Flash-Speicher: SK Hynix kündigt 3D-NAND v4 an

Mehr Speicherkapazität pro Die und mehr Chips pro Wafer: SK Hynix produziert mittlerweile 3D-Flash-Speicher der vierten Generation. Die Konkurrenz ist allerdings schon weiter.

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Wafer mit 3D-Flash-Dies, hier allerdings von Toshiba
Wafer mit 3D-Flash-Dies, hier allerdings von Toshiba (Bild: Marc Sauter/Golem.de)

Der Speicherhersteller SK Hynix hat auf dem Flash Memory Summit 2016 über seine nächste Generation an 3D-NAND-Flash gesprochen: In seiner Keynote kündigte Kyo-Won Jin, Chef der NAND-Abteilung, die mittlerweile vierte Ausbaustufe an. Die Chips fassen 256 GBit und nutzen drei Bit pro Speicherzelle. Verglichen mit dem 3D-NAND v3 konnte SK Hynix die Fläche verringern, weshalb ein Drittel mehr Dies auf einen Wafer passen.

  • SK Hynix kündigt den 3D-Flash v4 an. (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • Er ist effizienter ... (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • ... und ermöglicht eine höhere Chip-Ausbeute. (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
SK Hynix kündigt den 3D-Flash v4 an. (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
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Den Südkoreanern zufolge soll der 3D-NAND v4 rund 40 Prozent schneller lesen und schreiben und eine um 15 Prozent gestiegene Effizienz aufweisen. SK Hynix ist nach Samsung, Flash Forward (Toshiba und Western Digital) sowie Intel/Micron Flash Technologies der viertgrößte Hersteller von NAND-Flash-Speicher und produziert auch diverse Sorten von DRAM, die für Arbeitsspeicher, in Smartphones oder als Cache in SSDs verwendet werden.

Samsung hatte ebenfalls auf dem Flash Memory Summit 2016 den neuen V-NAND v4 mit 512 GBit angekündigt, Flash Forward hat den BiCS3 mit derzeit noch 256 GBit im Angebot, und IMFT fertigt 384 GBit in Serie.

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