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SSDs und Speicher: Samsung investiert stark in zukünftige Speichertechnologien

Während die nächste Grafikkartengeneration vorerst mit GDDR6X auf den Markt kommt, bereitet sich Marktführer Samsung bereits auf GDDR7 vor.
/ Martin Böckmann
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SSDs wie die Samsung 990 Pro zählen zu den schnellsten und zuverlässigsten ihrer Art (Bild: Samsung)
SSDs wie die Samsung 990 Pro zählen zu den schnellsten und zuverlässigsten ihrer Art Bild: Samsung

Samsung hat angekündigt, die Investitionen im Speichersegment weiterhin beizubehalten, und diese wo nötig sogar weiter auszubauen. Während andere Hersteller einen besorgniserregenden Rückgang bei den Verkaufszahlen beobachten, kann Samsung durch das breit aufgestellte Portfolio anders als seine Konkurrenten auch in schwierigen Zeiten weiter investieren, um weiterhin technologisch einen Schritt voraus zu sein.

Bei DRAM gilt Samsung der Konkurrenz aktuell als deutlich überlegen. Während die meisten Mitbewerber noch DRAM-Chips in 14 nm produzieren, fertigt Samsung zukünftig bereits die fünfte Generation 10-nm-DRAM und forscht an kleineren Strukturen für zukünftige Produkte. Dazu wird zukünftig auch GDDR7-Grafikspeicher zählen, welcher sicherlich auf kommenden Grafikkarten zu finden sein wird.

Mit GDDR7 wird die Datentransferrate gegenüber GDDR6 noch einmal verdoppelt. Er soll anfangs mit bis zu 36 Gbit/s angeboten werden, während es den Vorgänger nur bis zu 18 Gbit/s gibt. Bei einem 384bit-Interface ist daher eine Transferrate von 1,728 TByte/s realisierbar. Eine Nvidia Geforce RTX 3090 Ti kommt mit schnellerem GDDR6X aktuell auf 1008 GByte/s.

Größe Pläne auch für SSDs

Durch die stark steigende Übertragungsgeschwindigkeit pro Chip können kommende GPU-Generationen ausreichend schnell mit Daten versorgt werden, ohne das Speicherinterface weiter verbreitern zu müssen. Ein 512-Bit-Interface beispielsweise würde die Kosten erheblich in die Höhe treiben, zudem wären so viele Chips auf einer Platine schwerer unterzubringen.

Neben einer starken Marktposition bei DRAM ist Samsung ebenfalls führend bei NAND-Flash-Technologie. Die siebte Generation V-NAND mit 176-Layern ist aktuell in der Produktion. Bis Ende des Jahres plant Samsung auf Basis der achten Generation die Dichte auf 230-Layer zu erhöhen. Damit sind 512 GByte pro Chip möglich.

Die langfristigen Pläne gehen darüber weit hinaus. Bis 2030 möchte Samsung 1000-Layer V-NAND auf den Markt bringen. Außerdem wird weiter an QLC-Flash geforscht, um die Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit auf ein Niveau zu bringen, welches für den Massenmarkt attraktiv ist. Sollte QLC auch im gehobenen Segment eine Rolle spielen, lässt sich so die Kapazität der SSDs weiter erhöhen.


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