Flash-Speicher

Unternehmen will zu einem der drei größten NAND-Produzenten werden. Micron will in das Geschäft mit NAND-Speicher alias Flash-Speicher einsteigen und Produkte für Speicherkarten und USB-Speichergeräte anbieten. Micron zählt zu den größten Speicher-Herstellern.

Nicht ganz preiswertes Speichermedium. Der Hersteller Sharkoon hat in seiner USB-Flexi-Drive-Reihe einen Speicherstick mit 4 Gigabyte Kapazität vorgestellt. Der Stick nutzt die schnelle USB-2.0-Schnittstelle zur Übertragung der Daten zum Computer.

Dichtere Speicherstrukturen mit hohem Speichervolumen. Intel kündigte im Rahmen des Intel Developer Forums (IDF) den ersten NOR-Flash-Speicher mit 90 Nanometer Strukturbreite an. Das neue Intel Flash Memory ist die fünfte Generation von Intel-Flash-Speichern, die speziell auf die Anforderungen drahtloser Endgeräte zugeschnitten sind.

Neue Speichersticks sollen auch in Handys und PDAs zum Einsatz kommen. Die Universal Transportable Memory Association (UTMA) hat mit "Fish" ein neues Format von Flash-Speicherkarten vorgestellt. Fish-Karten sind kleiner als SD-Karten oder xD-Picture-Cards und sollen für eine schnelle Datenübertragung gerüstet sein. Erste Fish-fähige Geräte sind laut UTMA bereits in der Entwicklung.

Flash-Speicher wird mit vorhandenem Equipment gefertigt. Infineon kündigte jetzt den ersten NAND-kompatiblen Flash-Chip auf Basis von Saifuns TwinFlash-Technologie an. Entwickelt wurde der 512-MBit-Flash-Speicherchip von der Infineon Technologies Flash GmbH & Co. KG, einem Joint Venture von Infineon Technologies und Saifun Semiconductors. Die ersten Produkte werden bereits in Infineons 200-mm-DRAM-Fabrik in Dresden gefertigt.

Flash-Speicher soll Datendichten von bis zu 16 GBit erreichen. Silicon Storage Technology (SST) will zusammen mit dem taiwanesischen DRAM-Hersteller Powerchip Semiconductor Corporation (PSC) die dritte Generation seiner SuperFlash-Speicher-Technologie entwickeln. Die SuperFlash-Zelle wird derzeit von PSC auf Basis eines 0,11-Mikron-Prozesses entwickelt, soll künftig aber auch in Strukturgrößen von 90 und später 65 Nanometern hergestellt werden.

Kompakter Baustein kombiniert Arbeitsspeicher und Code-Ausführung. Intel stellte auf dem Intel Developer Forum in Taipeh das so genannte StrataFlash Wireless Memory System vor, welches Arbeitsspeicher, Code-Ausführung und Datenspeicherung in einem Baustein vereint, der besonders kostengünstig sein soll. Damit sollen Hersteller von künftigen Handys preisgünstig besonders kompakte Geräte fertigen können.

CompactFlash- und SD-Cards schreiben mit 9 MByte pro Sekunde. SanDisk kündigte jetzt im Vorfeld der IFA 2003 mit der SanDisk-Ultra-II-Serie neue Flash-Speicherkarten an, die Schreibgeschwindigkeiten von 9 MByte pro Sekunde bzw. Lesegeschwindigkeiten von 10 MByte pro Sekunde erreichen sollen. SanDisks Ultra-II-Speicher ist dabei als CompactFlash- wie auch als SD-Card erhältlich.

Gemeinsames Unternehmen für Flash-Speicher setzt auf neue Marke. Wie bereits im April angekündigt, legen AMD und Fujitsu ihr Geschäft mit Flash-Speichern zusammen. Das neue Unternehmen mit dem Namen FASL LLC soll Flash-Speicher unter der Marke Spansion vertreiben.

Besonders stromsparender Speicherbaustein. AMD bringt unter der Bezeichnung Am29SL800D ein neues Mitglied seiner Flash-Speicher-Familie AM29SL auf den Markt. Der 8-MBit-Flash-Speicher soll den Aufbau von Bluetooth- und GPS-Modulen (Global Positioning System) erlauben und ist auf portable Anwendungen mit minimalem System-Leistungsbedarf optimiert. Der Baustein wird mit 1,8 V betrieben und besonders batteriesparend arbeiten.

