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301 Flash-Speicher Artikel
  1. SSDs: Micron startet Serienfertigung von 3D-NAND-Flash

    SSDs: Micron startet Serienfertigung von 3D-NAND-Flash

    32 Schichten mit zwei oder drei Bits pro Zelle: Micron hat begonnen, 3D-NAND-Flash-Speicher mit 256 und 384 GBit zu produzieren. SSDs mit den neuen Chips plant der Hersteller im Sommer 2016.

    12.02.20164 Kommentare
  2. Flash-Speicher: Micron spricht über 768-GBit-Chip

    Flash-Speicher: Micron spricht über 768-GBit-Chip

    Fast die doppelte Speicherdichte wie Samsung, aber viel größer: Micron hat einen Vortrag über einen 3D-Flash-Speicher-Chip gehalten, der 768 GBit fasst. Er basiert auf für planaren Speicher typischer Technik.

    07.02.201641 Kommentare
  3. Rekordstrafe: Toshiba könnte Chipsparte verkaufen

    Rekordstrafe: Toshiba könnte Chipsparte verkaufen

    Erst Bilanzfälschungen und nun eine Rekordstrafe: Toshiba muss Millionen US-Dollar zahlen, weswegen der Hersteller erwägt, seine Chipsparte zu veräußern. Die Flash-Speicher-Abteilung soll aber bleiben.

    30.11.20151 Kommentar
  4. Fab 68: Intel investiert 5,5 Milliarden US-Dollar in Flash-Fertigung

    Fab 68: Intel investiert 5,5 Milliarden US-Dollar in Flash-Fertigung

    Nichtflüchtiger Speicher bleibt wichtig: Intel plant bis zu 5,5 Milliarden US-Dollar in die Fab 68 in China zu stecken. Dort wurden Chipsätze produziert, künftig soll 3D-NAND-Flash-Speicher gefertigt werden.

    21.10.20154 Kommentare
  5. NVDIMM: Diablo packt 256 GByte Flash-Speicher auf ein DDR4-Modul

    NVDIMM: Diablo packt 256 GByte Flash-Speicher auf ein DDR4-Modul

    Flash Memory Summit 2015 Kaum ist der NVDIMM-Standard verabschiedet, zeigt Diablo ein erstes DDR4-Modul mit Flash-Speicher. Verglichen mit DRAM soll der Memory1 genannte Speicher die vierfache Kapazität aufweisen.

    15.08.20154 Kommentare
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  1. Speichertechnologie: Micron spricht über 10nm-Class-DRAM, 3D-Flash und 3D Xpoint

    Speichertechnologie: Micron spricht über 10nm-Class-DRAM, 3D-Flash und 3D Xpoint

    Flash Memory Summit 2015 Micron plant drei überarbeitete oder neue Speichertechnologien für 2016: Künftiges DRAM soll im 1X-nm-Verfahren produziert werden, die ersten 3D-TLC-Flash-Bausteine mit 48 GByte Kapazität in SSDs stecken und es sind auf 3D-Xpoint basierende Produkte geplant.

    15.08.20154 Kommentare
  2. EP2-Series: Liteon packt 2 TByte auf eine M.2-SSD

    EP2-Series: Liteon packt 2 TByte auf eine M.2-SSD

    Flash Memory Summit 2015 Hohe Leistung und viel Kapazität auf einem SSD-Kärtchen: Liteons neues EP2-Modell sichert bis zu zwei TByte und überträgt Daten mit über zwei GB/s. Allerdings sind nicht alle Notebooks kompatibel.

    15.08.201510 Kommentare
  3. SM2260 und SM2256: Silicon Motion zeigt erste SSD-Controller für TLC und NVMe

    SM2260 und SM2256: Silicon Motion zeigt erste SSD-Controller für TLC und NVMe

    Flash Memory Summit 2015 Ein neuer SSD-Controller mit NVMe-Unterstützung und der erste mit Support für TLC-Flash: Silicon Motion reiht sich in die Riege der Hersteller ein, die Controller für extrem schnelle und für günstige SSDs anbieten. Erste Drives von Adata sind bereits angekündigt.

