DDR4-SO-DIMM: Samsung quetscht 32 GByte auf ein Notebook-Modul

Doppelte Kapazität, schneller und sparsamer: Samsung hat 10-nm-Arbeitsspeicher entwickelt, mit dem 32 GByte DDR4-2666 für Notebooks als SO-DIMM möglich sind. Gedacht ist der RAM etwa für Workstations.

Artikel veröffentlicht am 30. Mai 2018, 10:36 Uhr, Marc Sauter

DDR4-SO-DIMM (Bild: Samsung)

Samsung hat das erste SO-DIMM für Notebooks mit 32 GByte Kapazität vorgestellt. Möglich wird dies durch Chips im sogenannten 10-nm-Class-Fertigungsverfahren, was alles zwischen 10 nm und 19 nm beschreibt - genauer äußern sich die Speicherhersteller selten. Bisher produzierte Samsung 8-GBit-Dies mit 18-nm-Technik, nun sind es 16-GBit-Chips. Werden 16 davon auf ein SO-DIMM gepackt, fasst es 32 GByte an Daten.

Die Speichermodule für Notebooks arbeiten mit DDR4-2666, was der Geschwindigkeit entspricht, die aktuelle Prozessoren von AMD und Intel unterstützen. Samsung vergleicht die neuen SO-DIMMs mit denen von 2014, deren 8-GBit-Chips noch in einem 20-nm-Class-Verfahren gefertigt wurden: Die erreichten DDR4-2400 und benötigen trotz halber Kapazität fast doppelt so viel Energie.

Neben SO-DIMMs mit 32 GByte nutzt Samsung die neuen 16-GBit-Dies auch für LPDDR4 (Smartphones), für GDDR5 (Grafikkarten) und für reguläres DDR4 (Desktop/Server), um die Speichermenge zu verdoppeln. Im Notebook-Segment sind zwei Module und somit 64 GByte weniger für Spieler und deren Games interessant, wie Samsung sagt, sondern eher für mobile Workstations mit schnellen Hexacore-Prozessoren. Bisher waren diese auf 32 GByte beschränkt, eine Verdopplung ist für einige Anwendungen definitiv hilfreich.

Konkurrent Micron verkündete kürzlich auf der alljährlichen Investor-Konferenz, dass DDR4-Chips im 1Y-Verfahren an Partner ausgeliefert werden und der 1Z-Schritt vorbereitet wird. Diese Bezeichnungen unterteilen die 10-nm-Class, also 19 nm bis 10 nm, in Schritte, wobei 1X größer als 1Y und 1Z ist. Um es noch verwirrender zu machen, folgen dann 1α (Alpha) und 1β (Beta) als weitere Verfeinerung.