1-Beta Generation: Micron liefert die fortschrittlichste DRAM-Technologie
Als erster Hersteller liefert Micron bereits Testmuster der Speicherbausteine aus der 1-Beta-Generation(öffnet im neuen Fenster) an Kunden aus. Diese folgen auf die aktuelle 1-Alpha Generation. Erstmals spricht Micron nicht mehr von 10nm-Class, sondern schlicht von der aktuell fortschrittlichsten Speichertechnologie am Markt. Der Speicher soll sowohl in bei der Bit-Dichte, Energieeffizienz und Performance führend sein. Zudem kann aufgrund ausgereifter Fertigungstechnik bereits in Kürze die Serienproduktion gestartet werden.
Die Chips weisen eine 35 Prozent höhere Transistordichte auf. Die Kapazität soll jedoch vorerst nicht erhöht werden, es bleibt bei 16 GBit pro Chip. Unter Verwendung von dynamischer Takt- und Spannungsanpassung (eDVFSC) gibt Micron an, den Energiebedarf um 15 Prozent gesenkt zu haben. Das dynamische Taktfenster wurde dabei mit 1.600 bis 3.200 MBit/s gegenüber der Vorgängergeneration verdoppelt.
In der Konsequenz wird zuerst der Mobilbereich mit LPDDR5(X) beliefert, regulärer DDR5 soll später folgen. Gerade in Smartphones ist neben Sparsamkeit auch hoher Takt wichtig, da durch den begrenzten Platz keine breiten Interfaces mit mehreren Kanälen möglich sind. Neben Micron hat auch Samsung bereits besonders schnellen LPDDR5X gezeigt.
Micron vertraut auf bewährte Fertigungstechnik
Bei der Fertigung belässt es Micron für diese Generation bei der bewährten Mehrfachbelichtung (Multi-Patterning), während die Konkurrenz von Samsung und SK-Hynix bereits EUV nutzt. Die Gründe dafür könnten die eingebrochene Nachfrage nach DRAM und das damit verbundene hohe finanzielle Risiko sein. Außerdem hat Micron den Prozess über die Jahre laufend optimiert und erzielt daher vermutlich höhere Ausbeute (yield) als ein neuer Prozess anfangs liefern könnte.
Neben LPDDR5(X) wird zukünftig auch DDR5 für reguläre Desktop- und Serversysteme sowie HBM-Stapelspeicher in 1-Beta produziert. HBM-Speicher wurde in der Vergangenheit auf einigen wenigen Desktop-Grafikkarten verwendet, verbreitet ist diese Speichertechnologie jedoch vor allem auf Beschleunigerchips und Datacenter-GPUs . Auch Intels kommende Sapphire-Rapids Generation wird es mit HBM geben. Die Serienproduktion von 1-Beta-Speicher wird für Anfang 2023 erwartet.