RAM

Flash Memory Summit 2015 Kaum ist der NVDIMM-Standard verabschiedet, zeigt Diablo ein erstes DDR4-Modul mit Flash-Speicher. Verglichen mit DRAM soll der Memory1 genannte Speicher die vierfache Kapazität aufweisen.

Flash Memory Summit 2015 Micron plant drei überarbeitete oder neue Speichertechnologien für 2016: Künftiges DRAM soll im 1X-nm-Verfahren produziert werden, die ersten 3D-TLC-Flash-Bausteine mit 48 GByte Kapazität in SSDs stecken und es sind auf 3D-Xpoint basierende Produkte geplant.

Fehlerhaft arbeitende Speicherchips sind möglicherweise ein größeres Sicherheitsrisiko als bisher gedacht. Einem Forscherteam ist es nun gelungen, einen sogenannten Rowhammer-Angriff mittels Javascript durchzuführen. Gegenmaßnahmen sind schwierig.

Die Jedec hat den Standard für NVDIMMs veröffentlicht. Die Speichermodule ermöglichen Hybrid-Arbeitsspeicher mit nichtflüchtigen Speicherzellen. Denkbar sind NAND-Flash und Memristor/ReRAM. Eine neue Bauform ist nicht notwendig, denn die Module verhalten sich wie DDR4-RAM.

Golem.de hat bei großen Root-Server-Anbietern nachgefragt, wie sie mit der Rowhammer-Lücke umgehen. Systeme mit ECC-Speicher sind vermutlich nicht betroffen und manchmal können Bios-Updates Angriffe erschweren.

16 statt 8 GByte auf einem Modul: Intelligent Memory hat den ersten Arbeitsspeicher für Notebooks vorgestellt, der durch Stapeln die Kapazität verdoppelt. Das ist praktisch für AMD- und Broadwell-Geräte mit nur einem SO-DIMM-Steckplatz.

Durch permanente Speicherzugriffe lassen sich bei manchen Arbeitsspeichermodulen Bits umkippen. Dadurch sind verschiedene Angriffe möglich. Der Fehler liegt in der Hardware, ohne einen Austausch der Speichermodule ist der Angriff kaum zu verhindern.

Mindestens ein Webbrowser soll durch die Umsetzung einer Speicherrichtlinie aus OpenBSD abgesichert werden. Dafür bezahlt die Stiftung des Betriebssystems einen Entwickler mit Erfahrung bei Libressl.

Eine Reihe kleinerer Fehler im Linux-Kernel erlaubt Zugriff auf den Speicher oder eine Rechteausweitung. Speicherfehler oder ein Absturz können aber ebenso durch Angreifer hervorgerufen werden.

Spansion, das frühere Joint Venture von AMD und Fujitsu, hat sich mit Cypress Semiconductor zusammengetan.

Die Ursache der Absturzprobleme besonders bei der 128-GByte-Version des iPhone 6 Plus sind offenbar die unzuverlässigen TLC-NAND-Speicherbausteine. Auch beim iPad Air 2 gibt es neue Berichte über Hardwareprobleme - allerdings einer ganz anderen Art.

Apples Mac Mini ist bisher nicht nur leicht zu öffnen, sondern vom Anwender auch mit neuem RAM aufrüstbar gewesen. Das ist beim neuen Mac Mini nun beides vorbei, wie die Profibastler von iFixit festgestellt haben.

Bisher ist der maximale Speicherausbau bei DDR4-Systemen wie für Intels Core i7-5960X durch die Größe der Module beschränkt. Samsung will das ändern und hat die Serienproduktion von DRAM-Chips mit 8 Gigabit pro Die aufgenommen.

Als einer der ersten Hersteller hat Samsung die Serienproduktion von Stacked-DDD4-RAM begonnen. Je vier gestapelte Speicherchips sind per TSV-Technik verbunden, ein RDIMM bietet 64 GByte Kapazität.

