Arbeitsspeicher: SK Hynix entwickelt 1Z-nm-16-GBit-DRAM

Nachdem Samsung bereits DDR4-Speichermodule mit 32 GByte Kapazität basierend auf 1Z-nm-16-GBit-Chips verkauft, legt SK Hynix nach: Die Serienfertigung des DRAMs soll allerdings erst 2020 starten.

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Speicherchips mit 16 GBit und 1Z-nm-Fertigung
Speicherchips mit 16 GBit und 1Z-nm-Fertigung (Bild: SK Hynix)

SK Hynix hat bekanntgegeben, die Entwicklung von 1Z-nm-16-GBit-DRAM-Chips abgeschlossen zu haben. Entsprechende Speicher-Dies sollen ab 2020 in die Serienfertigung gehen und dann unter anderem für LPDDR5 und HBM3 verwendet werden. Die Südkoreaner sind damit viele Monate später dran als Samsung, dessen DRAM-Chips bereits produziert und auf 32-GByte-DDR4-Modulen verwendet werden.

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Anders als Samsung hat SK Hynix bei seinen 16-GBit-Chips die Verdopplung der Kapazität an die feinere 1Z-nm-Fertigung gekoppelt, statt bereits 16 GBit schon mit einem 1Y-nm-Verfahren herzustellen. Alle Speicherproduzenten geben den Node nur grob an - so kann 1X für 18 nm, 1Y für 15 nm und 1Z für 12 nm stehen.

Dabei setzen Samsung und auch SK Hynix noch auf klassische Immmersionslithografie, der Wechsel auf EUV-Belichtung soll erst mit der Generation nach 1Z folgen. Entsprechende Scanner vom Typ NXX:3400C wurden bereits beim niederländischen Ausrüster ASML bestellt. Der 1Z-nm-Prozess umfasst bei SK Hynix ein neues Material, um die elektrische Kapazität des Kondensators zu erhöhen - ohne den funktioniert DRAM nicht, da die Transistoren mit Energie versorgt werden müssen.

Laut SK Hynix sind die 1Z-nm-16-GBit-DRAM-Chips unter anderem für DDR4-3200-Geschwindigkeit ausgelegt, wobei LPDDR5 deutlich höher taktet. Verglichen zu den 1Y-nm-8-GBit-Dies soll die Leistungsaufnahme um 40 Prozent geringer ausfallen, zudem fällt die Produktivität um 27 Prozent höher aus. Zusammen mit den Verzicht auf EUV spart SK Hynix somit Geld in der Herstellung, allerdings fallen vorab wie üblich Entwicklungskosten an.

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