Neue Speicherverpackung soll kleine, leistungsfähige Flash-Speicher ermöglichen. Intel hat standardisierte Flash-Speicher für Mobiltelefone vorgestellt, die bis zu fünf ultra-flache Speicher-Chips übereinander stapeln, um mehr Speicherkapazität und geringeren Stromverbrauch bei geringen Chipgehäuse-Abmaßen zu erzielen. Intels so genanntes "Ultra-Thin Stacked Chip-Scale Packaging" (CSP) beherbergt 1.8-Volt-Intel-StrataFlash-Wireless-Memory.

AMD soll 60 Prozent an FASL LLC mit Sitz in Sunnyvale halten. AMD und Fujitsu wollen ihr Geschäft mit Flash-Speicher zusammenlegen. Die Unternehmen unterzeichneten jetzt ein entsprechendes Memorandum of Understanding und planen die Einrichtung eines gemeinsamen neuen Unternehmens, das seinen Sitz in Sunnyvale (Kalifornien) haben soll, wo auch AMD sitzt. Ein japanisches Büro soll in Tokio eingerichtet werden.

Erster 4-Megabit Speicher auf Basis von Silizium-Nanokristallen demonstriert. Motorola verkündet einen Durchbruch im Bereich Flash-Speicher. Das Unternehmen demonstrierte erstmals einen 4-Megabit-(MBit-)Speicher auf Basis von Silizium-Nanokristallen, was laut Motorola zu kleineren und Energie-effizienteren Flash-Speichern führen soll.

Datenspeicher fürs Handgelenk. Die "Memory LAKS" ist eine normale analoge Armbanduhr mit integriertem Flash-Speicher und USB-Anschluss. Das Gerät stammt vom österreichischen Uhrenhersteller LAKS.

Sicherheitssystem soll Nutzer vor falschen Telefonrechnungen schützen. AMD hat mit dem Am29PDL640G einen 64-Megabit-(Mb-)Page-Mode-Flash-Speicher mit hoch entwickeltem Sicherheitsstandard vorgestellt. Die mit Mehrfachsicherung arbeitende Technik, die unter anderem einen 64-Bit-Passwortschutz enthält, soll Hackern das unberechtigte Ausspionieren von geschützten Daten erschweren.

Micro Vault USB 2.0 mit 256 MB Kapazität. Sony hat ein neues Mitglied der Micro-Vault-USB-Speichermedien-Familie mit größerer Kapazität und besserer Performance vorgestellt. Der neue Micro Vault USB 2.0 hat eine Speicherkapazität von 256 MB. Auf Grund der USB-2.0-Hi-Speed-Schnittstelle liest er Daten nach Herstellerangaben viermal schneller als die Vorgängermodelle.

Erste Auslieferungen von Mustern mit 256 Megabit. AMD hat die Auslieferung der ersten Muster seiner NOR-Flash-Speicher-Bausteine mit der nach Unternehmensdarstellungen höchsten derzeit auf dem Markt erhältlichen Speicherdichte angekündigt. Auf der Basis der AMD-MirrorBit-Technologie wurde der neue 256-Megabit-Flash-Speicher entwickelt, der einen Teil einer Produktpalette von MirrorBit-Flash-Speichern mit Dichten von 16, 32, 128 und erwähnten 256 Megabit darstellt.

Zusammenarbeit bei NROM-Flash-Speicher-Technik. AMD, Fujitsu und Saifun Semiconductors sind eine Partnerschaft für die Entwicklung künftiger Generationen von nichtflüchtigen Speichern eingegangen. Dies beinhaltet neben einem Patentaustausch von Flash-Speichertechnik und der Einstellung damit verbundener Rechtsstreits auch eine Beteiligung von AMD und Fujitsu an Saifun.

Neue kompakte Speicherkarten sollen weniger Strom verbrauchen. Fuji Photo Film und Olympus Optical haben gemeinsam ein neues Flash-Speicher-Format für Digicams entwickelt, das stromsparender als bisherige Designs sein soll. Die sehr kompakte xD-Picture Card soll rund 20 x 24,9 x 1,8 mm groß sein und ist damit sogar noch einen Tick kleiner als Sonys neuer Memory Stick Duo (20 x 31 x 1,6 mm) - dennoch soll die Speicherkarte für Kapazitäten von bis zu 8 GByte ausgelegt sein.

