Flash-Speicher

Flash Memory Summit 2015 Kaum ist der NVDIMM-Standard verabschiedet, zeigt Diablo ein erstes DDR4-Modul mit Flash-Speicher. Verglichen mit DRAM soll der Memory1 genannte Speicher die vierfache Kapazität aufweisen.

Flash Memory Summit 2015 Micron plant drei überarbeitete oder neue Speichertechnologien für 2016: Künftiges DRAM soll im 1X-nm-Verfahren produziert werden, die ersten 3D-TLC-Flash-Bausteine mit 48 GByte Kapazität in SSDs stecken und es sind auf 3D-Xpoint basierende Produkte geplant.

Flash Memory Summit 2015 Was Samsung kann, zeigt auch Novachips: eine SSD, deren Kapazität 16 TByte beträgt. Das Scalar-Modell ist allerdings langsamer und befindet sich noch in einem frühen Prototypenstatus.

Flash Memory Summit 2015 Mehr Speicherplatz auf wenig Raum: Die PM953-SSD ist der Nachfolger des PM951-Drives und weist eine verdoppelte Kapazität auf. Samsung liefert damit eine der wenigen TByte-SSDs im M.2-Formfaktor aus.

Flash Memory Summit 2015 Gesteckt oder verlötet: Toshiba hat die kompakteste SSD mit NVMe-Protokoll vorgestellt, die kaum größer als eine SD-Speicherkarte ist. Die verlötete Version ist sogar noch ein bisschen kleiner.

Flash Memory Summit 2015 Neue Speichertechnik zur Datenarchivierung: Toshiba möchte NAND-Flash mit 4 Bits pro Zelle einsetzen, um Informationen langfristig auf SSDs zu sichern. Die Haltbarkeit von Quadruple-Level-Cells sei unter bestimmten Voraussetzungen gegeben.

Flash Memory Summit 2015 Schon heute fassen die größten SSDs mehr Daten als die größten Festplatten, bis 2018 soll der Abstand wachsen: Toshiba erwartet eine SSD-Kapazität von 128 statt aktuell bis zu 16 TByte.

Flash Memory Summit 2015 Samsung produziert seine SSD-Reihe 850 Evo künftig günstiger: Der Hersteller nutzt 256- statt 128-GBit-Flash, was die Herstellungskosten drückt und die Solid State Drives sparsamer macht.

Flash Memory Summit 2015 Was Sandisk und Toshiba können, kann auch Samsung: Der Hersteller hat die Serienfertigung von Flash-Chips mit 256 GBit Kapazität für SSDs gestartet. Damit ist Samsung schneller als die Konkurrenz.

Flash Memory Summit 2015 32 statt 16 GByte: Sandisk und Toshiba haben neue Speicherbausteine für SSDs vorgestellt. Die Chips sichern drei Bit pro Speicherzelle und sollen nächstes Jahr in Serienfertigung gehen.

Computex 2015 Microns neuer NAND-Flash speichert drei statt zwei Bits. Bei gleicher Kapazität fallen die Siliziumplättchen daher um knapp ein Drittel kompakter aus. Erste SSDs mit dem neuen Flash-Speicher erscheinen im Herbst, unter anderem von der Micron-Tochter Crucial.

128 GByte statt 64 GByte und schneller als bisher: Samsungs neuer Flash-Speicher mit eMMC-5.0-Geschwindigkeit ist für Smartphones und Tablets im mittleren Preisbereich gedacht.

Tschüss, eMMC-Speicher: Samsung hat die Serienfertigung von UFS-Chips mit bis zu 128 GByte für Smartphones gestartet. Der neue Universal-Flash-Storage-Speicher soll doppelt so flott sein wie bisherige Lösungen, ist sparsamer und wird gestapelt.

