Infineon: Schnellster DDR-Speicherbaustein für Grafikkarten
Das 128-Mbit-SGRAM ist zu 4M x 32 organisiert und somit ideal für Grafik-Speicher in 32-, 64-, 128- und 256-bit-Bus-Applikationen. Der neue Speicher-Baustein wird in einem JEDEC-kompatiblen Ball-Grid-Array-Gehäuse (BGA) geliefert. Damit werden die bisherigen Einschränkungen von Komponenten in TSOP- und TQFP-Gehäusen überwunden. Mit dieser Betriebsfrequenz kann der neue DDR-Baustein Datenbandbreiten von bis zu 2,4 Gbyte/s verarbeiten – bezogen auf einen 32-bit-Bus.
Infineon bietet mit der Einführung des neuen Speicher-ICs zusätzliche Funktionalitäten wie das impedanzangepaßte 1,8-Volt-Interface. Der Betrieb mit 1,8 Volt führt zu einer deutlichen Reduzierung der Leistungsaufnahme gegenüber dem 2,5-Volt-Standard-Interface. Dies ist ein besonders wichtiger Faktor bei 3D-Grafik-Anwendungen in Notebook-PCs.
"Das impedanzangepaßte 1,8-Volt-Interface und das BGA-Gehäuse sorgen für ein ausgezeichnetes thermisches Verhalten, was Kühlkörper auf den Grafikboards überflüssig macht", sagte Ernst Strasser, Director Product Marketing für Graphic und Specialty Memories von Infineons Memory Business Group.
Infineon hat nach eigenen Angaben bereits erste Entwicklungsmuster des neuen SGRAM an Kunden ausgeliefert und plant die allgemeine Bemusterung für das zweite Quartal 2001. Die Massenproduktion ist für die zweite Jahreshälfte 2001 geplant. Die Preise für die Muster liegen bei 33 US-Dollar in 1000er-Einheiten.