    14.08.20150 Kommentare
  4. PS5007-E7: Phisons neuer NVMe-Controller ermöglicht 4-TByte-SSDs

    PS5007-E7: Phisons neuer NVMe-Controller ermöglicht 4-TByte-SSDs

    Flash Memory Summit 2015 Raus aus dem Einsteigersegment: Phison zeigt seinen ersten SSD-Controller mit Unterstützung des NVMe-Protokolls. Damit bestückte PCIe-Drives sollen bis zu 4 TByte an Flash-Speicher aufweisen.

    14.08.20150 Kommentare
  5. Novachips Scalar: Auch andere Hersteller bauen 16-TByte-SSDs

    Novachips Scalar: Auch andere Hersteller bauen 16-TByte-SSDs

    Flash Memory Summit 2015 Was Samsung kann, zeigt auch Novachips: eine SSD, deren Kapazität 16 TByte beträgt. Das Scalar-Modell ist allerdings langsamer und befindet sich noch in einem frühen Prototypenstatus.

    13.08.20153 Kommentare
  1. PM953: Samsungs neues SSD-Kärtchen verdoppelt die Kapazität

    PM953: Samsungs neues SSD-Kärtchen verdoppelt die Kapazität

    Flash Memory Summit 2015 Mehr Speicherplatz auf wenig Raum: Die PM953-SSD ist der Nachfolger des PM951-Drives und weist eine verdoppelte Kapazität auf. Samsung liefert damit eine der wenigen TByte-SSDs im M.2-Formfaktor aus.

    13.08.20152 Kommentare
  2. M.2-2230: Toshiba zeigt weltweit kleinste NVMe-SSD

    M.2-2230: Toshiba zeigt weltweit kleinste NVMe-SSD

    Flash Memory Summit 2015 Gesteckt oder verlötet: Toshiba hat die kompakteste SSD mit NVMe-Protokoll vorgestellt, die kaum größer als eine SD-Speicherkarte ist. Die verlötete Version ist sogar noch ein bisschen kleiner.

    13.08.20157 Kommentare
  3. Archiv-SSD: Toshiba plant Flash-Speicher mit Quadruple-Level-Cells

    Archiv-SSD: Toshiba plant Flash-Speicher mit Quadruple-Level-Cells

    Flash Memory Summit 2015 Neue Speichertechnik zur Datenarchivierung: Toshiba möchte NAND-Flash mit 4 Bits pro Zelle einsetzen, um Informationen langfristig auf SSDs zu sichern. Die Haltbarkeit von Quadruple-Level-Cells sei unter bestimmten Voraussetzungen gegeben.

    12.08.201512 Kommentare
  1. Flash-Speicher: In drei Jahren soll die SSD-Kapazität 128 TByte betragen

    Flash-Speicher: In drei Jahren soll die SSD-Kapazität 128 TByte betragen

    Flash Memory Summit 2015 Schon heute fassen die größten SSDs mehr Daten als die größten Festplatten, bis 2018 soll der Abstand wachsen: Toshiba erwartet eine SSD-Kapazität von 128 statt aktuell bis zu 16 TByte.

    12.08.201520 Kommentare
  2. SSD: Die 850 Evo wird auf 256-GBit-Flash umgestellt

    SSD: Die 850 Evo wird auf 256-GBit-Flash umgestellt

    Flash Memory Summit 2015 Samsung produziert seine SSD-Reihe 850 Evo künftig günstiger: Der Hersteller nutzt 256- statt 128-GBit-Flash, was die Herstellungskosten drückt und die Solid State Drives sparsamer macht.

    12.08.201540 Kommentare
  3. Solid State Drive: Toshiba stapelt Flash-Speicher mit Durchkontaktierungen

    Solid State Drive: Toshiba stapelt Flash-Speicher mit Durchkontaktierungen

    Flash Memory Summit 2015 Hauchdünne Metallstäbchen statt Drähte: Toshibas neuer Flash-Speicher wird vertikal durchkontaktiert, anstelle die Dies einzeln zu verdrahten. Damit sollen SSDs schneller und sparsamer werden.

