SSDs: Intel arbeitet an 144-Schicht-Speicher und 5-Bit-Zellen

2020 will Intel seine vierte 3D-NAND-Generation veröffentlichen, sie basiert auf 144 Flash-Speicher-Schichten. Zukünftig sollen damit auch Zellen mit 5 Bit (PLC) umgesetzt werden. Zudem gibt es Neuigkeiten zu Optane-Modulen und -SSDs mit Intels nicht flüchtigem 3D-XPoint-Speicher.

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Intel arbeitet an 144-Layer-Designs.
Intel arbeitet an 144-Layer-Designs. (Bild: Intel)

Intel hat auf seinem Storage Day im südkoreanischen Seoul einen Ausblick auf kommende Speichertechnologien und -produkte gegeben: Nach der Trennung von Micron und dem Ende des IMFT-Joint-Ventures entwickeln beide Hersteller eigene Designs. Vor Ort sprach Intel über ein Entwicklungszentrum für Optane-basierte Module und SSDs in New Mexico, über 144-schichtigen Flash-Speicher und über den Plan, künftig auch 5 Bit pro Zelle zu verwenden.

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Bei Rio Rancho im US-Bundesstaat New Mexico wurde eine sogenannte Tech Dev Line für die Fab 11X gebaut, dort wird der nicht flüchtige 3D-Xpoint-Speicher für Optane-Produkte weiterentwickelt. Dazu gehört auch Barlow Pass, das ist der Codename für die zweite Generation des Optane DC Persistent Memory für Xeon-CPUs. Ob für die Chips auf den Modulen noch immer ein 20-nm-Verfahren und 128 GBit Kapazität pro Die verwendet werden, wollte Intel nicht sagen. Dafür gab der Hersteller bekannt, dass Microsoft auch 8-Sockel-Systeme mit 18 TByte anbieten will. Die Azure-Cloud-Systeme nutzen pro CPU offenbar sechs Kanäle mit je drei DIMMs mit 128 GByte.

Zudem wurde mit Alderstream eine Optane-SSD beworben, die bei sehr geringer Latenz weit über 700.000 Input-/Output-Operationen pro Sekunde erreichen soll. Die bisherige Optane-SSD P4800X (Coldstream) schafft in diesem Szenario nur etwa 500.000 IOPS und eine P4610 mit Flash-Speicher bei über zehnfacher Latenz keine 400.000 IOPS. Wo Intel den 3D-Xpoint nach der Trennung von Micron fertigen will, ließ der Hersteller offen - denn die Fab 2 in Lehi im US-Bundesstaat Utah gehört nun dem ehemaligen Partner.

  • Präsentation zu 144-Layer-Flash und Optane DC Memory v2 (Bild: Intel)
  • Präsentation zu 144-Layer-Flash und Optane DC Memory v2 (Bild: Intel)
  • Präsentation zu 144-Layer-Flash und Optane DC Memory v2 (Bild: Intel)
  • Präsentation zu 144-Layer-Flash und Optane DC Memory v2 (Bild: Intel)
  • Präsentation zu 144-Layer-Flash und Optane DC Memory v2 (Bild: Intel)
  • Präsentation zu 144-Layer-Flash und Optane DC Memory v2 (Bild: Intel)
Präsentation zu 144-Layer-Flash und Optane DC Memory v2 (Bild: Intel)

Der kommende 3D-NAND v4 ist eine Eigenentwicklung von Intel, hier werden 144 Schichten (bestehend aus wenigstens zwei Stacks) mit 4-Bit-Zellen für 1.024 GBit pro Chip verwendet. Der Logikteil sitzt wie gehabt unter dem Flash-Array und Intel nutzt erneut Floating-Gate-Zellen. Verglichen mit dem Charge-Trap-Ansatz, wie ihn etwa Samsung beim V-NAND v6 integriert, sieht Intel bei der Floating-Gate-Technik bessere Möglichkeiten, das Zeitfenster zum Auslesen von Daten über einen längeren Zeitraum hin stabil zu halten. Bei 4 Bit sind bereits 16 Spannungszustände notwendig, für Zellen mit 5 Bit (Penta Level Cells) dann gleich 32. Wann PLC-Speicher erscheint, gilt es abzuwarten.

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Tylon 30. Sep 2019

Wohl seit den ersten. Die X25m hatte damals im vergleich zu anderen bereits sehr hohe OP...

M.P. 26. Sep 2019

Es gibt ja auch die Notwendigkeit zur Archivierungen "kleinerer" Datenmengen - z. B...



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