedeutet hat: Die Desktop-Versionen von Broadwell werden parallel mit Skylake veröffentlicht, bis ins zweite Quartal 2015 muss der Haswell Refresh die Stellung halten.

Ab 2015 werden Ultrabooks deutlich schneller: Intel plant für die Skylake-Prozessoren 72 statt zuvor 48 GPU-Kerne bei Broadwell zu nutzen. Was den U-Modellen an DDR4-Datentransferrate fehlt, machen sie durch 64 MByte EDRAM wett.

Der Zubehörhersteller OWC hat den neuen Einsteiger-iMac geöffnet und bestätigt, dass Apple bei diesem Modell keine Aufrüstmöglichkeit für mehr als 8 GByte RAM anbieten kann: Der Speicher wurde auf der Platine festgelötet.

Computex 2014 Apacer hat ein nur teilweise bestücktes RAM-Modul entwickelt, das entweder mit einem Solid State Driver im M.2-Format oder einer Compactflash-Karte kombiniert wird. Die Stromversogung gewährleistet der Steckplatz, die Sata-6-GBit/s-Schnittstelle überträgt die Daten mit bis zu 550 MByte pro Sekunde.

Computex 2014 In Taipeh zeigen Mainboardhersteller Vorserienprodukte für den Haswell-E mit acht Cores. Zunächst werden 64 GByte RAM unterstützt, demnächst aber auch 128.

Wenn vier Steckplätze für SO-DIMMs im Notebook verfügbar sind, kann man den Rechner bald auf 32 GByte mit sehr schnellem Speicher ohne große Wärmeentwicklung aufrüsten. Ein entsprechendes Kit mit 1,35-Vol-Modulen will G.Skill anbieten.

Der Speicherhersteller SK Hynix hat ein DDR4-Modul mit 128 GByte angekündigt. Damit verdoppelt der Hersteller die Dichte pro Riegel. Möglich macht das die TSV-Technologie.

Apple bietet für den Mac Pro derzeit eine maximale Speicherausstattung von 64 GByte an und auch der Zubehörhändler OWC bietet keine größeren Speicher. Transcend hat nun Speicherriegel für Apples Desktoprechner vorgestellt, die einen höheren Speicherausbau ermöglichen.

AMD hat bekanntgegeben, dass die Kaveri-APUs ihre höchste Leistung nur erreichen, wenn Double-Rank-Arbeitsspeicher mit DDR3-2133-Geschwindigkeit verwendet wird. Diese Angabe widerspricht allerdings den offiziellen Spezifikationen, die AMD selbst festgelegt hat.

AMD hat den Bios and Kernel Developer's Guide mit Informationen zum neuen Kaveri-Chip aktualisiert. Dem BKDG zufolge verfügt die APU über vier Speicherkanäle, die auch GDDR5 ansprechen können - entsprechende Gerüchte gibt es seit Monaten.

Eine Allianz aus 20 japanischen und US-Unternehmen arbeitet einem Bericht zufolge mit Hochdruck an massentauglichem MRAM. Der Speicher, der DRAM und Flash vereinen soll, soll vor allem bei mobilen Geräten Vorteile bringen.