    12.08.20151 Kommentar
  1. PM1725: Die vermeintlich schnellste SSD der Welt stammt von Samsung

    PM1725 : Die vermeintlich schnellste SSD der Welt stammt von Samsung

    Flash Memory Summit 2015 Über eine Million wahlfreie Lesebefehle pro Sekunde: Samsungs neue PM1725 soll das weltweit flotteste Solid State Drive sein. Sobald aber Daten auf die mit NVMe-Protokoll arbeitende Steckkarte geschrieben werden, ist die Konkurrenz schneller.

    12.08.201526 Kommentare
  2. PM1633a: Samsung zeigt weltweit größte SSD

    PM1633a: Samsung zeigt weltweit größte SSD

    Flash Memory Summit 2015 Wahnwitzige 16 TByte in einem einzigen Solid State Drive: Samsungs neue PM1633a nutzt für diese Rekordkapazität die kürzlich vorgestellten 3D-Flash-Bausteine der dritten Generation. Ein erstes Datacenter-Rack mit den neuen SSDs liefert 768 TByte.

    11.08.201561 Kommentare
  3. 256-GBit-TLC-Flash-Dies: Samsung rüstet sich für 8 TByte große SSDs

    256-GBit-TLC-Flash-Dies: Samsung rüstet sich für 8 TByte große SSDs

    Flash Memory Summit 2015 Was Sandisk und Toshiba können, kann auch Samsung: Der Hersteller hat die Serienfertigung von Flash-Chips mit 256 GBit Kapazität für SSDs gestartet. Damit ist Samsung schneller als die Konkurrenz.

    11.08.201573 Kommentare
  1. TLC-Flash: Neue SSD-Speicherbausteine verdoppeln Kapazität

    TLC-Flash: Neue SSD-Speicherbausteine verdoppeln Kapazität

    Flash Memory Summit 2015 32 statt 16 GByte: Sandisk und Toshiba haben neue Speicherbausteine für SSDs vorgestellt. Die Chips sichern drei Bit pro Speicherzelle und sollen nächstes Jahr in Serienfertigung gehen.

    08.08.201539 Kommentare
  2. TLC-Flash: Crucials nächste SSD-Generation erscheint im Herbst

    TLC-Flash: Crucials nächste SSD-Generation erscheint im Herbst

    Computex 2015 Microns neuer NAND-Flash speichert drei statt zwei Bits. Bei gleicher Kapazität fallen die Siliziumplättchen daher um knapp ein Drittel kompakter aus. Erste SSDs mit dem neuen Flash-Speicher erscheinen im Herbst, unter anderem von der Micron-Tochter Crucial.

    04.06.201520 Kommentare
  3. Samsung eMMC 5.0: Verdoppelter Flash-Speicher für Mittelklasse-Smartphones

    Samsung eMMC 5.0: Verdoppelter Flash-Speicher für Mittelklasse-Smartphones

    128 GByte statt 64 GByte und schneller als bisher: Samsungs neuer Flash-Speicher mit eMMC-5.0-Geschwindigkeit ist für Smartphones und Tablets im mittleren Preisbereich gedacht.

    19.03.20154 Kommentare
  1. UFS 2.0: Samsungs Smartphone-Speicher ist so schnell wie eine SSD

    UFS 2.0: Samsungs Smartphone-Speicher ist so schnell wie eine SSD

    Tschüss, eMMC-Speicher: Samsung hat die Serienfertigung von UFS-Chips mit bis zu 128 GByte für Smartphones gestartet. Der neue Universal-Flash-Storage-Speicher soll doppelt so flott sein wie bisherige Lösungen, ist sparsamer und wird gestapelt.