Schnellerer Flash-Speicher für Smartphones: Samsung neue eMMCs lesen und schreiben Daten zügiger als bisher, auch bei wahlfreien Zugriffen steigt die Geschwindigkeit. Die eMMC-5.1-Spezifikationen würden allerdings deutlich mehr erlauben.

Ein Molekül als Datenspeicher: Schottische und spanische Forscher haben eine Speicherzelle aus einem Molekül hergestellt. Das ermöglicht größere Flashspeicher.

Der Spezialist für sehr schnelle SSDs auf PCI-Express-Karten, Fusion-IO, ist Sandisk 1,1 Milliarden US-Dollar wert. Beide Unternehmen haben sich bereits auf die Übernahme geeinigt, nur die Wettbewerbsschützer müssen noch zustimmen.

Sandisk und Toshiba haben den Start der 15-Nanometer-Fertigung für Flash-Speicher mit TLC-Technik angekündigt. Ab Frühsommer 2014 soll die Produktion von 16-GByte-Bausteinen mit Triple-Level-Cells beginnen.

Das US-Startup-Crossbar hat eine neue, nicht flüchtige Speichertechnik auf Basis von Resistive RAM (RRAM) vorgestellt. Bis zu 1 TByte sollen sich auf einem Chip speichern lassen, der dabei 20-mal schneller ist als Flash-Speicher und deutlich weniger Leistung aufnimmt.

Sandisk und Toshiba kündigen die Einführung eines neuen Herstellungsprozesses für Flash-Speicher an. Der von Sandisk als 1Ynm bezeichnete Prozess bringt mehr Speicherkapazität auf weniger Raum unter.

IBM will 1 Milliarde US-Dollar in die Entwicklung von Flash-Speicher für Server, Storage-Systeme und Middleware investieren. Zugleich hat IBM unter dem Namen Flashsystem eine neue Serie von Storage-Servern vorgestellt, die ausschließlich mit Flash-Speicher arbeiten.

Fusion-io hat mit seiner PCIe-SSD ioDrive2 deutlich beschleunigt und erreicht dank Sofwareoptimierungen mit einem einzelnen Modul mit 365 GByte MLC-Flash 9,6 Millionen IOPS.

Der Flash-Speicher-Spezialist Fusion-io bietet mit Ioscale ab sofort eine PCIe-SSD für Server an. Bis zu 3,2 TByte lassen sich in einem PCIe-Slot unterbringen, ohne dass ein Raid-Controller benötigt wird.

Samsung hat unter dem Namen F2FS ein neues Dateisystem speziell für Speichermedien mit NAND-Flash wie SSDs, eMMC und SD-Karten entwickelt und zur Aufnahme in den offiziellen Linux-Kernel eingereicht.

Samsung hat mit der Massenproduktion von Flash-Speicher-Modulen mit einer Kapazität von 128 GByte begonnen. Sie sollen in Smartphones und Tablets zum Einsatz kommen.

IBM wird den auf schnelle Flash-Speichersysteme spezialisierten Anbieter Texas Memory Systems (TMS) übernehmen - darauf haben sich die beiden Unternehmen verständigt. TMS bietet unter dem Namen Ramsan schnelle Storage-Server mit bis zu 10 TByte Flash-Speicher an.

Samsung beginnt mit der Produktion einer neuen, viermal schnelleren Generation von Embedded-NAND-Flash-Speicher für Smartphones. Die Chips sollen bis zu 140 MByte/s erreichen.

Seagate beteiligt sich am israelischen Flash-Speicher-Spezialisten Densbits und will dessen Memory Modem in künftigen SSDs einsetzen. So will der Festplattenhersteller in Sachen SSDs angreifen.

Renesas ist nach Elpida der zweite schwer angeschlagene japanische Chiphersteller. Renesas, das Hitachi, Mitsubishi Electric und NEC gehört, macht Verlust und will seine größte Fabrik verkaufen.