Für 10 US-Dollar im Monat bekommen Nutzer von Dropbox ab sofort ein Terabyte an Datenspeicher in der Cloud und können eine Reihe neuer Funktionen verwenden.

Ab 2015 werden nicht nur Computer und Notebooks mit DDR4-Speicher ausgeliefert, sondern auch Smartphones und Tablets: Erste Geräte sollen im zweiten Halbjahr auf LPDDR4-RAM setzen, um genug Bandbreite für 4K und Spiele zu liefern.

Daten magnetisch statt elektronisch abzulegen, verspricht dauerhafte und gleichzeitig schnelle Speicher. Weil die Technik nicht vorankommt, wollen französische Forscher nun in einer Zelle gleich Platz für drei Bits schaffen.

Intelligent Memory hat DDR3-Sticks mit 16 GByte vorgestellt, die sich für Spiele-PCs oder Notebooks eignen. Die Unbuffered-Module sind allerdings nicht zu allen Plattformen kompatibel.

In Seoul hat Samsung erste Benchmarks seiner zweiten Generation von SSDs mit dem Protokoll NVMe vorgeführt. Die bisher für Server vorgesehenen Laufwerke lesen deutlich schneller als PC-SSDs mit M.2-Schnittstelle und schreiben etwas langsamer.

Eine neue Intel-Folie bestätigt, was sich bereits angedeutet hat: Die Desktop-Versionen von Broadwell werden parallel mit Skylake veröffentlicht, bis ins zweite Quartal 2015 muss der Haswell Refresh die Stellung halten.

Ab 2015 werden Ultrabooks deutlich schneller: Intel plant für die Skylake-Prozessoren 72 statt zuvor 48 GPU-Kerne bei Broadwell zu nutzen. Was den U-Modellen an DDR4-Datentransferrate fehlt, machen sie durch 64 MByte EDRAM wett.

Der Zubehörhersteller OWC hat den neuen Einsteiger-iMac geöffnet und bestätigt, dass Apple bei diesem Modell keine Aufrüstmöglichkeit für mehr als 8 GByte RAM anbieten kann: Der Speicher wurde auf der Platine festgelötet.

Computex 2014 Apacer hat ein nur teilweise bestücktes RAM-Modul entwickelt, das entweder mit einem Solid State Driver im M.2-Format oder einer Compactflash-Karte kombiniert wird. Die Stromversogung gewährleistet der Steckplatz, die Sata-6-GBit/s-Schnittstelle überträgt die Daten mit bis zu 550 MByte pro Sekunde.

Computex 2014 In Taipeh zeigen Mainboardhersteller Vorserienprodukte für den Haswell-E mit acht Cores. Zunächst werden 64 GByte RAM unterstützt, demnächst aber auch 128.

Wenn vier Steckplätze für SO-DIMMs im Notebook verfügbar sind, kann man den Rechner bald auf 32 GByte mit sehr schnellem Speicher ohne große Wärmeentwicklung aufrüsten. Ein entsprechendes Kit mit 1,35-Vol-Modulen will G.Skill anbieten.

Der Speicherhersteller SK Hynix hat ein DDR4-Modul mit 128 GByte angekündigt. Damit verdoppelt der Hersteller die Dichte pro Riegel. Möglich macht das die TSV-Technologie.

Apple bietet für den Mac Pro derzeit eine maximale Speicherausstattung von 64 GByte an und auch der Zubehörhändler OWC bietet keine größeren Speicher. Transcend hat nun Speicherriegel für Apples Desktoprechner vorgestellt, die einen höheren Speicherausbau ermöglichen.

AMD hat bekanntgegeben, dass die Kaveri-APUs ihre höchste Leistung nur erreichen, wenn Double-Rank-Arbeitsspeicher mit DDR3-2133-Geschwindigkeit verwendet wird. Diese Angabe widerspricht allerdings den offiziellen Spezifikationen, die AMD selbst festgelegt hat.