    26.02.201539 Kommentare
  2. Samsung eMMC 5.1: Neuer Flash beschleunigt den Speicher in Smartphones

    Samsung eMMC 5.1: Neuer Flash beschleunigt den Speicher in Smartphones

    Schnellerer Flash-Speicher für Smartphones: Samsung neue eMMCs lesen und schreiben Daten zügiger als bisher, auch bei wahlfreien Zugriffen steigt die Geschwindigkeit. Die eMMC-5.1-Spezifikationen würden allerdings deutlich mehr erlauben.

    18.02.20151 Kommentar
  3. Flash-Speicher: Molekül wird zur Speicherzelle

    Flash-Speicher: Molekül wird zur Speicherzelle

    Ein Molekül als Datenspeicher: Schottische und spanische Forscher haben eine Speicherzelle aus einem Molekül hergestellt. Das ermöglicht größere Flashspeicher.

    21.11.20148 Kommentare
  4. PCIe-SSDs: Sandisk will 1,1 Milliarden US-Dollar für Fusion-IO zahlen

    PCIe-SSDs: Sandisk will 1,1 Milliarden US-Dollar für Fusion-IO zahlen

    Der Spezialist für sehr schnelle SSDs auf PCI-Express-Karten, Fusion-IO, ist Sandisk 1,1 Milliarden US-Dollar wert. Beide Unternehmen haben sich bereits auf die Übernahme geeinigt, nur die Wettbewerbsschützer müssen noch zustimmen.

    16.06.20142 Kommentare
  5. Triple-Level-Cell: 15 Nanometer für Flash-Speicher

    Triple-Level-Cell: 15 Nanometer für Flash-Speicher

    Sandisk und Toshiba haben den Start der 15-Nanometer-Fertigung für Flash-Speicher mit TLC-Technik angekündigt. Ab Frühsommer 2014 soll die Produktion von 16-GByte-Bausteinen mit Triple-Level-Cells beginnen.

    23.04.20145 KommentareVideo
  6. RRAM von Crossbar: 1 TByte pro Chip und 20-mal schneller als Flash-Speicher

    RRAM von Crossbar: 1 TByte pro Chip und 20-mal schneller als Flash-Speicher

    Das US-Startup-Crossbar hat eine neue, nicht flüchtige Speichertechnik auf Basis von Resistive RAM (RRAM) vorgestellt. Bis zu 1 TByte sollen sich auf einem Chip speichern lassen, der dabei 20-mal schneller ist als Flash-Speicher und deutlich weniger Leistung aufnimmt.

    06.08.201391 KommentareVideo
  7. Sandisk und Toshiba: Flash-Speicher wird kleiner

    Sandisk und Toshiba: Flash-Speicher wird kleiner

    Sandisk und Toshiba kündigen die Einführung eines neuen Herstellungsprozesses für Flash-Speicher an. Der von Sandisk als 1Ynm bezeichnete Prozess bringt mehr Speicherkapazität auf weniger Raum unter.

    21.05.20136 Kommentare
  8. Flashsystem: IBM steckt 1 Milliarde US-Dollar in Flash-Speicher

    Flashsystem: IBM steckt 1 Milliarde US-Dollar in Flash-Speicher

    IBM will 1 Milliarde US-Dollar in die Entwicklung von Flash-Speicher für Server, Storage-Systeme und Middleware investieren. Zugleich hat IBM unter dem Namen Flashsystem eine neue Serie von Storage-Servern vorgestellt, die ausschließlich mit Flash-Speicher arbeiten.

    12.04.20133 Kommentare
  9. Fusion-io: 9,6 Millionen IOPS mit einem einzelnen ioDrive2

    Fusion-io: 9,6 Millionen IOPS mit einem einzelnen ioDrive2

    Fusion-io hat mit seiner PCIe-SSD ioDrive2 deutlich beschleunigt und erreicht dank Sofwareoptimierungen mit einem einzelnen Modul mit 365 GByte MLC-Flash 9,6 Millionen IOPS.

    05.03.20132 Kommentare
  10. Fusion-io: Ioscale soll Rechenzentren ohne Festplatten ermöglichen

    Fusion-io: Ioscale soll Rechenzentren ohne Festplatten ermöglichen

    Der Flash-Speicher-Spezialist Fusion-io bietet mit Ioscale ab sofort eine PCIe-SSD für Server an. Bis zu 3,2 TByte lassen sich in einem PCIe-Slot unterbringen, ohne dass ein Raid-Controller benötigt wird.

