Infineon fertigt DRAM in 90-Nanometer-Technik

Kleine Halbleiterstrukturen sollen Herstellungskosten senken

Infineon hat mit der Serienfertigung von DRAMs mit 90-Nanometer-Prozess-Strukturen auf 300-mm-Wafern im Halbleiterwerk in Dresden begonnen. Die 90-Nanometer-Technik wurde gemeinsam mit der Nanya Technology Corporation (NTC) im Dresdner Forschungszentrum von Infineon entwickelt.

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Erste Speicherprodukte wurden bereits erfolgreich von beiden Unternehmen bei wichtigen Kunden qualifiziert und von Intel validiert. Infineon ist damit der zweite DRAM-Hersteller, der 90-Nanometer-Technik in Serienproduktion einsetzt. Ende Mai 2005 waren etwa fünf Prozent der gesamten DRAM-Kapazitäten von 110 Nanometer auf 90 Nanometer umgestellt. Derzeit ist der Transfer der Technik zu Inotera Memories, dem in Taiwan ansässigen Fertigungs-Joint-Venture von Infineon und Nanya, im Gange.

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Die kleineren Chipstrukturen erhöhen die Anzahl der Chips pro Wafer im Vergleich zur 110-Nanometer-Technik um mehr als 30 Prozent. Die Produktivitätssteigerung durch die kleineren Chipstrukturen und der Einsatz von 300-mm-Wafern sollen so zu einer wesentlichen Verringerung der Produktionskosten pro Chip führen.

Die strategische Entwicklungspartnerschaft von Infineon und Nanya umfasst auch den nächsten Technologieschritt mit 70-nm-Strukturen.

Neben den damit einhergehenden Kostenvorteilen ist der Übergang auf kleinere Prozess-Strukturen laut Infineon auch die Voraussetzung für schnelle und stromsparende DDR2- und DDR3-SDRAMs in einer zunehmend mobilen Welt. Derzeit wird allerdings nur ein 512-MBit-DDR-SDRAM in der neuen Prozesstechnik gefertigt, in der zweiten Jahreshälfte 2005 sollen dann auch 512-MBit-DDR2-SDRAMs folgen, später auch 256-MBit-DDR2- und 1-GBit-DDR2-Speicher.

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