Infineon und Micron entwickeln zusammen CellularRAM

Pseudo-Static-RAM soll SRAM in Mobiltelefonen ersetzen

Infineon und Micron haben die gemeinsame Entwicklung von Spezifikationen der neuen Speicherfamilie CellularRAM vereinbart. Beide Unternehmen wollen diese Chips unabhängig voneinander in den Markt einführen. Dabei handelt es sich um Pseudo-Static-RAMs (PSRAM) mit sehr geringer Leistungsaufnahme für Mobilfunk-Applikationen.

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Der neue Typus eines Pseudo-SRAM-Bausteines ist speziell für die wachsenden Anforderungen an erhöhter Speicherkapazität und Bandbreite in Mobiltelefonen der 2.5G- und 3G-Generation ausgelegt und bietet ein besseres Kosten/Bit-Verhältnis im Vergleich zu existierenden Alternativlösungen. Das CellularRAM ist anschlusskompatibel zu SRAMs, erlaubt den Betrieb ohne Refresh und bietet eine sehr geringe Leistungsaufnahme. Damit soll sich dieser neue Speichertyp vor allem zum Aufrüsten bei erhöhtem Speicherbedarf und somit als Ersatz von asynchronen SRAMs, die derzeit in Mobiltelefonen eingesetzt werden, eignen.

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Das CellularRAM basiert auf einer DRAM-Speicherzelle mit einem Transistor im Unterschied zu der sonst üblichen SRAM-Zelle mit sechs Transistoren. Damit profitiert das CellularRAM von den Technologie- und Prozess-Vorteilen der DRAM-Speicher. Die Speicherzelle mit DRAM-Architektur benötigt nur etwa ein Zehntel der Fläche einer entsprechenden 6-Transistor-SRAM-Zelle. Die so reduzierte Chipfläche bietet für zukünftige Mobilapplikationen eine deutlich größere Speicherkapazität bei günstigen Kosten.

Die CellularRAM-Familie enthält Komponenten mit SRAM-Interface für den einfachen Ersatz herkömmlicher SRAM-Speicher und einen Burst-Schreib/Lese-Modus, der ein Flash-Interface nachbildet. Die neuen Speicher arbeiten mit bis zu 108 MHz, haben eine Latenzzeit von 60 ns und bieten eine Bandbreite von 210 MB/s.

Zielsetzung der gemeinsamen Entwicklungsvereinbarung ist, CellularRAM als Multisource-Standard für Speichersubsysteme der kommenden 2.5G-(GPRS-, EDGE-) und 3G-(UMTS-)Mobiltelefone zu etablieren. Beide Unternehmen wollen anschluss- und funktionskompatible Produkte auf Basis einer gemeinsamen Spezifikation fertigen, dabei aber eigene Prozesstechnologien nutzen.

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Infineon und Micron wollen verschiedene CellularRAM-Bausteine im Laufe der nächsten zwölf Monate einführen. Als erster Baustein wird ein 32-Mbit-Speicher in der Organisation 2 M x 16 ab Ende 2002 verfügbar sein. Eine 16-Mbit- und eine 64-Mbit-Version, organisiert zu 1 M x 16 bzw. 4 M x 16, sind für die erste Hälfte 2003 geplant. Die CellularRAMs arbeiten mit einer 1,8-V-Versorgung und unterstützen 2,5-V- und 3,0-V-I/Os.

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