    16.01.201330 Kommentare
  11. F2FS: Samsung entwickelt freies Dateisystem für Flash-Speicher

    F2FS: Samsung entwickelt freies Dateisystem für Flash-Speicher

    Samsung hat unter dem Namen F2FS ein neues Dateisystem speziell für Speichermedien mit NAND-Flash wie SSDs, eMMC und SD-Karten entwickelt und zur Aufnahme in den offiziellen Linux-Kernel eingereicht.

    08.10.2012148 Kommentare
  12. Samsung: 128 GByte Flash-Speicher für Smartphones und Tablets

    Samsung: 128 GByte Flash-Speicher für Smartphones und Tablets

    Samsung hat mit der Massenproduktion von Flash-Speicher-Modulen mit einer Kapazität von 128 GByte begonnen. Sie sollen in Smartphones und Tablets zum Einsatz kommen.

    19.09.20128 Kommentare
  13. Ramsan: IBM kauft Texas Memory Systems

    Ramsan: IBM kauft Texas Memory Systems

    IBM wird den auf schnelle Flash-Speichersysteme spezialisierten Anbieter Texas Memory Systems (TMS) übernehmen - darauf haben sich die beiden Unternehmen verständigt. TMS bietet unter dem Namen Ramsan schnelle Storage-Server mit bis zu 10 TByte Flash-Speicher an.

    16.08.20120 Kommentare
  14. Samsung: Schneller Flash-Speicher für Smartphones

    Samsung: Schneller Flash-Speicher für Smartphones

    Samsung beginnt mit der Produktion einer neuen, viermal schnelleren Generation von Embedded-NAND-Flash-Speicher für Smartphones. Die Chips sollen bis zu 140 MByte/s erreichen.

    02.08.20126 Kommentare
  15. Densbits: Seagate plant SSDs mit Memory Modem

    Densbits: Seagate plant SSDs mit Memory Modem

    Seagate beteiligt sich am israelischen Flash-Speicher-Spezialisten Densbits und will dessen Memory Modem in künftigen SSDs einsetzen. So will der Festplattenhersteller in Sachen SSDs angreifen.

    26.06.20123 Kommentare
  16. Renesas: Chiphersteller will ein Drittel der Beschäftigten loswerden

    Renesas: Chiphersteller will ein Drittel der Beschäftigten loswerden

    Renesas ist nach Elpida der zweite schwer angeschlagene japanische Chiphersteller. Renesas, das Hitachi, Mitsubishi Electric und NEC gehört, macht Verlust und will seine größte Fabrik verkaufen.

    27.05.20123 Kommentare
  17. 128-GBit-Chip: Intel und Micron verdoppeln die Kapazität von Flash-Speicher

    128-GBit-Chip: Intel und Micron verdoppeln die Kapazität von Flash-Speicher

    Intel und Micron haben mit ihrem Joint Venture IMFT erstmals MLC-NAND-Flash mit 20-Nanometer-Strukturen und einer Kapazität von 128 GBit auf einem Chip hergestellt. Zuvor brachten die beiden nur 64 GBit auf einem solchen Chip unter.

    07.12.201116 Kommentare
  18. Spansion: Schneller Flash-Speicher für Autos

    Spansion: Schneller Flash-Speicher für Autos

    Das ehemalige Joint Venture zwischen AMD und Fujitsu, Spansion, hat eine neue Serie von Flash-Chips mit serieller Anbindung angekündigt. Die Bausteine sollen für Autos, Unterhaltungs- und Netzwerkelektronik dienen und besonders schnell sein.

    26.09.20110 Kommentare
  19. Samsung RRAM: Flash- und Arbeitsspeicher der Zukunft?

    Samsung RRAM: Flash- und Arbeitsspeicher der Zukunft?

