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Rambus will RDRAMs weiter beschleunigen

Neues Speicherinterface soll Bandbreite erhöhen

Das streitbare Speichertechnologie-Unternehmen Rambus hat auf der heute beendeten dreitägigen International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) in San Francisco zwei technische Entwicklungen angekündigt, die RDRAMs schneller machen sollen. Deren Bandbreite soll dank eines überarbeiteten Direct Rambus Speicherinterfaces in Zukunft 2,2 GB/Sekunde anstelle von 2,1 GB/Sekunde betragen.

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Rambus-Ingenieure haben allerdings bereits Prototypen mit bis zu 2,6 GB/Sekunde demonstriert, so das Unternehmen in einer Pressemitteilung. Möglich werde dies durch verbesserte Schaltkreise und eine Erweiterung der Architektur.

Eine weitere Steigerung der Bandbreite um 25 Prozent erhofft sich Rambus dank einer Weiterentwicklung seiner noch jungen Quad-Rambus-Signaling-Level-(QRSL-)Technologie. Anstelle von 1,6 Gigabits/Sekunde pro Pin soll diese in Zukunft eine Bandbreite von 2 Gigabits/Sekunde pro Pin liefern. Möglich soll dies durch Beseitigung von Störungen auf nebeneinander liegenden Datenleitungen werden, wofür neue Schaltungen im parallelen Speicherbus-Interface sorgen.

Ab wann entsprechende RDRAM-Bausteine und -Controller verfügbar sein werden, hat Rambus noch nicht angekündigt.


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