DDR4-Speicher: Samsung verkauft 32-GByte-Module mit 1Z-nm-Dies
Samsung verkauft mit dem M378A4G43AB2-CVF genannten Modul einen ersten DDR4-Speicherriegel mit sogenannten A-Dies, das berichtet Hardwareluxx(öffnet im neuen Fenster) mit Verweis auf mehrere Händler. Das Besondere an diesem Riegel sind die 32 GByte Kapazität, welche durch 16-GBit-Chips erreicht werden, die Samsung im aktuellen 1Z-nm-Verfahren fertigt.
Bisher gab es zwar schon 32-GByte-Sticks, diese basieren aber noch auf den M-Dies mit 1Y-nm-Technik (siehe PDF(öffnet im neuen Fenster) der M378A4G43MB1-CTD-Module). Hierzu ein wenig Hintergrund: Samsung bezeichnet seine ersten Chips einer Generation als M-Dies (Mass Production), danach folgen A-, B-, C-Dies und so weiter (siehe DDR4 Product Guide(öffnet im neuen Fenster)). Fertigungsverfahren geben Speicherhersteller nur grob an, so kann 1X für 18 nm, 1Y für 15 nm und 1Z für 12 nm stehen. Die A-Dies werden mit 1Z hergestellt, Samsung hatte die Produktion im Frühling 2019 mit 8 GBit aufgenommen und baut nun auch 16-GBit-Chips.
Bei den M378A4G43AB2-CVF-Riegeln handelt es sich um Module mit DDR4-2933-Frequenz und CL21-21-21-Latenzen, sonderlich flott sind die 32-GByte-Sticks also nicht. Dafür punkten sie mit hoher Kapazität von 32 GByte und sie dürften dank der A-Dies vergleichsweise sparsam sein, wobei das bei einem Desktop-PC oder einer Workstation kaum relevant ist.
Aktueller Stand bei den 8-GBit-Chips sind die D-Dies, wobei sich die älteren B-Dies mit 20 nm gerade für schnellen Speicher nach wie vor großer Beliebtheit erfreuen. Typische Module mit DDR4-3200 und CL14 basieren auf den B-Dies, da diese hohe Taktraten erreichen. Daher eignen sie sich gut für AMDs aktuelle Ryzen 3000 (Test) und generell für Nutzer, welche ihren RAM übertakten wollen. Mit B-Dies ist weit über DDDR4-4000 möglich.
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