    Samsung entwickelt einen neuen nichtflüchtigen Speichertyp. Der Resistive Random Access Memory (RRAM) soll stromsparender und um ein Vielfaches schneller sein als aktuelle Flashspeicher - und sogar als Arbeitsspeicher taugen.

    13.07.201112 Kommentare
  20. Flashspeicher: 20-Nanometer-Chips mit 8 GByte von Intel und Micron

    Flashspeicher: 20-Nanometer-Chips mit 8 GByte von Intel und Micron

    Intel und Micron nehmen die Fertigung von NAND-Flash in einem 20-Nanometer-Prozess auf. Die ersten damit gefertigten Chips bringen 8 GByte MLC-NAND-Flash auf einer Fläche von nur 118 Quadratmillimetern unter.

    15.04.201121 Kommentare
  21. Nanotechnologie: Flash-Alternative mit mechanischem Schalter

    Südkoreanische und britische Forscher schlagen eine neue Art vor, digitale Daten dauerhaft zu speichern. Sie kombinieren dabei Mikromechanik und Halbleiter, was schneller schalten und sparsamer sein soll.

    29.03.20115 Kommentare
  22. ONFI 3.0: Schnittstelle zu Flash-Chips erreicht 400 MByte/s

    ONFI 3.0: Schnittstelle zu Flash-Chips erreicht 400 MByte/s

    Das Industriekonsortium ONFI hat die Version 3.0 seiner Spezifikation der Schnittstelle zu Flash-Bausteinen vorgelegt. Per DDR2-Technik können die Chips nun mit bis zu 400 Megabyte pro Sekunde gelesen und beschrieben werden.

    17.03.20110 Kommentare
  23. SSDs und Co: Microns Flashspeicher korrigiert seine Fehler selbst

    Micron will Flashcontrollern eine Aufgabe abnehmen. Der ClearNAND-Flashspeicher kann die Fehlerkorrektur (ECC) selbst übernehmen. Dafür baut Micron einen Controller in die Flashpackages ein.

    03.12.20104 KommentareVideo
  24. Flashspeicher: Samsung fertigt 64-GBit-NAND in 20-Nanometertechnik

    Samsung fertigt NAND-Flash mit 3 Bit pro Zelle in 20-Nanometer-Technik. Gedacht sind die Chips mit bis zu 64 GBit Kapazität vor allem für USB-Speichersticks.

    13.10.20105 Kommentare
  25. ReRAM: Hynix soll HPs Memristor in Serie herstellen

    ReRAM: Hynix soll HPs Memristor in Serie herstellen

    Seit vier Jahren erforscht Hewlett-Packard verstärkt den Memristor, der als Nachfolger von Flash und DRAM gehandelt wird. Nun hat das Unternehmen mit Hynix eine Partnerschaft geschlossen, die erste Serienprodukte hervorbringen soll. Einen Namen für das Produkt gibt es auch schon: ReRAM.

    01.09.201018 KommentareVideo
  26. Flash-Speicher: Toshiba fertigt NAND-Chips in 24-Nanometer-Technik

    Toshiba beginnt mit der Produktion von NAND-Flash in 24-Nanometer-Technik und will damit 64 GBit (8 GByte) auf einem einzelnen Chip unterbringen.

    31.08.20106 Kommentare
  27. TLC-NAND: Intel und Micron wollen Flash-Speicher günstiger machen

    TLC-NAND: Intel und Micron wollen Flash-Speicher günstiger machen

    Intel und Micron haben zusammen erste NAND-Flash-Chips in 25-Nanometer-Technik ausgeliefert, die 3 Bit pro Zelle unterbringen (Triple-Level-Cell, TLC). Das soll die Herstellungskosten von Flash-Speicher deutlich senken.

    18.08.201011 KommentareVideo
  28. ioMemory VSL: Flash-Speicher als Arbeitsspeichererweiterung

    Fusion-io hat ein auf Flash-Speicher optimiertes Subsystem vorgestellt, das die Vorteile traditioneller, blockbasierter I/O-Subsysteme mit denen eines virtuellen Speichersubsystems verbinden soll.

    22.07.20108 Kommentare
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