AMD hat den Bios and Kernel Developer's Guide mit Informationen zum neuen Kaveri-Chip aktualisiert. Dem BKDG zufolge verfügt die APU über vier Speicherkanäle, die auch GDDR5 ansprechen können - entsprechende Gerüchte gibt es seit Monaten.

Eine Allianz aus 20 japanischen und US-Unternehmen arbeitet einem Bericht zufolge mit Hochdruck an massentauglichem MRAM. Der Speicher, der DRAM und Flash vereinen soll, soll vor allem bei mobilen Geräten Vorteile bringen.

Update Obwohl Call of Duty Ghosts kaum mehr als 2 GByte Arbeitsspeicher belegt, startet der Shooter auf Systemen mit weniger als 6 GByte RAM nicht. Ein 64-Bit-Windows ist ebenfalls Pflicht.

Auf einer Veranstaltung in Frankfurt hat Samsung erstmals DDR4-Speichermodule mit der maximalen Taktfrequenz des kommenden Standards im Betrieb gezeigt. Die für 2014 erwarteten DRAMs sollen zudem sparsam sein.

Der Python-Interpreter Pypy erhält einen neuen, inkrementellen Garbage-Collector. Dieser soll vor allem wesentlich kürzere Pausen verursachen und Python dadurch auch für Spiele interessanter machen.

IDF Unkomprimierte Videos übertragen, Notebooks aufladen und SSDs nicht ausbremsen - das alles sollen USB 3.1 und Power Delivery (PD) leisten. Dazu werden die Standards getrennt voneinander entwickelt, erst 2015 soll es erste Geräte nach USB 3.1 geben.

IDF In gleich zwei Vorträgen in San Francisco hat Intel seine Pläne für den neuen Standard beim Arbeitsspeicher erklärt. DDR4 soll demnächst endgültig spezifiziert werden, die ersten lauffähigen Server mit dem sparsamen Speicher gibt es auch schon.

IDF Die Entwicklerkonferenz IDF soll für Intel der Beginn einer neuen Ära werden, in welcher der Chiphersteller auch bei mobilen Geräten mehr mitzureden hat. Dazu will der neue Konzernchef Mitarbeiter und Kunden mit einer Keynote-Ansprache motivieren.

Im chinesischen Wuxi hat ein Feuer gleich zwei Fabs des Speicherherstellers Hynix in Flammen aufgehen lassen. Die beiden Fertigungsstätten sind für einen maßgeblichen Anteil der weltweiten Speicherproduktion verantwortlich, die Folgen des Brandes sind noch nicht abzusehen.

Samsung hat nach eigenen Angaben die Massenproduktion von DDR4-Speichern gestartet. Die RAM-Chips werden im 20-Nanometer-Verfahren gefertigt und sollen auf Modulen mit bis zu 1.333 MHz sowie 32 GByte Kapazität in den Handel kommen.

Günstige DDR3-Speichermodule arbeiten heute mit einem effektiven Takt von rund 1.600 MHz. Wer die Grenzen der Technik ausreizt und mit Stickstoff kühlt, kann auch über 4 GHz erreichen. Einen neuen Rekord dabei hat nun ein australisches Team aufgestellt.

Update Der Speicheranbieter Chips and More hat beim Freiburger Amtsgericht Insolvenz angemeldet. Die Firma bietet unter Cnmemory und I.onik auch eigene Marken an.

Samsung bringt bald die ersten eMMCs nach dem neuen Standard 5.0 auf den Markt. Die nächste Generation von Embedded Memory ist nochmal schneller als die Ende 2012 vorgestellten eMMC 4.5.

Intel hat seine Listen der getesteten DIMMs für die Haswell-CPUs erweitert. Darin finden sich nun genaue Angaben auch zu vielen Overclocking-Modulen samt den Bios-Versionen.

Mit bis zu 2.133 Megabit pro Pin arbeitet Samsungs neuer LPDDR3-Speicher. Vier Chips lassen sich in einem Gehäuse zusammenfassen, was in Smartphones und Tablets recht einfach 2 Gigabyte ermöglicht.