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Intel: Erste NOR-Flash-Speicher in 90-Nanometer-Technik

Dichtere Speicherstrukturen mit hohem Speichervolumen

Intel kündigte im Rahmen des Intel Developer Forums (IDF) den ersten NOR-Flash-Speicher mit 90 Nanometer Strukturbreite an. Das neue Intel Flash Memory ist die fünfte Generation von Intel-Flash-Speichern, die speziell auf die Anforderungen drahtloser Endgeräte zugeschnitten sind.

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Chips mit 90 nm Strukturbreite - 1 Nanometer entspricht 1 Milliardstel Meter - sind nur etwa halb so groß wie die der vorhergehenden Generation. Dank dieser Platzersparnis verdoppelt Intel seine Produktionskapazitäten und senkt gleichzeitig die Kosten. Das erste Produkt auf Basis der neuen Technologie ist ein Single-Cell-Flash-Speicher. Im Laufe des Jahres sollen Speicherbausteine auf Basis der Intel-Multi-Level-Cell-(MLC-)Technologie hinzukommen, die das Datenvolumen jeder Speicherzelle verdoppelt.

"Der Intel Wireless Flash Memory ist im Augenblick der leistungsstärkste Flash-Speicher für drahtlose Endgeräte auf dem Markt", erklärte Tom Lacey, Vice President der Intel Flash Products Group. "Er kombiniert vier Funktionen in einem einzigen Baustein: 1.8 V Betriebsspannung, direkte Code-Ausführung (execute in place), Enhanced Factory Programming (eine Technologie zur Programmierung von Flash-Speichern in der Produktionsumgebung) sowie Code- und Datenspeicherung auf einem einzigen Chip. Bei der Entwicklung moderner Geräte sind diese Funktionen besonders wichtig."

Der Intel-Wireless-Memory-Chip mit 90 nm Strukturbreite ist das jüngste Mitglied der Intel-Produktreihe "Stacked Chip Scale Packaging" (Stacked CSP). Da die Intel-Speicher-Chips in allen Speicherdichten über eine einheitliche Pin-Belegung und dieselben Intel-Flash-Software-Lösungen verfügen, sind Integrationen und Updates naturgemäß leicht durchführbar. Intel kombiniert die Flash-Speicher mit variablen RAM-Optionen und erreicht dabei Speicherdichten bis zu 1 Gigabit in einer Größe von 8 x 11 Millimetern.

Erste Intel-Wireless-Memory-Flash-Speicher auf Basis der 90-nm-Fertigungstechnologie verfügen über 64 Megabit Speicherdichte und sollen ab April 2004 in Mustern verfügbar sein.

Die Serienproduktion soll im dritten Quartal 2004 beginnen. Der empfohlene Listenpreis beträgt 10,26 US-Dollar bei Abnahme von 10.000 Stück. Im Laufe des Jahres sollen darüber hinaus erste Speicher des Typs "MLC Intel StrataFlash Wireless Memory Flash" mit 90 nm Strukturbreite in Mustern verfügbar sein. Diese MLC-Bausteine werden in Speicherdichten von 256 MBit und 512 MBit sowie in verschiedenen Stacked-Varianten angeboten.


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AD (golem.de) 20. Feb 2004

stimmt. habs korrigiert. AD (golem.de)

tutnichtszursache 20. Feb 2004

@golem ich glaube aber nano sind 10e-9 also eher milliardstel Meter...

der nanometer 20. Feb 2004

"golem schrieb: 1 Nanometer entspricht 1 Millionstel Meter" hallo golem-team, ein...



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