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DDR4-Speicher: Samsung hat dritte 10-nm-Generation entwickelt

Mit DRAM im 1Z-Verfahren will Samsung seine DDR4-Speicherproduktion noch weiter steigern, denn die Chips sollen auf dem kleinsten 10-nm-Class-Fertigungsprozess am Markt basieren. Die Südkoreaner verzichten dabei auf extrem ultraviolette Strahlung (EUV.)

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DDR4-Package mit 1Z-DRAM-Chips
DDR4-Package mit 1Z-DRAM-Chips (Bild: Samsung)

Samsung hat die Fertigstellung der Entwicklung von DRAM im 1Z-Fertigungsverfahren bekanntgegeben. Der Arbeitsspeicher stellt die dritte Generation mit einem 10-nm-Class-Prozess dar und soll unter anderem in DDR4-Modulen eingesetzt werden. Die Serienfertigung der 8-GBit-Chips sieht Samsung für das zweite Halbjahr 2019 vor.

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Unter 10 nm Class verstehen Hersteller eine Fertigungstechnik irgendwo zwischen 10 nm und 19 nm, zumindest öffentlich wird aber üblicherweise in drei Stufen unterschieden: Dabei wird alphabetisch vorgegangen - 1X kann etwa für 18 nm stehen (bei Samsung ist das der Fall), 1Y meint dann beispielsweise 15 nm, und 1Z wie nun bei Samsung könnte gleichbedeutend mit 12 nm sein.

Verglichen mit dem bisherigen 1Y-Verfahren, das Samsung mittlerweile für 16-GBit-Chips verwendet, soll der 1Z-Fertigungsknoten (Node) eine um 20 Prozent gesteigerte Herstellungsproduktivität aufweisen. Diese sperrige Beschreibung ist gleichbedeutend mit einer höheren Ausbeute (Yield) an Dies pro Wafer, also an Chips pro belichteter Siliziumscheibe. Samsung verwendet noch Immersionslithografie und keine extrem ultraviolette Strahlung (EUV).

Mittelfristig wollen die Südkoreaner den neuen 1Z-DRAM außer bei DDR4 auch für die Entwicklung von besseren DDR5-, GDDR6- und LPDDR5-Interfaces nutzen. Vorerst sind aber DDR4-Bausteine mit 8 GByte geplant, die üblicherweise für Module mit bis zu 128 GByte verwendet werden. Gedacht sind diese für Server und für Highend-PCs wie Workstations, die ab 2020 mit dem 1Z-Speicher ausgestattet werden sollen.



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sambache 22. Mär 2019

Den HBM kann man nur fix verdrahten. Die über 2000 Verbindungen dürfen nur sehr kurz...


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