CXMT & YMTC: China beschleunigt eigene DRAM- und Flash-Produktion

Zwei chinesische Hersteller haben die Fertigung von DRAM- und Flash-Speicher als Serienproduktion mit respektabler Stückzahl aufgenommen. Das ist wichtig für Smartphones, denn bisher stammen der LPDDR4- und NAND-Speicher vornehmlich aus den USA oder Südkorea.

Artikel veröffentlicht am 1. Oktober 2019, 7:14 Uhr, Marc Sauter

Wafer mit 3D-NAND-Flash-Speicher mit 64 Layern (Bild: YMTC)

CXMT hat die Massenfertigung von modernen DRAM-Chips mit 8 GBit angekündigt, YMTC hingegen will die Serienproduktion von Flash-Speicher mit 256 GBit gestartet haben. Beide chinesische Unternehmen stellen damit wichtige Bauteile her, die bisher aus dem Ausland importiert werden müssen und zu einer Abhängigkeit führen. Mit BBK Electronics (Oneplus, Oppo, Vivo), Huawei, Xiaomi und ZTE gibt es in China einen enormen Bedarf an LPDDR4 und NAND für Smartphones.

Bisher produzieren in China nur wenige Unternehmen DRAM-Chips: Die kürzlich gegründete Ziguang Group mit staatlicher Unterstützung durch die Tsinghua Unigroup baut noch keine, Xi'an UniIC Semiconductors und die JHICC (Fujian Jinhua Integrated Circuit Company) fertigen in Kleinserie, hinzu kommt nun CXMT (Changxin Memory Technologies) alias Innotron in größeren Stückzahlen. Es soll sich dabei um 8-GBit-DRAM-Chips mit 10-nm-Class-Verfahren handeln, die für LPDDR4-Speicher genutzt werden.

Mitte September 2019 verkündete die YMTC (Yangtze Memory Technologies Corporation), dass die hauseigene Xtacking-Technik nun in Serie produziert werde: Die Chips bestehen aus 64 Schichten von 3-Bit-Zellen, ein Die soll 256 GBit aufweisen. Die Konkurrenz - Intel, Micron, Samsung, SK Hynix, Toshiba, Western Digital - ist mit bis zu 136 Layern für bis zu 1,33 TBit schon weiter. Die Fertigung fällt ebenfalls noch feiner aus als bei der Konkurrenz aus China.

Auch hinter der YMTC steht die Tsinghua Unigroup, weshalb Geld kaum eine Rolle spielt. Seit Jahren investiert der chinesische Staat auf diese Weise in neue Fabs für DRAM- und NAND-Flash-Speicher, rund 100 Milliarden US-Dollar sollen es für multiple Halbleiterwerke sein. Zwar betonen CXMT und YMTC, es handle sich um Eigenentwicklungen, bei JHICC aber gab es Streit um Lizenzen und Patente mit dem US-Hersteller Micron. Ungeachtet dessen gehen die Speicheranalysten von Trendforce davon aus, dass chinesischer DRAM nächstes Jahr immer drei Prozent des Marktes ausmachen werde.