Samsung: Erster 512-MBit-DDR2-Speicher in 70 nm

Hersteller hofft auf weiter steigende Speichernachfrage - und auf Windows Vista

Der koreanische Hersteller Samsung vermeldet, die Entwicklung des ersten per 70-nm-Prozesstechnik gefertigten 512-Megabit-DDR-SDRAMs vollendet zu haben. Bisher sollen Speicherbausteine nur mit größeren Strukturbreiten produziert worden sein.

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Im Jahr 2002 kündigte Samsung den ersten Sub-Mikron-Fertigungsprozess für DRAMs an - erst Mitte 2004 ging es aber mit der Produktion los. 2003 folgte der Sprung auf 80 nm, die Fertigung stellte Samsung im zweiten Halbjahr 2005 auf die neue Prozesstechnik um. Die nun vorgestellte neue 70-nm-Prozesstechnik soll ab der zweiten Jahreshälfte 2006 für 512-MBit-, 1-GBit- und 2-GBit-Speicherchips verwendet werden. Im Vergleich zur 90-nm-Technik sollen dabei mindestens doppelt so viele Chips pro Wafer produziert werden können.

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Samsungs 70-nm-Fertigungsprozess basiert unter anderem auf der Metal-Insulator-Metal-Kondensatortechnik (MIM) und einer 3D-Transistor-Architektur namens "Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor" (S-RACT). Diese Techniken hatte Samsung bereits auf den VLSI-Symposien in 2004 und 2005 vorgestellt, sie sollen die Beschränkungen von gestapelten DRAM-Zellen beseitigen und den Daten-Refresh verbessern.

Unter Bezug auf eine im Mai 2005 veröffentlichte Marktabschätzung von Gartner Dataquest hofft Samsung auf einen auch 2006 weiter wachsenden Speichermarkt - und nennt hierbei insbesondere UMTS-Mobiltelefone und interessanterweise auch Microsofts Windows-XP-Nachfolger Vista als Schlüsselfaktoren für eine größere Nachfrage nach Speicherbausteinen.

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