Toshiba veröffentlicht Roadmap für künftige Flash Memorys
Toshiba arbeitet daran, bis Mitte 2002 die derzeitige Übertragungsgeschwindigkeit von Flash-Memory von 2 Megabytes pro Sekunde auf 10 Megabytes pro Sekunde heraufzuschrauben. Künftig sollen damit und durch Kostensenkungen NAND-Flash-Speicher nicht mehr vornehmlich als Programmspeicher, sondern vermehrt auch als Datenspeicher einsetzbar werden.
Datenspeicher-Anwendungszwecke machen zurzeit rund 12 Prozent des Flashspeichermarktes aus - bis 2004 prognostiziert Gartner Dataquest 33 Prozent. Toshiba kündigte ferner die Verfügbarkeit von 0,16-Micron-256-MB-Speicherbausteinen an. Künftig sollen mit gleicher Produktionstechnik auch 128-MB- und 64-MB-NAND-Flashspeicherprodukte angeboten werden.
Zusammen mit SanDisk will Toshiba alle NAND-Produkte auf die 0,13-Micron-Prozesstechnologie bringen und ein 1-GB-Multi-Level-Cell-(MLC-)NAND-Produkt noch 2001 anbieten. 2002 sollen dann schon 2 GB MLC NANDs zur Verfügung stehen. MLC ermöglicht die Speicherung von 2 Datenbits pro Datenzelle, was praktisch die Speicherkapazität verdoppelt. NAND Flash Memory wird in SmartMedia, CompactFlash, SD Card und dem Sony Memory Stick eingesetzt.
Toshibas NOR-Flash-Produkte werden beispielsweise in PC-BIOS-Bausteinen und Mobiltelefonen eingesetzt. Diese Niedrigvolt-Speicher gibt es zurzeit in 0,2-Micron-Prozesstechnologie in 16-MB-, 32-MB- und 64-MB-Kapazitäten. Auch hier will Toshiba einen 0,16-Micron-128-MB-Baustein anbieten, der Anfang 2002 fertig sein soll. Toshiba will noch in diesem Jahr Micro-Ball-Grid-Array-(BGA-)Varianten anbieten, die auf Grund ihrer geringen Abmessungen auch in PDAs und Mobiltelefonen eingesetzt werden können. Die Betriebsspannung will man bis 2002 auf 2,5 und 1,8 Volt absenken.