Intel und Micron haben mit ihrem Joint Venture IMFT erstmals MLC-NAND-Flash mit 20-Nanometer-Strukturen und einer Kapazität von 128 GBit auf einem Chip hergestellt. Zuvor brachten die beiden nur 64 GBit auf einem solchen Chip unter.

Das ehemalige Joint Venture zwischen AMD und Fujitsu, Spansion, hat eine neue Serie von Flash-Chips mit serieller Anbindung angekündigt. Die Bausteine sollen für Autos, Unterhaltungs- und Netzwerkelektronik dienen und besonders schnell sein.

Samsung entwickelt einen neuen nichtflüchtigen Speichertyp. Der Resistive Random Access Memory (RRAM) soll stromsparender und um ein Vielfaches schneller sein als aktuelle Flashspeicher - und sogar als Arbeitsspeicher taugen.

Intel und Micron nehmen die Fertigung von NAND-Flash in einem 20-Nanometer-Prozess auf. Die ersten damit gefertigten Chips bringen 8 GByte MLC-NAND-Flash auf einer Fläche von nur 118 Quadratmillimetern unter.

Südkoreanische und britische Forscher schlagen eine neue Art vor, digitale Daten dauerhaft zu speichern. Sie kombinieren dabei Mikromechanik und Halbleiter, was schneller schalten und sparsamer sein soll.

Das Industriekonsortium ONFI hat die Version 3.0 seiner Spezifikation der Schnittstelle zu Flash-Bausteinen vorgelegt. Per DDR2-Technik können die Chips nun mit bis zu 400 Megabyte pro Sekunde gelesen und beschrieben werden.

Micron will Flashcontrollern eine Aufgabe abnehmen. Der ClearNAND-Flashspeicher kann die Fehlerkorrektur (ECC) selbst übernehmen. Dafür baut Micron einen Controller in die Flashpackages ein.

Samsung fertigt NAND-Flash mit 3 Bit pro Zelle in 20-Nanometer-Technik. Gedacht sind die Chips mit bis zu 64 GBit Kapazität vor allem für USB-Speichersticks.

Seit vier Jahren erforscht Hewlett-Packard verstärkt den Memristor, der als Nachfolger von Flash und DRAM gehandelt wird. Nun hat das Unternehmen mit Hynix eine Partnerschaft geschlossen, die erste Serienprodukte hervorbringen soll. Einen Namen für das Produkt gibt es auch schon: ReRAM.

Toshiba beginnt mit der Produktion von NAND-Flash in 24-Nanometer-Technik und will damit 64 GBit (8 GByte) auf einem einzelnen Chip unterbringen.

Intel und Micron haben zusammen erste NAND-Flash-Chips in 25-Nanometer-Technik ausgeliefert, die 3 Bit pro Zelle unterbringen (Triple-Level-Cell, TLC). Das soll die Herstellungskosten von Flash-Speicher deutlich senken.

Fusion-io hat ein auf Flash-Speicher optimiertes Subsystem vorgestellt, das die Vorteile traditioneller, blockbasierter I/O-Subsysteme mit denen eines virtuellen Speichersubsystems verbinden soll.

Samsung und Toshiba wollen mit ToggleDDR 2.0 NAND-Chips beschleunigen. Gegenüber der ursprünglichen Roadmap wurden die Ziele höher gesteckt.

Nach Panasonic, Pretec und Sandisk bietet nun auch Kingston eine erste Speicherkarte nach SDXC-Standard an. Zwar gibt es dafür inzwischen etliche Kameras für die von Kingston versprochenen Transfergeschwindigkeiten, aber noch keine Lesegeräte.

Schnelle SD-Karten bis 64 GByte geplant. Bei Samsung ist als erstem Halbleiterhersteller der Wechsel zur nächsten Strukturbreite bereits vollzogen. Nach eigenen Angaben fertigt das Unternehmen Flash-Chips in 20-Nanometer-Technik bereits in Musterstückzahlen, was größere und schnellere SD-Karten ermöglichen soll.