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Samsung will den Flash-Memory-Markt aufmischen

In 0,12-Mikron gefertigtes 1-Gigabit NAND Flash Memory angekündigt

Samsung hat eigenen Aussagen zufolge den ersten 0,12-Mikron-NAND-Speicherbaustein mit einer Kapazität von einem Gigabit bzw. 128 MB angekündigt. Der nicht-flüchtige und stromsparende Speicher soll deutlich höhere Datentransferraten erreichen, beispielsweise um mit PDAs oder zukünftigen Mobiltelefonen Videos direkt und ohne schnelleren Zwischenspeicher aufzeichnen und abspielen zu können.

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Der Speicherbaustein wird sowohl einzeln (1 Gigabit) als auch im Doppelpack (2 Gigabit) in einem Gehäuse angeboten. Im Gegensatz zu bisherigen NAN-Speichern sollen etwa um bis zu 70 Prozent höhere Datentransferraten durch größere Datenblöcke (2 KB anstelle von 512 Byte), Löschen größerer Datenblöcke (128 KB anstelle von 16 KB), einen Schreibcache und weitere Verbesserungen erzielt werden. Seine bisherigen 128- bis 512-MBit-NAND-Flash-Speicher will Samsung mit der verbesserten Technik anbieten.

Samsungs erster Ein-Gigabit-NAND-Baustein besitzt eine 8 Bit breite Schnittstelle und benötigt für Schreib-/Leseoperationen eine Stromversorgung von 3,3 Volt. Der Hersteller plant jedoch bis Ende des Jahres 1,8- und 3,3-Volt-Versionen mit einer breiteren Speicherschnittstelle (16 Bit) fertig zu haben. Anfang 2002 soll schließlich die Massenproduktion beginnen, wobei Samsung auf bestehende Fertigungsstraßen zurückgreifen will und entsprechend viele Chips günstig fertigen und anbieten können will. Dabei soll die Verfügbarkeit deutlich besser als die von konkurrierenden nicht-flüchtigen Speichertechnologien sein, zu denen beispielsweise PFRAM (Polymer Ferroelectric RAM), OUM (Ovonics Unified Memory) und MRAM (Magnetic RAM) zählen.

Als Einsatzgebiete für den verbesserten Speichertyp nennt Samsung neben Embedded-Systemen (Windows NT passt auf ein 1-Gigabit-NAND), MP3-Playern und PDAs vor allem kommende Mobiltelefon-Generationen. Der große Vorteil liegt in der nicht-flüchtigen Speicherung von Daten, die auch ohne Stromversorgung etwa zehn Jahre gespeichert bleiben sollen. Nur bei Schreib- und Leseoperationen wird hier Strom verbraucht.


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