Mindestens 100.000 Schreib-/Lösch-Zyklen und 20 Jahre Datenspeicherung. AMD hat neue Flash-Speicher angekündigt, die im Vergleich zu herkömmlichen Standard-NOR-Flash-Speichern dank ihrer neuen Mirrorbit-Architektur bei gleicher Ausdauer, Leistung und Verlässlichkeit doppelt so viel Daten fassen können sollen. Im Juni 2002 soll ein erstes 64-Megabit-Produkt erhältlich sein.

Schneller Flash-Speicher für mobile Endgeräte. Intel stellte auf dem Intel Developer Forum (IDF) in Tokio den bisher leistungsfähigsten Flash-Speicher für mobile Endgeräte vor. Der Intel 1,8 Volt Wireless Flash Speicher beruht auf Intels 0,13-Mikron-Prozesstechnologie und soll mit einer Zugriffszeit von 11 ns bis zu viermal schneller sein als herkömmliche Flash-Lösungen. Der neue Chip verbraucht zudem weniger Strom als gebräuchliche Flash-Chips.

Neue Preise gültig ab Januar 2002. Ab Januar nächsten Jahres werden Sonys "Memory Stick" getaufte Flash-Speicher etwas günstiger. Am deutlichsten fällt der Unterschied beim 16-MByte-Memory-Stick (MSA-16A) aus, wo der Listenpreis von 89,- DM um 23 Prozent auf 68,45 DM (35,- Euro) sinkt.

Konzentration auf Fujitsu-AMD-Werk in Japan. Fujitsu hat die Schließung seines US-Halbleiterwerks in Gresham, Oregon angekündigt. Als Gründe nennt Fujitsu zum einen die schlechte Wirtschaftslage im Halbleitermarkt und zum anderen die Konzentration auf das Halbleiter-Joint-Venture Fujitsu-AMD Semiconductors Limited (FASL) in Aizu-Wakamatsu, Japan.

16 bis 128 MByte für die Hosentasche. Nachdem bereits verschiedene Anbieter Flash-Speicher für die USB-Schnittstelle anbieten, folgt nun auch Sony: Auf der US-Computermesse Comdex 2001 in Las Vegas kündigte der Hersteller seine Micro Vault genannten mechanikfreien Speichermodule in Kapazitäten bis 128 MByte an.

AMDs und Fujitsus Fab JV3 nimmt ihre Arbeit früher als geplant auf. AMDs und Fujitsus neues Joint-Venture-Werk liefert nun auch Flash-Speicherchips auf Basis der 0,17-Mikron-Prozesstechnologie. Die kleineren Strukturen ermöglichen leistungsfähigere und günstigere Flash-Speicher mit geringerem Stromverbrauch.

Memorex, Pretec, Ritek und PQI in der Schusslinie. Der Speicherspezialist SanDisk hat bei einem kalifornischen Bezirksgericht Klage gegen Memorex, Pretec, Ritek und PQI eingereicht. SanDisk beschuldigt die Unternehmen, sein Patent im Bereich Flash Memory verletzt zu haben.

32- und 64-Mbit-Versionen im Laufe des nächsten Jahres erhältlich. Intel hat den laut eigenen Angaben ersten Flash-Speicher der Industrie angekündigt, der mit 0,13-Mikron-Prozesstechnik (130 Nanometer) gefertigt wird. Der neue Intel-3-Volt-"Advanced+ Boot Block Flash"-Speicherchip soll um etwa die Hälfte kleiner und zudem stromsparender sein als sein 0,18-Mikrometer-Vorgänger.

32 bis 128 MB Flash-Speicher zum Anschluss an die USB-Schnittstelle. Der Mainboard-Hersteller QDI Legend bietet nun auch USB-Speichermodule an, die in Deutschland in Kürze mit Kapazitäten von 32 bis 128 MB erhältlich sind. Die USB Disk getauften Flash-Memory-Module werden per USB angeschlossen und können meist ohne vorherige Treiberinstallation wie normale Laufwerke ausgelesen und beschrieben werden.

Speicherkapazitäten zwischen 16 MB und 2 GB für Industrieanwendungen. Insbesondere für industrielle Einsatzgebiete hat Toshiba America Electronic Components (TAEC) eine neue Serie von "NAND Flash Drives" mit Kapazitäten von 16 MB bis 2 GB angekündigt. Die Laufwerke werden in den Festplatten-Formaten 2,5 und 3,5 Zoll gefertigt und auch an die IDE/ATAPI-Schnittstelle angeschlossen.

