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Motorola vermeldet Durchbruch bei Flash-Speichern

Erster 4-Megabit Speicher auf Basis von Silizium-Nanokristallen demonstriert

Motorola verkündet einen Durchbruch im Bereich Flash-Speicher. Das Unternehmen demonstrierte erstmals einen 4-Megabit-(MBit-)Speicher auf Basis von Silizium-Nanokristallen, was laut Motorola zu kleineren und Energie-effizienteren Flash-Speichern führen soll.

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Die Silizium-Nanokristalle sind Teil einer fortschrittlichen Speichertechnologie, die unter dem Namen Dünnfilm-Speicher entwickelt wird. Motorola hat nun einige Techniken entwickelt, die die Herstellung solcher Speicherbausteine vereinfachen sollen.

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Unter Verwendung herkömmlicher Fertigungsanlagen gelang es Forschern, an Motorolas DigitalDNA-Labors Silizium-Nanokristalle mit einem Durchmesser von 50 Angstrom zwischen zwei Oxid-Schichten anzulagern. Dadurch sollen laterale Bewegungen der Ladungen und so die Ladung isolierter Nanokristalle verhindert werden, was zu einer erhöhten Verlässlichkeit des Speichers führt, da einzelne Oxid-Defizite nicht länger zu einer kompletten Entladung führen können.

Joe Mogab, Vizepräsident Advanced Products Research und Development Lab in Motorolas Halbleiter-Sparte, schreibt den Silizium-Nanokristall-basierten Speichern das Potenzial zu, konventionelle Flash-Speicher zu ersetzen.



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Richtigsteller 01. Apr 2003

Die Längeneinheit heißt nicht Angstrom sondern Ångström! MfG RS


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