Infineon führt neuen Speichertyp RLDRAM ein
Das RLDRAM stellt ein schnelles SDRAM mit einer Taktfrequenz von 300 MHz und einem DDR-Interface (Double Data Rate) dar. Das erste verfügbare Produkt ist ein 256-Mbit-Baustein mit 8M-x-32- und 16M-x-16-Organisation. Das RLDRAM bietet acht interne Speicherbänke. Erfolgt der Zugriff auf diese Speicherbänke sequenziell, wird eine Datenbandbreite von 19,2 Gbit/s erreicht, wobei der wahlfreie Speicherzugriff erhalten bleibt.
Das RLDRAM basiert auf einer neuen internen Speicherarchitektur, die den schnellen wahlfreien Zugriff erlaubt, mit Zykluszeiten von nur 25 Nanosekunden. Standard-DRAMs haben Vergleichs-Zykluszeiten von etwa 50 ns. RLDRAM schließe damit die Lücke zwischen SRAM und DRAM, so Infineon.
Typische Anwendungsbeispiele sind Netzwerk-Anwendungen, bei denen Controller in Routern oder Switches möglichst schnell Routing-Informationen lesen oder Datenpakete zusammenstellen müssen. Auch in Cache-Applikationen ist eine schnelle Reaktionszeit bestimmend für den gesamten Zeitbedarf des Speicher-Subsystems.
Das T-FBGA-144-(Thin-Profile-Ball-Grid-Array-)Gehäuse erlaubt es den Systementwicklern, auf das Adress-Multiplexing zu verzichten, das bei DRAM-Produkten in TSOPs üblich ist. Außerdem bietet das Gehäuse verringerte parasitäre Effekte bei höheren Frequenzen sowie einen geringen thermischen Widerstand für eine verbesserte Wärmeabfuhr.
Während Standard-SDRAMs mit 3,3 Volt arbeiten, arbeitet das RLDRAM mit 1,8 Volt bis 2,5 Volt für das Speicher-Array und mit 1,8 Volt für den I/O-Bereich. Durch die Reduzierung der Betriebsspannung wird ein Datentransfer auf dem Board mit bis zu 300 MHz (600 Mbit/s) möglich, was einer Baustein-Bandbreite von 2,4 GByte (x 32 bit Organisation) bzw. 1, 2 GByte (x 16 bit) entspricht.
Erste Muster des 256-Mbit-RLDRAM in den Organisationen 8M x 32 und 16Mx 16 werden ab dem 3. Quartal 2001 verfügbar sein. Die Massenproduktion ist für Anfang 2002 geplant.