Preissenkung um bis zu 130,- DM. Sonys Memory Stick sinkt ab Oktober deutlich im Preis. So liegt der neue Listenpreis des bisher meistverkauften Modells, der 64-MB-Flashspeicherkarte, ab sofort bei 169,- DM anstatt bei 239,- DM.

In 0,12-Mikron gefertigtes 1-Gigabit NAND Flash Memory angekündigt. Samsung hat eigenen Aussagen zufolge den ersten 0,12-Mikron-NAND-Speicherbaustein mit einer Kapazität von einem Gigabit bzw. 128 MB angekündigt. Der nicht-flüchtige und stromsparende Speicher soll deutlich höhere Datentransferraten erreichen, beispielsweise um mit PDAs oder zukünftigen Mobiltelefonen Videos direkt und ohne schnelleren Zwischenspeicher aufzeichnen und abspielen zu können.

Chiphersteller erwartet gleichbleibende Umsätze bei Prozessoren. Der AMD Executive Vice President und Vertriebschef Rob Herb teilte mit, dass AMD für das dritte Bilanzquartal sinkende Umsätze im Bereich Flash-Speicherprodukte erwartet. Man rechne mit einem Umsatzrückgang von rund 100 Millionen US-Dollar - das wären 30 Prozent weniger, als im zweiten Quartal erzielt wurden.

Winzige Speicherkarte mit großem Speicher. Der Speicherspezialist SanDisk hat eine 128 MB fassende Secure Digital (SD) Memory Card vorgestellt. Die Speicherkarten im Format einer kleinen Briefmarke (32 mm x 24 mm x 2,1 mm) können in dieser Kapazität mehrere Stunden komprimierter Musik oder nach Herstellerangaben bis zu 40 Minuten MPEG-4 Video speichern.

Devise: Kompakter, preiswerter, schneller und mit mehr Kapazität. Toshiba hat seine strategische Entwicklungsrichtung für NAND und NOR Flash Memorys veröffentlicht. Der Speicherspezialist plant neben Kostensenkungen und Performancesteigerungen vor allem neue Anwendungszwecke für diese Speichervariante.

Durchbruch bei Speicherzellenarchitektur für Flash-Speicher. Einen Durchbruch bei der Speicherzellenarchitekur für Flash-Memory-Produkte meldet AMD. Ohne die grundsätzlichen Eigenschaften wie Ausdauer, Performance oder Zuverlässigkeit negativ zu beeinflussen, sei man in der Lage, die Speicherkapazität zu verdoppeln.

Flash-Speicher mit Page-Modus und 32 Bit Bandbreite. AMD hat mit dem Am29PL320 einen Flash-Speicher mit dem breitesten Datenbus der Branche und Page-Zugriffszeiten ab 20 Nanosekunden vorgestellt. Durch die Kombination aus AMDs Flash-Technologie und 32-Bit-Page-Modus-Architektur ist er nach Unternehmensangaben die schnellste derzeit verfügbare asynchrone Lösung bei Flash-Speichern.

Siemens sichert sich Flashspeicher für mobile Endgeräte. Intel und Siemens haben einen Rahmenvertrag über die Lieferung der nächsten Generation von Speicherbausteinen für mobile Endgeräte geschlossen. Für die Dauer von drei Jahren wird Intel Flash-Speicher im Wert von mehr als zwei Milliarden US-Dollar an Siemens liefern.

Vertrag sieht Zusammenarbeit bis 2003 vor. Palm gab gestern bekannt, dass man bis 2003 hauptsächlich Flash-Speicher von AMD in aktuellen und zukünftigen Geräten einsetzen werde.

Intel-1,8-Volt-Wireless-Flash-Speicher für längere Akkulaufzeiten. Intel stellt einen neuen Flash-Speicher vor, der die Leistung von internetfähigen Handys und anderen drahtlosen Geräten verbessern soll. Der Intel-1,8-Volt-Wireless-Flash-Speicher soll dabei der schnellste verfügbare Flash-Speicher sein, so der Hersteller.

Nachfrage für Flash-Speicher steigt weiter. Fujitsu AMD Semiconductor Limited (FASL), ein Joint Venture von Fujitsu und AMD, wird für 1,41 Milliarden Euro eine dritte Fertigungsstätte für Flash-Speicher auf dem Firmengelände in der Nähe von Tokio bauen. Konkurrent Intel hat unterdessen den milliardsten Flash-Speicher-Chip ausgeliefert.