Infineon und Micron entwickeln schnellen Speicher
RLDRAM soll zunächst Datenraten bis zu 600 Mbit/s pro Pin bieten
Mit schnelleren Speicher-Bausteinen wollen Infineon und Micron höhere Datenraten ermöglichen. Gemeinsam entwickeln sie eine neue Familie von Hochleistungs-DRAM-Speicherbausteinen mit reduzierter Latenzzeit (Reduced Latency DRAM, RLDRAM), die speziell für den Einsatz in Switches, Routern und anderen Anwendungen gedacht sind, die besonders schnelle Speicherzugriffszeiten erfordern.
Die neuen Speicherbausteine arbeiten anfangs bei Datenraten bis zu 600 Mbit/s pro Pin und bieten zudem eine Latenzzeit, die im Vergleich mit anderen Architekturen deutlich geringer ist. Die Spezifikation des RLDRAM soll die Anforderungen führender Netzwerkanbieter berücksichtigen, mit denen hierzu im Vorfeld ausführliche Gespräche geführt wurden. Die interne Speicherarchitektur ermöglicht einen extrem schnellen wahlfreien Zugriff, der die Lücke zwischen dynamischen und statischen RAMs schließt.
Infineon und Micron haben das ehrgeizige Ziel, RLDRAM zum Industriestandard für Hochleistungs-Speicherbausteine zu machen. Die Partner wollen gleichermaßen zur Weiterentwicklung der Produktlinie beitragen und durch ihre enge Zusammenarbeit pin- und funktionskompatible RLDRAMs entwickeln, die von mehreren Herstellern produziert und angeboten werden.
