Speicherhersteller: Micron über kleinsten 3D-Flash-Chip, 10-nm-DRAM und GDDR6

Neu und winzig: Micron hat einen NAND-Flash-Chip mit einer Kapazität von 256 GBit, der kompakter ist als alle anderen. Außerdem schreitet die Verkleinerung der Strukturen beim RAM voran und GDDR6 für Grafikkarten soll bis 2018 verfügbar sei.

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Wafer mit Flash-Chips
Wafer mit Flash-Chips (Bild: Micron)

Micron hat auf seiner Winter Analyst Conference 2017 einen Ausblick auf kommende Speicherprodukte gegeben (PDF). Der Hersteller hebt besonders seinen neuen 3D-NAND-Flash-Chip hervor: Dieser weist eine Kapazität von 256 GBit auf und soll nur 59 mm² messen, was 4,3 Gigabit pro Quadratmillimeter entspricht. Damit hat Micron laut eigener Aussage das kleinste Die, das in über einem Viertel mehr Chips pro Wafer einhergehen soll als bei anderem 3D-NAND-Flash mit 64 Schichten und drei Bit pro Speicherzelle (TLC). Die größeren 384-GBit-Dies überzeugten bisher nicht durch ihre Geschwindigkeit. Micron legt den Fokus stattdessen auf eine günstige Fertigung.

  • Winter Analyst Conference 2017 (Bild: Micron)
  • Winter Analyst Conference 2017 (Bild: Micron)
  • Der kleinste 256-GBit-Chip der Welt (Bild: Micron)
  • Beim DRAM wird auf 1X-Technik gewechselt. (Bild: Micron)
  • 1Y und 1Z befinden sich in Arbeit (Bild: Micron)
  • QLC soll mittelfristig kommen. (Bild: Micron)
  • GDDR6 wird GDDR5/X ablösen. (Bild: Micron)
  • Eine neue Speichertechnik ist geplant. (Bild: Micron)
Der kleinste 256-GBit-Chip der Welt (Bild: Micron)
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Die zweite Generation von 3D-NAND-Flash-Speicher möchte Micron bis Dezember 2017 in die Serienproduktion bringen, Muster für Kunden gibt es bereits. Neben besagtem 256-GBit-Die für Mobile-Kategorien wie Smartphones soll es auch eine 512-GBit-Variante für andere Marktsegmente geben. Die dritte Generation soll im zweiten Halbjahr 2017 folgen, die Speicherdichte pro Wafer soll ausgehend von den 64-Layer-Chips um 40 Prozent steigen. Mittelfristig ist NAND-Flash mit vier Bit pro Zelle (QLC) geplant.

Im DRAM-Bereich hat Micron den Umstieg auf 20-nm-Produkte vollzogen, es folgen die 1X-Varianten, was vermutlich für 16 nm steht. Bis Ende des Jahres soll der Ausstoß relevant sein, die Kosten pro Gigabit sollen sich um über 20 Prozent verringern. In der Fab 15 in Hiroshima, Japan, läuft die Produktion bereits - gleiches gilt für die Fab 11 und 16 in Taiwan. Im zweiten Halbjahr 2017 soll der Umschwung auf 1Y-Speicher folgen, die Forschung an der 1Z-Stufe schreitet derweil in Japan und den USA voran.

  • Winter Analyst Conference 2017 (Bild: Micron)
  • Winter Analyst Conference 2017 (Bild: Micron)
  • Der kleinste 256-GBit-Chip der Welt (Bild: Micron)
  • Beim DRAM wird auf 1X-Technik gewechselt. (Bild: Micron)
  • 1Y und 1Z befinden sich in Arbeit (Bild: Micron)
  • QLC soll mittelfristig kommen. (Bild: Micron)
  • GDDR6 wird GDDR5/X ablösen. (Bild: Micron)
  • Eine neue Speichertechnik ist geplant. (Bild: Micron)
GDDR6 wird GDDR5/X ablösen. (Bild: Micron)

Mit GDDR5X hat Micron derzeit den schnellsten Speicher im Angebot, der nicht in die HBM(2)-Kategorie (High Bandwidth) fällt. Derzeit liefert der Hersteller Varianten mit 10 GBit/s, geplant sind bis zu 14 GBit/s. Die Nachfolge tritt GDDDR6 ab 2018 an, er soll in der Implementierung von Samsung bis zu 16 GBit/s erreichen. Bei 3D Xpoint für QuantX-Produkte gibt es kaum Neues zu vermelden, es befinden sich aber zwei weitere Generationen in der Entwicklung.

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Allerdings arbeitet Micron auch an einer neuen Speichertechnik, die ähnlich teuer und schnell wie DRAM ist - mehr Informationen gibt es nicht.

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