SanDisk will Kapazität von Flash-Speicher-Karten verdoppeln

4-Gigabit-NAND-Flash-Chips mit 90-nm-Technik auch paarweise. Die von SanDisk und Toshiba seit 1999 gemeinsam entwickelten 4-Gigabit-Multi-Level-Cell-NAND-Flash-Speicher-Chips sollen ab 3. Quartal 2004 auf den Markt kommen und in 90-nm-Technik gefertigt werden. Entsprechende Flash-Speicher-Karten werden laut SanDisk im Vergleich zu bisheriger Technik eine doppelt so hohe Kapazität erreichen.

6. April 2004 um 11:05 Uhr / Christian Klaß

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So lassen sich laut SanDisk auch 4-Gigabit-NAND-Flash-Chips gestapelt in einem Chipgehäuse unterbringen – dies ergibt eine Speichermenge von 8 Gigabit bzw. 1 Gigabyte. Der Einsatz in MP3-Playern, Flash-Speicher-Videorekordern oder USB-Speicher-Sticks wäre sinnvoll. Bei Multi-Level-Cells (MLC) können pro Speicherzelle doppelt so viele Zustände gespeichert werden, eine binäre und vermutlich etwas schnellere Version der neuen NAND-Flash-Chips mit einer Kapazität von 2 Gigabit wird SanDisk ebenfalls anbieten. Dennoch wollen die Partner durch genaue Abstimmung von Controller und MLC auch beim 4-Gigabit-Chip hohe Datenraten bieten.

Die Massenproduktion der Speicherchips soll im dritten Quartal 2004 beginnen, gefertigt werden sie in Japan vom Toshiba-SanDisk-Joint-Venture FlashVision. SanDisk selbst will seine 4-Gigabit-NAND-Flashs ausschließlich in eigenen Flash-Speicher-Produkten verwenden. Für das dritte Quartal 2004 sind also z.B. Speicherkarten und USB-Sticks mit deutlich größeren Kapazitäten zu erwarten.

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