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Durchbruch: Motorola präsentiert 256K-MRAM-Chip

MRAM-Speicher soll in drei Jahren in Consumer-Geräten zu finden sein

Der Motorola-Geschäftsbereich Halbleiter hat einen neuen 256K-MRAM-(Magnetoresistive-Random-Access-Memory-)Speicherchip vorgestellt. Der nichtflüchtige 256K-MRAM-Baustein basiert auf einer Speicherzelle mit einem einzigen Transistor (1T) und einer einzigen Magnetic Tunnel Junction (MTJ) mit Schreib- und Lesezeiten von weniger als 50 ns.

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Der Speicher mit einer 16K-x16-Organisation hat eine gemessene Leistungsaufnahme von 24 mW bei 3 V. Diese Struktur ermöglicht die Entwicklung eines äußerst kostengünstigen Speichers. Durch die schnellen Schreib- und Lesezugriffe, in Verbindung mit praktisch unbegrenzten Schreib- und Lesezyklen, sollen MRAMs laut Motorola nahezu alle vorhandenen Speichertechnologien ersetzen können, wie beispielsweise Flash, DRAM und langsames SRAM.

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Musterstückzahlen des 256K-MRAM-Chips soll es 2003 geben, Produktionsstückzahlen sind für 2004 geplant. Die Entwicklung der Speicher-Bausteine wird durch die Kooperation mit der DARPA (Defense Advanced Research Project Agency) finanziell unterstützt.

Mit MRAM-Speicher können Programme und Daten auch bei ausgeschaltetem Rechner im Arbeitsspeicher gehalten werden. Das zeitaufwendige Booten kann so weitgehend entfallen. Auch die bisherigen Verzögerungen beim Ein- und Ausschalten von Mobiltelefonen lassen sich mit MRAMs beseitigen.

"Die Anbieter von mobilen Kommunikationsprodukten benötigen leistungsfähige Speicher mit hohem Datendurchsatz sowie nichtflüchtige Speicher, in denen die Informationen nach dem Ausschalten erhalten bleiben. Die MRAM-Technologie kann mit einem Bruchteil der bisherigen Leistungsaufnahme beide Funktionen kombinieren. Dies wird die Batteriebetriebsdauer verlängern, die Systemkomplexität reduzieren und die Produkte kostengünstiger machen", betonte Omid Tahernia, Vice President und General Manager der Wireless Communications Division von Motorola. "Zusätzlich ermöglicht die MRAM-Technologie im Gegensatz zu FeRAMs (ferroelektrischen RAMs) nicht-destruktive Lesezugriffe, was ein erneutes Beschreiben der Speicher überflüssig macht und deren Lebensdauer wesentlich erhöht."



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Sepp Meisinger 07. Feb 2001

Hi, liegt hier ein Schreibfehler vor? Ein Speicher mit einer Zugriffszeit von 50ns...


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