Hot Chips Ein halbes Terabyte in einem DDR5-Speichermodul: Samsung entwirft einen sehr großen Riegel, auch solche mit KI-Beschleunigung sind in Arbeit.
Vor allem der starke Absatz von Speicherchips und Consumer-Geräten hat Samsung ein gutes drittes Quartal beschert. Der Ausblick auf das kommende Jahr bleibt aber unsicher.
Samsung hat das Galaxy Book Ion mit sparsamem LPDDR4X-Arbeitspeicher aktualisiert, weshalb die Akkulaufzeit des Ultrabooks steigt. Hintergrund ist ein aktualisiertes Stepping von Intels Comet-Lake-Prozessoren.
Auf die 1-GBit-Versionen für Datacenter folgen kleinere Modelle für Industrie und Internet der Dinge: Der magnetische Speicher von Everspin hat eine sehr lange Haltbarkeit und benötigt nicht dauerhaft Strom.
Eine Mischung aus 8-GBit- und 12-GBit-Chips: Samsung kombiniert mehrere Dies für 16-GByte-Packages an LPDDR5. Der Low-Power-Arbeitsspeicher wird im Galaxy S20 Ultra eingesetzt, nun startet die Serienfertigung.
In China schreitet die Entwicklung von x86-Prozessoren weiter voran: Für Desktops will Zhaoxin die KX-7000 mit 7 nm und DDR5-Speicher fertigen, für Server sind die KH-40000 mit 32 Kernen geplant.
Die Werkstatt iFixit hat den Surface Laptop 3 bereits geöffnet - ohne ihn zerstören zu müssen. Allein das macht ihn besser reparierbar als die beiden Vorgänger. Im Innern kann die SSD getauscht werden, der RAM und der Akku allerdings nicht.
Erstmals gibt es 12 GByte LPDDR4X-Arbeitsspeicher zusammen mit Universal Flash Storage (UFS) in einem Chipgehäuse. Samsung will Mittelklasse-Smartphones mit der modernen 1Y-nm-Technik ausstatten.
Nachdem Samsung bereits DDR4-Speichermodule mit 32 GByte Kapazität basierend auf 1Z-nm-16-GBit-Chips verkauft, legt SK Hynix nach: Die Serienfertigung des DRAMs soll allerdings erst 2020 starten.
Hoher Takt und niedrige Latenz: Von Gskill kommt eine optimierte Version des Trident Z mit DDR4-4000 und CL15-16-16-18. Der Speicher eignet sich für schnelle CPUs wie den Core-i9-9900K oder den Ryzen 9 3900X.
8 GByte und acht Layer übereinander sind bisher der Standard für HBM2-Module. Samsung will das ändern und stapelt zwölf Ebenen übereinander - bei gleicher Bauhöhe. Das soll die Kapazität pro Baustein und die Latenzen verbessern.
Zwei chinesische Hersteller haben die Fertigung von DRAM- und Flash-Speicher als Serienproduktion mit respektabler Stückzahl aufgenommen. Das ist wichtig für Smartphones, denn bisher stammen der LPDDR4- und NAND-Speicher vornehmlich aus den USA oder Südkorea.
