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Rambus will RDRAMs weiter beschleunigen

Neues Speicherinterface soll Bandbreite erhöhen

Das streitbare Speichertechnologie-Unternehmen Rambus hat auf der heute beendeten dreitägigen International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) in San Francisco zwei technische Entwicklungen angekündigt, die RDRAMs schneller machen sollen. Deren Bandbreite soll dank eines überarbeiteten Direct Rambus Speicherinterfaces in Zukunft 2,2 GB/Sekunde anstelle von 2,1 GB/Sekunde betragen.

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Rambus-Ingenieure haben allerdings bereits Prototypen mit bis zu 2,6 GB/Sekunde demonstriert, so das Unternehmen in einer Pressemitteilung. Möglich werde dies durch verbesserte Schaltkreise und eine Erweiterung der Architektur.

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Eine weitere Steigerung der Bandbreite um 25 Prozent erhofft sich Rambus dank einer Weiterentwicklung seiner noch jungen Quad-Rambus-Signaling-Level-(QRSL-)Technologie. Anstelle von 1,6 Gigabits/Sekunde pro Pin soll diese in Zukunft eine Bandbreite von 2 Gigabits/Sekunde pro Pin liefern. Möglich soll dies durch Beseitigung von Störungen auf nebeneinander liegenden Datenleitungen werden, wofür neue Schaltungen im parallelen Speicherbus-Interface sorgen.

Ab wann entsprechende RDRAM-Bausteine und -Controller verfügbar sein werden, hat Rambus noch nicht angekündigt.



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