Phase-Change-Speicher soll Flash-Speicher ablösen
Forschungsteam von IBM, Macronix und Qimonda zeigt Fortschritte
Wissenschaftler einer Forschungsallianz von IBM, Macronix und Qimonda machen Fortschritte bei der Entwicklung von "Phase-Change-Speicher", der nach deren Willen eines Tages Flash-Speicher ersetzen soll. Im Vergleich zu Flash-Speicher soll die neue Technik schneller sein und kleinere Baugrößen ermöglichen.
Wie auch Flash-Speicher ist der "Phase-Change-Speicher" nicht flüchtig, d.h. es ist keine konstante Spannungsversorgung erforderlich, um die gespeicherten Informationen zu erhalten. Zusammen mit hoher Leistung und Zuverlässigkeit könnten sich Phase-Change-Speicher daher zur Basistechnologie für Universalspeicher in mobilen Applikationen entwickeln, meinen die drei an der Entwicklung beteiligten Unternehmen.
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Gemeinsam konzipierten, produzierten und testeten die Wissenschaftler in IBM-Forschungslabors den Prototyp eines Phase-Change-Speicherbausteins, der mehr als 500-mal schneller schaltet als ein Flash-Speicher und dabei für das Schreiben von Daten in einer Zelle weniger als die Hälfte des Schreibstroms von Flash-Speichern benötigt. Zudem sind die neuen Bauelemente mit einem Querschnitt von 3 mal 20 Nanometern beträchtlich kleiner als die nach dem aktuellen Stand der Technik herstellbaren Flash-Speicher.
Während bei Flash-Speicher das Unterschreiten von Strukturgrößen von 45 Nanometer schwierig werden soll, würden Phase-Change-Speicher auch dann noch funktionieren, wenn sie bis zur 22-Nanometer-Marke verkleinert werden, teilen IBM, Macronix und Qimonda mit. "Gemeinsam ist es uns jetzt gelungen, ein neues Material für Phase-Change-Speicher zu entwickeln, das auch bei extremer Miniaturisierung hohe Leistungen bietet und damit den Grundstein für die Entwicklung von marktreifen Phase-Change-Speichern legt, die für viele Applikationen hochinteressant sind", sagt Dr. T. C. Chen, Vice President des Bereichs Science & Technology von IBM Research.
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Die Phase-Change-Technik wird bereits von CD-RWs sowie DVD-RW/+RW/-RAM verwendet...