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Toshiba fährt Produktionskapazität von DRAM-Fabrik herunter

0,2 Micron DRAMs und 0,4 Micron SDRAMs werden nicht mehr gebaut

Toshiba will im Rahmen der Überarbeitung seiner Speicherproduktionsstrategie, die sich auf Grund der Überangebote sowie der schwachen Marktnachfrage und der daraus entstandenen Preiseffekte ergeben hat, eine Produktionsanlage (Fab 1) im Werk in Yokkaichi schließen und nur die Produktionsanlage Fab 2 weiter betreiben. Die mehr als 300 Arbeiter der Fab 1 sollen künftig größtenteils in andere Anlagen arbeiten.

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Yokkaichi produziert zurzeit rund 70.000 acht Inch große Wafer im Monat, die Fab 1 davon rund die Hälfte. Aus diesen werden in der fraglichen Produktionsanlage monatlich rund sieben Millionen Stück DRAM-Bausteine im 0,20-Micron-Prozess gefertigt und eine Million Einheiten SRAM-Bausteine im 0,40-Micron-Verfahren. Fab 2 produziert Speicherbausteine im 0,175-Micron-Prozess.

Toshiba will künftig seine Produktion auf die Herstellung von DRAM-Bausteinen im 0,13-Micron-Verfahren (512 MB) konzentrieren und im vierten Quartal damit beginnen.


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Froidi 09. Aug 2001

doch stimmt

Dealer 09. Aug 2001

gemeint sind bestimmt SDRAM, nicht DRAM. riesiger unterschied ! Mfg Dealer



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