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Nahaufnahme von Flash-Chips, allerdings von Toshiba statt von SK Hynix
Nahaufnahme von Flash-Chips, allerdings von Toshiba statt von SK Hynix (Bild: Marc Sauter/Golem.de)

Speicherhersteller: SK Hynix plant 72-Layer-Flash für Frühling 2017

Nahaufnahme von Flash-Chips, allerdings von Toshiba statt von SK Hynix
Nahaufnahme von Flash-Chips, allerdings von Toshiba statt von SK Hynix (Bild: Marc Sauter/Golem.de)

Die Südkoreaner möchten ihren 3D-Flash-Speicher v4 mit 256 GBit ab dem zweiten Quartal ausliefern, später sollen 512-GBit-Bausteine folgen. Für Smartphones kommt der flotte LPDDR4X-4266, der HBM2-Speicher für Grafikkarten ist schon verfügbar.

SK Hynix hat die Zahlen für das abgelaufene vierte Quartal 2016 veröffentlicht und einen Ausblick auf die kommenden Monate des Jahres 2017 gegeben. Der südkoreanische Hersteller sprach über seinen 3D-NAND-Flash der vierten Generation, über den Smartphone-Speicherstandard LPDDR4X und den für unter anderem Grafikkarten interessanten High Bandwidth Memory alias HBM2. Teile der Informationen stammen aus dem Databook für das erste Quartal 2017 (PDF), das Anfang Januar aktualisiert wurde.

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  • SK Hynix kündigt den 3D-Flash v4 an. (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • Er ist effizienter ... (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • ... und ermöglicht eine höhere Chip-Ausbeute. (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
SK Hynix kündigt den 3D-Flash v4 an. (Foto: Marc Sauter/Golem.de)

Der im August 2016 angekündigte 3D-NAND v4 soll ab dem zweiten Quartal 2017 für Kunden verfügbar sein. Die ersten Bausteine sind Packages mit bis zu 16 Flash-Chips (Hexadeca Die Package, HDP): Ein jeder fasst 256 GBit, da SK Hynix auf in 72 Lagen geschichtete Zellen mit jeweils drei Bit (Triple Level Cell, TLC) setzt. Ein Gehäuse kommt somit auf bis zu 4.096 GBit oder 512 GByte. Ab dem vierten Quartal 2017 möchte SK Hynix seine Partner mit Packages beliefern, die 512-GBit-Chips integrieren und damit bis zu 1 TByte fassen. Damit würde der Hersteller mit Marktführer Samsung gleichziehen, deren V-NAND v4 erreicht ebenfalls 512 GBit - allerdings mit 64 statt 72 Zellschichten.

LPDDR4X und HBM2 in Serie

Als weitere Neuerung plant SK Hynix einen schnelleren Arbeitsspeicher für Smartphones, genauer LPDDR4X-4266 mit 8 GByte pro Package. Darin stecken vier Dies mit jeweils 16 GBit Kapazität, die Datentransferrate bei einem typischen 64 Bit breiten Interface beträgt daher rund 34,1 GByte pro Sekunde. LPDDR4X senkt verglichen mit LPDRR4 die VDDQ-Spannung (Output Driver) von 1,1 auf 0,6 Volt und benötigt daher nur etwa 80 Prozent der Energie. Der Speichertyp wird unter anderem mit Chips wie Qualcomms Snapdragon 835 oder Mediateks Helio P20 gekoppelt. SK Hynix zufolge wird der LPDDR4X-4266 bereits in Serie gefertigt, er findet sich aber noch nicht im Databook.

Gelistet ist dafür HBM2, der Speicher soll mittlerweile verfügbar sein. Allerdings führt SK Hynix nur sogenannte 4Hi-Stacks mit vier gestapelten DRAM-Chips und einer Gesamtkapazität von 4 GByte. Sie weisen eine Datenrate von 1,6 GBit die Sekunde auf, was bedingt durch das 1.024-Bit-Interface in 205 GByte pro Sekunde resultiert. Stacks mit 8 GByte und 2 Gbps bietet SK Hynix nicht an - die bräuchte es aber für Vega 10, einen kommenden Grafikchip von AMD.


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Peace Р30. Jan 2017

Ja, ganze 2 nach nichtmal einem Jahr... Das ist mir genug im Firmenbereich...

Raistlin 30. Jan 2017

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